Сплавной диод
Cтраница 3
Он сравнил подобные по электрическим характеристикам диффузионные и сплавные диоды при низких и высоких значениях прямого тока. Для этих целей был выбран типичный прибор, а именно выпрямитель 1N538 с максимумом обратного напряжения в 200 в. Этот диод служил основой, в нем по желанию модифицировались толщины базы и тип перехода. Полагают, что информация, полученная в этих экспериментах, должна быть применима к аналогичным кремниевым и германиевым выпрямителям. [31]
 |
Спад послеинжекционной э. д. с. германиевого точечного диода при различных сопротивлениях нагрузки. [32] |
Точное выражение закона уменьшения напряжения для точечного диода громоздко. При / o / Lp да 0 2 у точечного диода наблюдается примерно четырехкратное уменьшение длительности переходного процесса выключения по сравнению со сплавным диодом, имеющим такое же время жизни дырок в базе. [33]
Поскольку переходные процессы рассматривались применительно к плоскостным диодам без электрического поля в базе, то в качестве эталона при сравнении всех типов импульсных диодов примем переходную характеристику сплавного диода. При одинаковых режимах переключения и одинаковом времени жизни неравновесных носителей в базе у точечного диода заряд переключения Qn, максимальный бросок обратного тока t B и особенно длительность фазы постоянного обратного тока t будут значительно меньше, чем у сплавного диода. Величины же времени спада обратного тока / 2 у этих диодов различаются не очень сильно. У диффузионных диодов, напротив, значения Qn и tit а также импульс обратного тока in ( в том случае, если он меньше i i) больше, чем у аналогичных сплавных диодов, а время tz значительно меньше. [34]
Времена установления и восстановления определяют быстродействие диода, и поэтому их стремятся сделать возможно меньше. Так, в диффузионных диодах электрическое поле в базе тормозит инжектированные дырки, это приводит к накоплению заряда в тонком слое у р-п перехода, и при переключении напряжения время ( 2 становится намного меньше, чем у сплавных диодов. [35]
При получении диффузионного р-п перехода импульсного диода наряду с введением донорной и акцепторной примесей осуществляют также диффузию золота. Вследствие того что золото имеет очень высокий коэффициент диффузии, происходит практически равномерное легирование всего кристалла. При этом, в отличие от сплавных диодов, в диффузионных удается ввести значительно большую концентрацию золота и гораздо сильнее снизить этим время жизни неравновесных носителей заряда. [36]
Кремний широко используется как материал для полупроводниковых приборов. Большая ширина запрещенной зоны кремния делает возможной работу приборов в условиях высоких температур. Так, например, кремниевые выпрямители ( сплавные диоды) могут работать при температурах до 200 С. [37]
 |
Типовые характеристики маломощного пентода. [38] |
Электронно-дырочным переходом называют тонкий слой между двумя частями полупроводникового кристалла, в котором одна часть имеет электронную, а другая - дырочную электропроводность. Технологический процесс созадния электронно-дырочного перехода может быть различным: сплавление ( сплавные диоды), диффузия одного вещества в другое ( диффузионные диоды), эпитаксия - ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого ( эпитаксиальные диоды) и др. По конструкции электронно-дырочные переходы могут быть симметричными и несимметричными, резкими и плавными, плоскостными и точечными и др. Однако для всех типов переходов основным свойством является несимметричная электропроводность, при которой в одном направлении кристалл пропускает ток, а в другом - не пропускает. [39]
Поскольку переходные процессы рассматривались применительно к плоскостным диодам без электрического поля в базе, то в качестве эталона при сравнении всех типов импульсных диодов примем переходную характеристику сплавного диода. При одинаковых режимах переключения и одинаковом времени жизни неравновесных носителей в базе у точечного диода заряд переключения Qn, максимальный бросок обратного тока t B и особенно длительность фазы постоянного обратного тока t будут значительно меньше, чем у сплавного диода. Величины же времени спада обратного тока / 2 у этих диодов различаются не очень сильно. У диффузионных диодов, напротив, значения Qn и tit а также импульс обратного тока in ( в том случае, если он меньше i i) больше, чем у аналогичных сплавных диодов, а время tz значительно меньше. [40]
Поскольку переходные процессы рассматривались применительно к плоскостным диодам без электрического поля в базе, то в качестве эталона при сравнении всех типов импульсных диодов примем переходную характеристику сплавного диода. При одинаковых режимах переключения и одинаковом времени жизни неравновесных носителей в базе у точечного диода заряд переключения Qn, максимальный бросок обратного тока t B и особенно длительность фазы постоянного обратного тока t будут значительно меньше, чем у сплавного диода. Величины же времени спада обратного тока / 2 у этих диодов различаются не очень сильно. У диффузионных диодов, напротив, значения Qn и tit а также импульс обратного тока in ( в том случае, если он меньше i i) больше, чем у аналогичных сплавных диодов, а время tz значительно меньше. [41]
Из кривых рис. 4.56 следует, что у сплавных диодов т при постоянном М ИНОК1 ( UaH с о) больше, чем у диффузионных. Однако следует учитывать еще и RS OT которого зависят и максимальная частота и коэффициент шума. Это сопротивление снижается легированием и применением низкоомного материала базы. И то и другое, в случае сплавного ( ступенчатого) перехода, приводит к росту С0 и снижению напряжения пробоя диода. В случае диффузионного ( плавного) перехода этого не происходит, так как обедненный слой располагается в высокоомной части перехода там, где концентрация примесей малая; сильное легирование базы не вызывает сужения перехода и изменения его емкости и напряжения пробоя. В случае диффузионного диода ширина перехода хп для сильно ( 1) и слабо ( 2) легированной базы не меняется. В случае сплавного диода, переход становится уже ( х п) при неизменном напряжении смещения. [42]
Страницы: 1 2 3