Cтраница 5
Временная задержка выключения элемента t3 выкл состоит из времени разряда емкостей Скэ предыдущих элементов после открывания их транзисторов от уровня - Ек до момента отпирания входных диодов и времени рассасывания избыточного заряда базы насыщенного транзистора. [61]
Теперь выберем Сь Когда схема и G открывается последним из трех входных диодов и переходит от нижнего уровня к верхнему, ток, протекающий через R и входной диод к поглотителю тока ( подобному 4), теперь переключается и проходит через С. В начале вре-мени нарастания максимальный ток разряда равен ( VA - VB) / ft2, что, как вычислено выше, составляет 0 67 ма. [62]
Элемент ИШЛ содержит прямовключенный п - р - л-транзистор ( в отличие от И2Л), совмещенный с ним в объеме полупроводника вертикальный р - п - р-транзистор и входные диоды Шоттки. Эскиз конструкции ( рис. 3.2, е) и эквивалентная схема ( рис. 3.2, ж) поясняют принцип его работы. Транзистор р - п - р-типа ограничивает степень насыщения ключевого п - р - л-транзистора, обеспечивая высокое его быстродействие. Диоды Шоттки с низкой величиной порогового напряжения образованы контактом металла с эпитаксиальной пленкой - типа. Они повышают быстродействие, уменьшая логический размах сигнала. [63]