Диффузионный диод

Cтраница 2

При изготовлении диффузионных диодов глубина залегания перехода может составлять до 3 10 - 4 см; диапазон пробивного напряжения при заданном удельном сопротивлении кремния устанавливается подбором режима диффузии. [16]

При изготовлении германиевых диффузионных диодов выбирается пластина германия р-типа, так как донорные примеси по сравнению с акцепторными лучше диффундируют в германий. В качестве диффузанта используется сурьма. Для формирования омического контакта с - областью диффузионной структуры применяется оловянный припой с присадкой сурьмы. Омический контакт с р-об-ластью германия образует вплавленный в эту область индий. [17]

Столбы из кремниевых, лавинных, диффузионных диодов, импульсные. Выпускаются в пластмассовых корпусах. Тип столба и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. [18]

Кроме того, среди сплавных и диффузионных диодов имеются образцы с тонкой базовой областью. [19]

Для уменьшения емкости р-л-перехода в высокочастотных диффузионных диодах используется мезаструктура ( рис. 3.1, д), получаемая методом глубоко химического травления. В результате первой общей диффузии создается л - 5ьслой в кристалле n - типа. После второй общей диффузии, формирующей р-слой в кристалле кремния, образования омического контакта и защиты отдельных участков кристалла через маску осуществляется травление поверхности его незащищенных участков. В результате р-п-пере-ход остается только на небольших участках кристалла под омическим контактом. Диаметр p - n - перехода после травления уменьшается до нескольких десятков микрометров. [20]

Сплавной германиевый диод. [21]

По технологии изготовления электронно-дырочного перехода различают сплавные и диффузионные диоды. Для изготовления сплавного диода применяют пластинку германия с электропроводностью типа п толщиной до 0 2 мм. На ней укрепляют таблетку индия, помещают в вакуумную или водородную печь и нагревают до температуры 450 - г 550 С. [22]

В последние годы отечественной промышленностью разработаны силовые высокочастотные диффузионные диоды с низкоомной базой. [23]

Микрофотографии пространственного распределения света, испускаемого диффузионными диодами из GaAs, обнаружили [468], что излучение возникает на р-стороне перехода, а Натан и др. [508, 50.9] впервые установили, что в процессе излучения участвуют акцепторные уровни. [24]

Отсюда можно заключить, что различие между сплавными и диффузионными диодами становится значительным при таких режимах переключения, когда ц гпр и длительность полочки мала. [25]

Распределение концентрации эквивалентной примеси в диффузионном диоде. [26]

Наиболее близко к прямоугольной форме импульсы формируются в диффузионных диодах, обладающих плавным р-п переходом. При неравномерной ( эквивалентной) примеси в базе диода ( рис. 2 - 18) из-за ионизированных доноров, которых меньше возле р-п перехода и больше в глубине базы, возникает внутреннее электрическое поле Е, направленное к р-п переходу. Во-вторых, способствует освобождению базы от оставшихся неравновесных носителей ( дырок) после сформирования плоской вершины импульса обратного тока, что и приводит к значительному сокращению времени формирования среза прямоугольного импульса. [27]

В целях выбора оптимальной конфигурации было специально изготовлено несколько диффузионных диодов с толщиной базы 0 0635 и 0 0127 мм. Из-за стабилизующего влияния лаковых покрытий на характеристики необлученных диодов половина диодов была покрыта лаком. [28]

Из рассмотренной модели интегрального транзистора нетрудно путем соответствующих упрощений получить модели диффузионного диода и резистора. [29]

Из-за высокой концентрации Zn в области, в которую проведена диффузия, коэффициент вывода света или оптическая эффективность диффузионных диодов несколько хуже, чем для эпитаксиальных диодов. [30]

Страницы: 1 2 3 4