Двухбазовый диод
Cтраница 4
Как работает реле напряжения на двухбазовом диоде. [46]
Поясните работу реле времени на двухбазовом диоде, приведенного на рис. 10.9. Как регулируется выдержка времени. Почему она практически не зависит от напряжения питания. [47]
Характерными представителями этой группы приборов являются двухбазовый диод и канальный или униполярный триод. В зарубежной литературе модификации последнего, имеющие несколько отличающиеся конструкции, известны под названием текнетрон и алькатрон. Однако в первом случае прямосмещенный переход инъектирует неосновные носители в объем полупроводника, во втором - обратносмещенный переход меняет ширину канала, ток через который определяется основными носителями, уже присутствующими в объеме полупроводника. Поэтому физические процессы в обоих приборах, а также их свойства и параметры резко отличаются. [48]
В частности, к ним относятся туннельные и двухбазовые диоды ( гл. Однако переключающими называют обычно приборы, выполненные на основе четы-рехслойной полупроводниковой структуры типа р-п-р-п и объединенные общим названием тиристоры. [49]
В частности, к ним относятся туннельные и двухбазовые диоды ( гл. Однако переключающими называют обычно приборы, выполненные на основе четы-рехслоиноп полупроводниковой структуры типа р-п-р-п и объединенные общим названием тиристоры. [50]
В частности, к ним относятся туннельные и двухбазовые диоды ( гл. Однако переключающими называют обычно приборы, выполненные на основе четы-рехслойной полупроводниковой структуры типа р-п-р-п и объединенные общим названием тиристоры. [51]
 |
Схема включения одно-переходного транзистора в режиме релаксационного генератора.| Распределение потенциала в базе. [52] |
В некоторых случаях этот прибор называют двухбазовым диодом, так как один из невыпрямляющих контактов играет роль базы по отношению к переходу, а второй невыпрямляющий контакт работает в паре с первым в самостоятельной управляемой цепи и представляет собой вторую базу. [53]
 |
Схема релаксационного генератора на лавинном транзисторе.| Временные диаграммы напряжения коллектора и тока эмиттера.| Схема включения однопереходного транзистора. [54] |
В некоторых случаях этот прибор называют двухбазовым диодом, так как область, примыкающая к одному из омических контактов, играет роль базы по отношению к переходу, а область, примыкающая ко второму контакту, работает в самостоятельной управляемой цепи и представляет вторую базу. [55]
Характерные точки ВАХ служат классификационными статическими параметрами двухбазовых диодов: напряжение пика, или напряжение включения, Un и соответствующий ему ток пика, или ток включения, / и - координаты точки, отделяющей область отрицательного сопротивления от области отсечки; напряжение Uu и ток 1 впадины, отделяющей область отрицательного сопротивления от области малого положительного сопротивления; обратный ток / о при оговариваемом значении обратного напряжения; пробивное напряжение Unt при оговариваемом ( достаточно большом) значении обратного тока. [56]
Такие приборы были изготовлены и получили название двухбазовых диодов. Это название хорошо отражает конструктивную особенность данного прибора, но не раскрывает его физического содержания. С другой стороны, он является таким же триодом, как и канальный триод, в котором один из невыпрямляющих контактов играет роль базы по отношению к переходу, а второй работает в паре с первым в самостоятельной цепи, причем не во вспомогательной, а в основной управляемой цепи. С этой точки зрения название двухбазовый диод является не совсем удачным. Нельзя считать удачным и другое встречающееся название: однопереходный транзистор, так как под это определение подпадает канальный транзистор с затвором в виде перехода. [57]
Примерами усилительных приборов с прямосмешенным переходом могут служить двухбазовый диод и нитевидный транзистор, с обратносмещенным переходом - технефон и униполярный транзистор. [58]
Характеристикой того же типа, что и у двухбазового диода, обладают лавинные транзисторы ( рис. 9 - 106), конструкция которых в принципе не отличается от конструкции обычных плоскостных транзисторов. [59]
Страницы: 1 2 3 4