Смещающий диод

Cтраница 3

Увеличение температурной стабильности двухтактного повторителя за счет включения в схему небольших эмиттерных резисторов. [31]

Следовательно, резисторы R3 и RA должны быть подобраны таким образом, чтобы обеспечивался нужный ток покоя, например 50 мА для усилителя звуковых частот. Самым худшим для этой схемы является случай, когда смещающие диоды не имеют теплового контакта с выходными транзисторами. [32]

На рис. 1.10. и 1.11 приведены модификации ДТС. На рис. 1.10 представлена насыщенная схема НЕ-ИЛИ, в которой смещающие диоды заменены сопротивлением. [33]

Следует отметить, что схема ТТЛ-элемента аналогична схеме ДТЛ-элемента со смещающим диодом. Действительно, здесь роль входных диодов играют эмиттерные переходы, а роль смещающего диода - коллекторный переход многоэмиттерного транзистора Тм. Однако эта аналогия в значительной степени формальна, поскольку в транзисторе коллекторный и эмиттерный переходы не изолированы друг от друга, как диоды в схеме ДТЛ-элемента. Связь между эмиттерными и коллекторным переходами, вызванная диффузией носителей в базе многоэмиттерного транзистора, приводит к качественно новым явлениям в данном элементе по сравнению с ДТЛ-элементом. [34]

Однако в смещающем диоде, через который до этого протекал большой ток базы Г2, был также накоплен значительный заряд. Поэтому во время рассасывания заряда базы 7 происходит рассасывание заряда и в смещающем диоде. [35]

Задержка включения ( t3 вкл) определяется здесь в основном временем перезаряда током IRO суммарной паразитной емкости С А, включенной между точкой А и землей ( показана пунктиром на рис. 6.6, а), до момента отпирания транзистора. Величина t3 вкл может оказаться весьма существенной, так как данная схема благодаря наличию смещающих диодов обладает большим запасом по запиранию транзистора и для перезаряда емкости СА до отпирания транзистора может потребоваться значительное время. Однако это приводит к увеличению потребляемой мощности. [36]

При этих условиях транзистор Т3 выключен. Диод Д, обеспечивающий дополнительное смещение напряжения на эмиттере Т3 в положительную область на еол, называют смещающим диодом. [37]

По принципу построения, а также по важнейшим параметрам они близки к схемам ДТЛ. Эмиттер-ные переходы многоэмиттерного транзистора выполняют функцию, аналогичную функции диодов в схемах ДТЛ, а коллекторный переход играет роль смещающего диода. [38]

При таком зывается закрытым благодаря смещению, ( эти диоды называют смещающими диодам текая через резистор R, диод Д0 и резне щих диодах падение напряжения, близкое к жительно, но значительно меньше 0 6 В, и Элемеиг И - НЕ транзисторно-транзисто схема элемента, приведенная на рис. 2.1 За схема элемента ДТЛ, состоит из двух послед циональных частей: схемы, выполняющей тора. Отличительная особенность построен состоит в том, что в ней использован один МТ, заменяющий группу входных диодов сх ходы МТ выполняют роль входных диодов роль смещающего диода в цепи базы транзр схемы элемента. [39]

Схема базового элемента ТТЛ. [40]

По принципу построения и работы, а также по основным характеристикам и параметрам схемы ТТЛ близки к ДТЛ. Эмиттерные переходы многоэмиттерного транзистора Т1 выполняют функцию, аналогичную функции диодов Д1, Д2 в схеме ДТЛ ( рис. 8 - 21), а коллекторный переход Т1 выполняет роль смещающего диода. [41]

Рассмотрим работу многоэмиттерного транзистора в логическом элементе И. Имеется некоторая аналогия между схемой И, выполненной на диодах в диодно-транзисторном элементе И - НЕ ( см. рис. 4.20), и схемой И, выполненной на МЭТ: эмиттерные переходы МЭТ выполняют функции Дг и Д2 в схеме рис. 4.20, коллекторный переход можно рассматривать как смещающие диоды Д3 - Д4 дандюй схемы. Однако явление диффузии в базе МЭТ приводит к появлению новых, по сравнению с диодной сборкой, явлений. [42]

Основные логические схемы ТТЛ с простым ( а и сложным ( б инверторами. [43]

Простейшая схема ДТЛ, реализующая функцию И - НЕ, представлена на рис. 6.4. Схема содержит т входных диодов, которые вместе с резистором R реализуют функцию И. Диоды Дсм1 и ДСм2 предназначены для увеличения порога запирания схемы, а следовательно, для увеличения ее помехоустойчивости. Смещающие диоды включают для того, чтобы падение напряжения на входных диодах не влияло на переключение транзистора. Простой инвертор выполняет логическую функцию НЕ и усиление сигнала. Необходимым элементом схемы является резистор Rz, который в закрытом состоянии инвертора задает ток через смещающие диоды. При подключении к резистору Rz отдельного источника питания увеличиваются быстродействие и порог запирания схемы. Поскольку элементарные логические операции И ( ИЛИ) и НЕ осуществляются различными элементами схемы ДТЛ, легко увеличить число входов путем добавления входных диодов. [44]

Процесс рассасывания избыточного заряда базы в данной схеме протекает весьма быстро даже при значительной глубине насыщения транзистора. Последнее объясняется особенностью схемы диодной связи ( см. гл. Здесь смещающие диоды, ведущие себя подобно заряженному конденсатору, обеспечивают большой рассасывающий обратный ток базы, замыкающийся через открытые входные диоды и транзисторы предыдущих элементов. В реальных схемах ДТЛ-элементов со смещающими диодами удается получить среднее время задержки порядка десятков наносекунд. [45]

Страницы: 1 2 3 4