Диффузионный диод

Cтраница 4

У диффузионных диодов и диодов с тонкой базой фаза спада обратного тока значительно короче, чем у сплавных и точечных. Если условно характеризовать длительность фазы спада обратного тока интервалом времени, в течение которого значение г 0бР ( 0 падает до величины О HI. Для диффузионных диодов и диодов с тонкой базой время t - i составляет менее 0 1тр и слабо зависит от режима переключения. [46]

Основными методами получения р-п переходов для выпрямительных диодов являются сплавление и диффузия. Пластинка кремния с переходом 2 припаивается к кристаллодержателю 4, являющемуся одновременно основанием корпуса. В диффузионных диодах переход образуется при высокой температуре диффузией примеси в кремний из атмосферы, содержащей пары примесного материала. [47]

Таким образом, сравнение различных типов диодов показывает, что наименьший заряд переключения имеют точечные диоды, в несколько раз большие значения Qn у сплавных диодов и еще больше у диффузионных. Подчеркнем, что указанное соотношение выполняется лишь в том случае, если все три типа диодов имеют одинаковое время жизни дырок в базе. Практически у диффузионных диодов удается получить минимальное значение тр, поэтому они могут иметь очень малую величину заряда переключения. [48]

При изготовлении плоскостного диода диффузионным способом используется диффузия акцепторной или донорной примеси из газовой жидкой или твердой среды ( фазы) в толщу пластины со слабо выраженной п - или р-электропроводностью. Например, на поверхность кремниевой пластины со слабо выраженной электронной электропроводностью методом вакуумного напыления наносится алюминий. После удаления ( травлением) ненужных частей пластины и создания омических контактов получают диффузионный диод. [49]

Типовые характеристики маломощного пентода. [50]

Электронно-дырочным переходом называют тонкий слой между двумя частями полупроводникового кристалла, в котором одна часть имеет электронную, а другая - дырочную электропроводность. Технологический процесс созадния электронно-дырочного перехода может быть различным: сплавление ( сплавные диоды), диффузия одного вещества в другое ( диффузионные диоды), эпитаксия - ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого ( эпитаксиальные диоды) и др. По конструкции электронно-дырочные переходы могут быть симметричными и несимметричными, резкими и плавными, плоскостными и точечными и др. Однако для всех типов переходов основным свойством является несимметричная электропроводность, при которой в одном направлении кристалл пропускает ток, а в другом - не пропускает. [51]

Из сравнения результатов, полученных для двух типов диодов из GaAs диффузионных и диодов с барьером Шоттки, можно видеть следующее. Значения т и в режиме без детектирования накачки, и в режиме с детектированием накачки для обоих типов приблизительно одинаковы, а динамическая добротность в обоих режимах для диффузионных диодов несколько больше. Из полученных результатов видно, что в диффузионных арсенидогаллиевых диодах в рассматриваемом диапазоне волн и токов процессы накопления неосновных носителей не вносят никакого вклада в величины динамических параметров. [52]

Часто измерения ведутся при напряжении с / обр - 5 в. При уменьшении напряжения емкость диода, которая почти полностью равна барьерной емкости р-п перехода, возрастает по закону ( U срк), где га - 1 / 2 для сплавных и п - 1 / 3 для диффузионных диодов. [53]

Зависимость от напряжения смещения на близких часто. [54]

Для исследуемых германиевых диодов на всем участке детектирования мощности имел место шум, избыточный над тепловым. В диффузионных диодах из GaAs, в отличие от диодов из Ge, протекание прямых токов детектирования не обязательно сопровождалось избыточным шумом. Избыточные шумы появляются только при больших прямых токах ( рис. 6) одновременно с появлением диффузионной емкости. [55]

Конструкция кремниевого диода. [56]

Основными методами получения р-п переходов для выпрямительных диодов являются сплавление и диффузия. Пластинка кремния с переходом припаивается к кристаллодаржателю, являющемуся одновременно основанием корпуса. К кристаллодержателю приваривается корпус со стеклянным изолятором, через который проходит вывод одного из электродов. В диффузионных диодах переход образуется при высокой температуре диффузией примеси в кремний. Конструкции диффузионных и сплавных выпрямительных диодов аналогичны. Маломощные диоды, обладающие относительно малыми габаритами и весом, имеют гибкие выводы, с помощью которых они монтируются в схемы. [57]

Диффузионные выпрямители с площадью перехода до 0 4 см2 могут работать при плотности тока в сотни ампер на квадратный сантиметр. Диод с площадью перехода 0 06 см2 пропускает ток в 10 а при падении напряжения 1 в. Хотя обратные токи диффузионных диодов и превосходят теоретическое значение для температуры до 100 С, но потери здесь невелики и по существу не влияют на эффективность выпрямления. [58]

Страницы: 1 2 3 4