Снижение - скорость - рост
Cтраница 2
 |
Участок конечно-разностной сетки. [16] |
Авторы монографии полагают, что при практическом применении данных схем возможно снижение скорости роста осцилляции решения за счет подбора соотношений шагов пространственно-временной сетки. Однако, при большом числе временных шагов, что имеет место во многих практических случаях, придется прибегать к процедуре сглаживания получаемого решения. [17]
Укрупнение ступеней и появление ЦТС должно, наоборот, приводить к снижению скорости роста. [18]
Срастание мелких отдельных кристаллитов в замкнутые системы объясняет, кроме того, снижение скорости роста удельной поверхности, несмотря на продолжающуюся аморфизацию. [19]
Влияние возрастания частоты нагружения при неизменной влажности на процесс разрушения приводит к снижению скорости роста усталостных трещин. Количественная оценка этого влияния может быть проведена путем выявления границ, внутри которых сохраняется неизменным ведущий механизм разрушения независимо от того, какие именно взаимодействующие процессы приводят к этому механизму. [20]
 |
Временные диаграммы. [21] |
Затем значение 1С определяется в основном двумя факторами: с одной стороны, снижением скорости роста капли, с другой - увеличением поверхности электрода, которое вызывает некоторое повышение 1С после снижения пика. Аналитический сигнал увеличивается пропорционально увеличению поверхности капли ( рис. 41, 3), поэтому в конце жизни капли он имеет максимальное значение. [22]
 |
Временные диаграммы. [23] |
Затем значение 1С определяется в основном двумя факторами: с одной стороны, снижением скорости роста капли, с другой - увеличением поверхности электрода, которое вызывает некоторое повышение / с после снижения пика. Аналитический сигнал увеличивается пропорционально увеличению поверхности капли ( рис. 41, 3), поэтому в конце жизни капли он имеет максимальное значение. [24]
Увеличение околокристальной зоны приводит к уменьшению скорости притока питательного вещества, а следовательно, и снижению скорости роста кристалла. При перемешивании раствора или при перемещении кристалла околокристальная зона нарушается, увеличивается приток питательного вещества из пересыщенного раствора и скорость роста кристалла возрастает. [25]
При пульсирующем цикле нагружения снижение максимального напряжения цикла вызывает уменьшение размаха КИН, что сопровождается снижением скорости роста трещины. [26]
Урожай остается постоянным в широком диапазоне значений плотности, поскольку у растений наблюдается зависимое от плотности снижение скорости роста, в связи с чем размеры каждого растения уменьшаются. Кроме того, в подобных экспериментах уменьшение средней массы растения точно компенсирует увеличение плотности. [28]
Важно подчеркнуть, что нарушение кинетики роста трещин в результате изменения соотношения главных напряжений приводит к снижению реализуемой скорости роста трещины по отношению к регулярному двухосному нагружению. Поэтому в случае моделирования роста трещин в условиях нерегулярного нагруже-ния при чередовании изменений либо уровня напряжения, либо соотношения главных напряжений, даже когда трещина не задерживается, необходимо корректировать поправочные функции, полученные при регулярном двухосном нагружении. [29]
Оба указанных явления свидетельствуют о нарастании в связи с увеличением уровня ГП процессов, которые существенно влияют на снижение скорости роста усталостных трещин. Именно эти эффекты и явились основанием для рекомендации ГП в практику в качестве способа, повышающего долговечность и живучесть агрегатов. [30]
Страницы: 1 2 3 4