Смещающий диод
Cтраница 2
 |
Интегральный элемент И - НЕ с двумя транзисторами класса ДТЛ. [16] |
В схеме, приведенной на рис. 3.34, вместо второго смещающего диода используется транзистор Т2, обеспечивающий усиление тока, протекающего через резистор R. Однако в этой схеме транзистор 7 ] может иметь значительно большую степень насыщения, чем в предыдущей. [17]
Следует отметить, что схема ТТЛ-элемента аналогична схеме ДТЛ-элемента со смещающим диодом. Действительно, здесь роль входных диодов играют эмиттерные переходы, а роль смещающего диода - коллекторный переход многоэмиттерного транзистора Тм. Однако эта аналогия в значительной степени формальна, поскольку в транзисторе коллекторный и эмиттерный переходы не изолированы друг от друга, как диоды в схеме ДТЛ-элемента. Связь между эмиттерными и коллекторным переходами, вызванная диффузией носителей в базе многоэмиттерного транзистора, приводит к качественно новым явлениям в данном элементе по сравнению с ДТЛ-элементом. [18]
 |
Принципиальная схема базового элемента микросхемы серии. [19] |
Характерная особсчшость микросхем этой серии состоит в том, что здесь в качестве смещающего диода VD6 стоит стабилитрон ( диод Зенера) с пороговым напряжением 6 9 В, благодаря которому обеспечивается высокий порог отпирания, около 7 В. По принципу действия эти микросхемы не отличаются от ранее рассмотренных. [20]
В сравнении с ДТЛ в схеме ТТЛ многоэмиттерный транзистор заменяет m входных диодов и один смещающий диод и занимает меньшую площадь на кристалле. Кроме того, исключается резистор R4 ( см. рис. 8 - 21), занимающий большую площадь. [21]
При подаче 0 хотя бы на один из входов элемента транзисторы 7 и Т3 оказываются закрытыми из-за наличия смещающего диода ДСМ1 - Заметим, что при последовательном соединении участков база-эмиттер транзисторов 7 и Т3 на долю каждого из этих транзисторов приходится меньшая величина мбэ и необходимый запас по запиранию каждого из транзисторов здесь обычно удается обеспечить с помощью лишь одного смещающего диода. [22]
По принципу построения, а также по важнейшим параметрам они близки к схемам типа ДТЛ, Эмиттерные переходы много-эмиттерного транзистора выполняют функцию, аналогичную функции диодов в схемах ДТЛ, а коллекторный переход играет роль смещающего диода. Многоэмиттерный транзистор-специфичный интегральный полупроводниковый прибор, представляющий собой совокупность т транзисторных структур, имеющих общий коллектор и непосредственно взаимодействующих друг с другом только за счет движения основных носителей. [23]
При подаче 0 хотя бы на один из входов элемента транзисторы 7 и Т3 оказываются закрытыми из-за наличия смещающего диода ДСМ1 - Заметим, что при последовательном соединении участков база-эмиттер транзисторов 7 и Т3 на долю каждого из этих транзисторов приходится меньшая величина мбэ и необходимый запас по запиранию каждого из транзисторов здесь обычно удается обеспечить с помощью лишь одного смещающего диода. [24]
Диоды ДСм1 и ДСы2 предназначены для увеличения порога запирания схемы, а следовательно для увеличения ее помехоустойчивости. Смещающие диоды включают для того, чтобы падение напряжения на входных диодах не влияло на переключение транзистора. Простой инвертор выполняет логическую функцию НЕ и усиление сигнала. Необходимым элементом схемы является резистор R %, который в закрытом состоянии инвертора задает ток через смещающие диоды. При подключении к резистору Rz отдельного источника питания увеличиваются быстродействие и порог запирания схемы. Поскольку элементарные логические операции И ( ИЛИ) и НЕ осуществляются различными элементами схемы ДТЛ, легко увеличить число входов путем добавления входных диодов. [25]
При этом транзисторы VI и V3 представляют собой составной транзистор с высоким результирующим коэффициентом усиления, что определяет высокий коэффициент разветвления. Использование смещающих диодов - один из типовых приемов интегральной технологии, позволяющий обеспечить надежное запирание выключенных транзисторов. Использование сложного инвертора позволяет улучшить такие параметры схем, как коэффициент разветвления, помехоустойчивость и быстродействие, а также снизить требования к параметрам транзисторов. [26]
Благодаря постоянству величины UCM увеличение потенциала точки А при отпирании хотя бы одного входного диода приводит к равному по величине повышению потенциала базы. Падение напряжения на смещающих диодах ( t / CM) при этом компенсирует сумму падений напряжений на входном диоде и насыщенном транзисторе предшествующего элемента. Последнее при правильном выборе параметров схемы приводит к запиранию транзистора рассматриваемого элемента и изменению выходного напряжения до уровня, соответствующего единице. Ток iKa, который ранее замыкался в основном через участок база-эммиттер транзистора, теперь замыкается через открытые входные диоды и транзисторы предшествующих элементов. [27]
 |
Разновидности интегрального элемента И - НЕ со сложным инвертором. [28] |
Схемы инверторов, показанные на рис 3.37, а, б, содержат три транзистора и меньшее число резисторов, чем схемы, представленные на рис. 3.37, в, г, и занимают меньшую площадь. Однако в последних использование транзистора вместо смещающего диода позволяет снизить требуемый коэффициент усиления транзистора Т3 и обеспечить больший выходной ток при выключении схемы. [29]
В индикаторе будет высвечиваться цифра, соответствующая состоянию счетчика. Остальные девять транзисторов будут надежно закрыты благодаря наличию смещающих диодов Д2, а также резисторов R3, соединяющих базы транзисторов с нулем источника питания. [30]
Страницы: 1 2 3 4