Сплавной диод

Cтраница 1

Устройство плоскостного германиевого диода типа Д7. / - кристалл германия. 2 - наплавка индия. 3 - кри-сталлодержатель. 4 - внутренний вывод. 5 - кова-ровый корпус. 6-стеклянный проходной изолятор. 7 - коваровая трубка. S - наружный вывод от эмиттера. 9 - наружный вывод от базы.| Устройство диодов. [1]

Сплавные диоды имеют плоский пр-переход, поэтому их обычно называют плоскостными. [2]

Сплавные диоды и транзисторы - полупроводниковые диоды и транзисторы, в которых р-я-переходы создаются путем вплавления примесных веществ в материал исходной пластинки полупроводника. [3]

Устройство полупроводниковых диодов различных типов.| Типичный вид вольт-амперной характеристики полупроводниковых диодов ( а и обратной ветви стабилитрона ( б. [4]

Сплавные диоды ( например, германиевые типов Д7, Д302 - Д305, кремниевые типов Д202 - Д205) обладают заметной емкостью ( десятки - сотни пикофарад), а потому находят основное применение для выпрямления переменных токов низких частот. [5]

Плоскостные сплавные диоды имеют большую площадь р-п-пере-хода. Такие диоды используют в сильноточных импульсных цепях в случаях, когда высокое быстродействие от диода не требуется. [6]

В сплавных диодах ( рис. 5.6, б) р - n - переход получают вплав-лением в кристалл полупроводника электронной проводимости кусочка сплава, содержащего атомы акцепторной примеси. При создании кремниевых сплавных импульсных диодов в кристалл кремния вплавляется конец тонкой алюминиевой проволочки. После охлаждения в месте спая образуется очень тонкий слой кремния, обогащенный алюминием. [7]

В сплавных диодах ( рис. 8.1, б) р-п переход получают вплавлением в кристалл полупроводника электронной проводимости кусочка сплава, содержащего атомы акцепторной примеси. Так, при создании кремниевых сплавных импульсных диодов в кристалл кремния вплавляется конец тонкой алюминиевой проволочки. После охлаждения в месте спая образуется очень тонкий слой кремния, обогащенного алюминием и имеющего то же направление кристаллографических осей, что и исходный монокристалл. Этот слой называют рекристаллизованным. Граница между исходным монокристаллом электронной проводимости и сильно легированным р-слоем представляет собой р-п переход. [8]

Устройство р - л-переходов точечных ( а, сплавных ( б, сварных ( в, диффузионных меза-диодов ( г и планарных ( д. [9]

В сплавных диодах ( рис. 11 - 23, б) р - - переход получают вплавлением в кристалл полупроводника электронной проводимости кусочка сплава, содержащего атомы акцепторной примеси. Граница между исходным монокристаллом и сильно легированным р-слоем представляет собой р - - переход. Обычно такой метод используется при изготовлении кремниевых импульсных диодов. [10]

При производстве сплавных диодов используют два метода снижения времени жизни неравновесных носителей тока: термозакалку и легирование кремния золотом. Термозакалка обеспечивает значительное уменьшение величины т, но при этом происходит неконтролируемое изменение удельного сопротивления материала. При введении в кремний атомов золота величина т уменьшается в несколько раз. [11]

Для изготовления сплавных диодов, помимо германия, применяется кремний. Если за основу взят кремний с электронной проводимостью, то электронно-дырочный переход создается путем вплавления алюминия. Если за основу берется кремний с дырочной проводимостью, то наплавляется сплав олова с фосфором либо сплав золота с сурьмой. [13]

Определение тепловой постоянной времени фотодиода. [14]

Толщина базы сплавного диода составляет сотни микрон что по формуле ( 7 - 16) соответствует частоте пропускания 100000 гц. У диффузионных фотодиодов толщина базы может составлять всего 3 - 5 мк. Полоса пропускания таких фотодиодов достигает нескольких мегагерц. [15]

Страницы: 1 2 3