Двухбазовый диод

Cтраница 1

Двухбазовый диод при том включении, при котором он был нами рассмотрен выше, будет иметь ту же полярность приложенных напряжений и те же направления токов в электродах, что и точечный триод ( рис. XI. Связь между входом и выходом, так же как и в точечном триоде, осуществляется по току через распределенное сопротивление базы. В то же время выходной электрод представляет собой невыпрямляющий контакт и, казалось бы, не должен обеспечивать усиления по току. [1]

Схематические изображения переключающих полупроводниковых приборов. [2]

Двухбазовые диоды - неудачное название приборов, представляющих собой полевые транзисторы с р - n - переходом, в которых на затвор подается напряжение, создающее ток в прямом направлении. В основание прибора инжектируются неосновные носители, которые благодаря выбору веществ и подбору количества примесей имеют значительно большую подвижность, чем основные, и это приводит к резкому увеличению проводимости основания. Изменение гроводимости за счет инжектировалных неосновных носителей заряда может быть сделано очень большим, так что процесс нарастания тока в основании носит лавинный характер. Чаще двухбазовые диоды включаются при запирающем потенциале на затворе, но при обратном потенциале стока. При повышении потенциала стока сверх некоторого предельного р - - переход открывается и процессы в приборе развиваются так, как это было описано выше. [3]

Двухбазовые диоды широко распространены в схемах управления в зарубежной полупроводниковой технике. Структурная схема такого диода ДД приведена на рис. 6.44, а, а схема включения и вольт-амперная характеристика приведены на рис. 6.44, бив. [4]

Схематическое ( а и символич. ( б изображения полупроводникового триода. [5]

Двухбазовый диод ( по ряду характеристик более близкий к полупроводниковым Рнс. [6]

Двухбазовый диод представляет собой единственный прибор, существующий в нескольких разновидностях, который хорошо приспособлен для подачи импульсов управления на УПВ. [7]

Статические характеристики двухбазового диода. [8]

Двухбазовый диод ( рис. 9 - 107) представляет собой пластинку из германия или кремния n - типа с двумя выводами б, б2 и расположенным сбоку р-п переходом. Ток, проходящий через пластинку от источника Ее, создает внутреннее падение напряжения t / вн на участке, входящем в цепь р-п перехода. [9]

Однопереходный транзистор ( а и его характеристика ( б. [10]

Двухбазовый диод представляет собой кристалл полупроводника с омическими контактами по краям и р-п переходом ( инжектором) посередине. [11]

Конструктивно двухбазовые диоды представляют собой полупроводниковую кристаллическую пластинку, на концах которой расположены контакты баз Б1 и Б2 ( рис. 6 - 11, о), а сбоку - эмиттер-ный р - n - переход. Через эти участки под действием напряжения Е0 протекает ток / и создается падение напряжения ( У61, запирающее р - / г-нереход. [12]

Схема мультивибратора ( а и однрвибратора ( б с двух-операционным тиристором. [13]

G открытием двухбазового диода конденсатор С начинает разряжаться, и изменивший свое направление ток в цепи управления тиристора проходит через эмиттер-ную цепь двухбазового диода ДД. Тиристор ТД при этом быстро закрывается. При закрытии тиристора исчезает ток в нагрузочном сопротивлении Rn и возникает положительный импульс напряжения в выходной цепи тиристора. [14]

Конструкция и структура элемента канального диода. [15]

Страницы: 1 2 3 4