Двухбазовый диод

Cтраница 2

К преимуществам двухбазового диода следует отнести возможность построения схем на одном приборе вместо двух при использовании транзисторов. Недостатками его являются сравнительно большое потребление мощности от источников питания и малые скорости переключения. [16]

Усилительные свойства двухбазового диода будут, очевидно, определяться соотношением концентраций основных равновесных и неосновных неравновесных носителей и их подвижностями. [17]

Таким образом, двухбазовый диод в том виде, как мы его рассмотрели, представляет собой транзистор с модуляцией электропроводности с помощью инжектированных носителей и с коэффициентом передачи тока, большим единицы, получаемым за счет различия в подвижностях основных и неосновных носителей заряда. Рассмотренная нами схема включения такого прибора подобна схеме точечного триода с общей базой. [18]

В реальных условиях двухбазовый диод включают при полярности выходного напряжения, обратной показанной на рис. XI. Это, в общем, не изменяет принципа его работы. При таком включении двухбазовый диод до некоторой степени аналогичен точечному триоду, включенному по схеме с общим коллектором. [19]

Как выполняется аналог двухбазового диода на двух транзисторах. [20]

К статическим параметрам двухбазового диода относится также межбазовое сопротивление Rw - - сопротивление постоянному току - между двумя выводами от базовой пласишкй при отключенном эмиттере. [21]

Однопереходным транзистором ( двухбазовым диодом) называется трехэлектродный полупроводниковый прибор с одним р-л-переходом. [22]

Релейные элементы на двухбазовых диодах отличаются простотой, высоким быстродействием, температурной стабильностью. UBKJt примерно равен 0 1 % / С, однако правильным выбором [8,58] сопротивления R2 можно температурный коэффициент напряжения fiicpae понизить примерно до 0 01 % / С. [23]

Аналог двухбазового диода.| Реле напряжения ( или тока на двухбазовом диоде. [24]

Релейный элемент на двухбазовом диоде по схеме рис. 10.5, а выполняет роль измерительного органа: при достижении входным сигналом напряжения срабатывания или отпускания диод переключается. Выходной сигнал диода усиливается транзистором, включенным по схеме с ОЭ и работающим в ключевом режиме. [25]

Релейные элементы на двухбазовых диодах отличаются простотой, высоким быстродействием, температурной стабильностью. [26]

Аналог двухбазового диода.| Реле напряжения ( или тока на двухбазовом диоде. [27]

Релейный элемент на двухбазовом диоде по схеме рис. 10.5 а выполняет роль измерительного органа: при достижении входным сигналом напряжения срабатывания или отпускания диод переключается. Выходной сигнал диода усиливается транзистором, включенным по схеме с ОЭ и работающим в ключевом режиме. [28]

Релейные элементы на двухбазовых диодах отличаются простотой, высоким быстродействием, температурной стабильностью. Так, время срабатывания ре лейного элемента при активной нагрузке равно времени включения диода и составляет примерно 0 1 - 4 0 мкс; коэффициент температурной стабилизации напряжения 7ВКЛ примерно равен 0 1 % / С, однако правильным выбором [8,58] сопротивления R2 можно температурный коэффициент напряжения ficpae понизить примерно до 0 01 % / С. [29]

Аналог двухбазового диода.| Реле напряжения ( или тока на двухбазовом диоде. [30]

Страницы: 1 2 3 4