Смещающий диод

Cтраница 1

Схема базового элемента ДТЛ-типа ( а и его условное обозначение ( б. [1]

Смещающие диоды Д4 и Д5 предназначены для увеличения порога запирания и помехоустойчивости схемы в закрытом состоянии. В динамическом режиме эти диоды должны при включении схемы восстанавливать свое обратное сопротивление после того, как рассосется избыточный заряд, накопленный транзистором в режиме насыщения. [2]

ДТЛ-элементы со смещающими диодами уступают указанным выше типам из-за трудности изготовления полупроводниковых схем, включающих полупроводниковые элементы с разной степенью инерционности. [3]

Однако в смещающем диоде, через который до этого протекал большой ток базы Г2, был также накоплен значительный заряд. Поэтому во время рассасывания заряда базы 7 происходит рассасывание заряда и в смещающем диоде. [4]

Модификация диод-но-транзисторной схемы.| Модификация диод-но-гранзисторной схемы. [5]

НЕ-И, в которой смещающие диоды также заменены сопротивлением. [6]

Таким образом, применение смещающего диода устраняет основной недостаток рассмотренной ранее схемы с непосредственной связью - чрезмерно малый запас по запиранию следующего транзистора при насыщенном состоянии предыдущего. [7]

Таким образом, наличие смещающего диода позволяет сократить время выключения Тг по сравнению с описанной ранее схемой с непосредственной связью. [8]

Заметим, что тип смещающего диода должен быть выбран так, чтобы его время рассасывания превышало время рассасывания заряда базы Тг. В противном случае после окончания рассасывания заряда в диоде восстанавливается его большое обратное сопротивление ион запирается. [9]

В) обеспечивается применением смещающих диодов или многоэмиттерного транзистора. Помехоустойчивость этих схем по отношению к запирающей помехе может быть повышена до любых значений выбором достаточно большого значения Ек. [10]

В некоторых схемах напряжение на одном смещающем диоде оказывается недостаточным для компенсации с необходимым запасом относительно большого отрицательного напряжения на выходе предшествующего каскада. В этих случаях для надежности запирания последующего транзистора применяется не один, а два последовательно включенных кремниевых диода. [11]

НЕ, диоды Д3 и Д4 ( смещающие диоды) служат для связи логического элемента И и инвертора. Он течет по цепи источник Е, резистор Rt, диод Д3, диод Д4, эмиттерный переход транзистора Т, корпус устройства. [12]

Заметим, что в данном варианте схемы смещающий диод Дсм включен не в цепи базы, как это было на рис. 6.7, а в эмиттере Тг, что не играет существенной роли. Этот ток, протекая через закрытый Т2 и насыщенный Т3, практически не оказывает влияния на работу схемы. [13]

Интегральный элемент НЕ - ИЛИ класса ТНЛС.| Интегральный элемент И - НЕ с одним транзистором класса ДТЛ. [14]

Резистор 2 обеспечивает порог запирания схемы-так как задает ток через смещающие диоды. [15]

Страницы: 1 2 3 4