Диффузионный диод

Cтраница 3

Это возможно, например, при сильном легировании n - полупроводника и слабом легировании р-полупроводника ( Мд Мл), а также при / пр / пя, что имеет место в диффузионных диодах из арсенида галлия. В связи с этим, можно считать, что в лазерных диодах из GaAs, активной областью является р-полупроводник. [31]

По технологии изготовления различают сплавные транзисторы, электронно-дырочные переходы которых изготовляют путем вплавления ( как у сплавных диодов), диффузионные транзисторы, у которых электронно-дырочные переходы получают путем диффузии в вакууме ( аналогично диффузионным диодам), выращенные транзисторы, у которых электронно-дырочные переходы получают путем введения примесей в процессе выращивания кристалла, мезатранзис-торы и планарные транзисторы. [32]

Характерной особенностью диффузионных диодов является наличие внутреннего тормозящего поля в базе около р-п перехода, которое обусловлено неравномерным распределением ионизированных примесей. Вследствие этого накопление дырок при протекании прямого тока происходит только вблизи р-п перехода, так как тормозящее поле препятствует их диффузии в удаленные области базы. [33]

У некоторых типов диффузионных диодов переходная характеристика переключения имеет почти прямоугольный вид. [34]

Времена установления и восстановления определяют быстродействие диода, и поэтому их стремятся сделать возможно меньше. Так, в диффузионных диодах электрическое поле в базе тормозит инжектированные дырки, это приводит к накоплению заряда в тонком слое у р-п перехода, и при переключении напряжения время ( 2 становится намного меньше, чем у сплавных диодов. [35]

Важнейшей особенностью диффузионных диодов является существование в базе встроенного тормозящего поля, обусловленного неравномерным распределением примесей. Так же как и сплавные, диффузионные диоды представляют собой приборы с плоскостным р-п переходом. [36]

Экспериментальная зависимость С / С-12 В от обратного на. [37]

Частотная зависимость СЭ / С, рассчитанная из уравнения ( 2) для диода-прототипа с / / W ( 0) 2 и однородной пленкой с удельным сопротивлением, равным значению рисх экспериментального образца, оказалась более слабой, чем у последнего. Возможно это вызвано наличием в диффузионном диоде высокоомных участков с компенсированной проводимостью. [38]

Физически это объясняется тем, что при кратковременных процессах рекомбинацией дырок в базе можно пренебречь. В наибольшей степени это справедливо для диффузионных диодов. [39]

При этом световой выход, измеренный с помощью германиевого фотодиода, достигал значений порядка 10 - 5 фотон / электрон. Данное значение несколько меньше светового выхода лучших диффузионных диодов, изготовленных из a - SiC, и сравнимо с квантовым выходом вплавных диодов на базеа - SiC. Однако усовершенствование технологии изготовления р - n - перехода и улучшение структуры исходных кристаллов позволяет надеяться на повышение и этого важного параметра рекомбинационного излучения. [40]

При этом световой выход, измеренный с помощью германиевого фотодиода, достигал значений порядка 0 - 5 фотон / электрон. Данное значение несколько меньше светового выхода лучших диффузионных диодов, изготовленных из a - SiC, и сравнимо с квантовым выходом вплавных диодов на базе a - SiC. Однако усовершенствование технологии изготовления р - n - перехода и улучшение структуры исходных кристаллов позволяет надеяться на повышение и этого важного параметра рекомбинационного излучения. [41]

При подаче на диод обратного ( запирающего) напряжения рассасывание накопленного заряда происходит так, как описано в § 8.2. При этом внутреннее поле способствует дрейфу дырок к р-п переходу и препятствует их распростра нению вглубь базы. Вследствие этого отдаваемый диодом заряд, а соответственно и длительность фазы tit у диффузионных диодов оказываются больше, чем у сплавных с таким же значением тр, но с однородным распределением примесей в базе. [42]

Зависимость коэффициентов усиления ар а от величин прямого тока. [43]

На рис. 7 Представле - /, ны графики вольтфарад - / 0 з ной зависимости для сплавного ( эмиттерные переходы тиристора - пунктирная кривая) и диффузионного ( коллекторный переход) диодов. Указанные зависимости получены экспериментально по методике, рассмотренной выше, причем для коллекторной емкости аналогия с емкостью диффузионного диода является условной, так как во включенном тиристоре ток через коллекторный переход течет навстречу напряжению. [44]

Зависимость пара - приближается к экспоненте. метра tJ. D от режима переклю . [45]

Страницы: 1 2 3 4