Сплавной диод

Cтраница 2

Электронно-дырочные переходы сплавных диодов - резкие или ступенчатые. Они пропускают прямые токи до десятков ампер. Из-за большой площади переходов их емкости относительно велики. У микросплавных диодов несколько больший по площади р-л-переход, чем у точечных. [16]

По способу изготовления различают сплавные диоды, диоды с диффузионной базой и точечные диоды. В диодах двух первых типов переход получается методами спавления пластин р - и - типов или диффузии в исходную полупроводниковую пластину примесных атомов. [17]

По способу изготовления различают сплавные диоды, диоды с диффузионной базой и точечные диоды. В диодах двух первых типов переход получается методами спавления пластин р - и л-типов или диффузии в исходную полупроводниковую пластину примесных атомов. [18]

Подобной вольт-амперной характеристикой обладают сплавные диоды с базой, изготовленной из низкоомного ( высоколегированного примесью) полупроводникового материала. При этом образуется тонкий / - - переход с очень четкими границами, что и создает условия для возникновения резкого электрического пробоя при относительно низких обратных напряжениях. [19]

По способу изготовления различают сплавные диоды, диоды с диффузионной базой и точечные диоды. В диодах двух первых типов переход получается методами спавления пластин р - и и-типов или диффузии в исходную полупроводниковую пластину примесных атомов. [20]

Из кривых рис. 4.56 следует, что у сплавных диодов т при постоянном М ИНОК1 ( UaH с о) больше, чем у диффузионных. Однако следует учитывать еще и RS OT которого зависят и максимальная частота и коэффициент шума. Это сопротивление снижается легированием и применением низкоомного материала базы. И то и другое, в случае сплавного ( ступенчатого) перехода, приводит к росту С0 и снижению напряжения пробоя диода. В случае диффузионного ( плавного) перехода этого не происходит, так как обедненный слой располагается в высокоомной части перехода там, где концентрация примесей малая; сильное легирование базы не вызывает сужения перехода и изменения его емкости и напряжения пробоя. В случае диффузионного диода ширина перехода хп для сильно ( 1) и слабо ( 2) легированной базы не меняется. В случае сплавного диода, переход становится уже ( х п) при неизменном напряжении смещения. [21]

Вольт-амперная характеристика приведена на рис. 3.16. Подобной характеристикой обладают сплавные диоды с базой, изготовленной из низкоомного ( высоколегированного) полупроводникового материала. При этом образуется узкий р-л-переход, что создает условия для возникновения электрического пробоя при относительно низких обратных напряжениях. [22]

Внешний вид точечного кремниевого диода ( а и его схематическое устройство ( б. вольт-амперные характеристики германиевого диода Д9В ( кривая 1 и кремниевого диода Д106 ( кривая 2 ( в. [23]

В этом случае р-л-пере-ход получается менее резким, чем в сплавном диоде. [24]

Наиболее перспективным типом импульсного диода является диффузионный импульсный диод, который имеет перед сплавным диодом те же ( если не больше) преимущества, что и сплавной перед точечным. [25]

По технологии изготовления различают сплавные транзисторы, электронно-дырочные переходы которых изготовляют путем вплавления ( как у сплавных диодов), диффузионные транзисторы, у которых электронно-дырочные переходы получают путем диффузии в вакууме ( аналогично диффузионным диодам), выращенные транзисторы, у которых электронно-дырочные переходы получают путем введения примесей в процессе выращивания кристалла, мезатранзис-торы и планарные транзисторы. [26]

Таким образом, сравнение различных типов диодов показывает, что наименьший заряд переключения имеют точечные диоды, в несколько раз большие значения Qn у сплавных диодов и еще больше у диффузионных. Подчеркнем, что указанное соотношение выполняется лишь в том случае, если все три типа диодов имеют одинаковое время жизни дырок в базе. Практически у диффузионных диодов удается получить минимальное значение тр, поэтому они могут иметь очень малую величину заряда переключения. [27]

Сплавной германиевый диод. [28]

По технологии изготовления электронно-дырочного перехода различают сплавные и диффузионные диоды. Для изготовления сплавного диода применяют пластинку германия с электропроводностью типа п толщиной до 0 2 мм. На ней укрепляют таблетку индия, помещают в вакуумную или водородную печь и нагревают до температуры 450 - г 550 С. [29]

Форма р-п перехода в сплавных и сварных диодах отличается от плоской. Поэтому можно считать, что сплавные диоды представляют собой приборы с плоскостным р-п переходом. [30]

Страницы: 1 2 3