Параметрический диод

Cтраница 1

Параметрический диод по своей конструкции близок к диодам и может использоваться в качестве вентиля. При применении его для тех целей, для которых он предназначен, его свойства как вентиля, однако, не используются, так как рабочая точка в этом случае лежит на обратном участке характеристики. Кремниевые стабилитроны в последнее время приобретают все большее значение в качестве ограничителей напряжения и стабилизаторов и поэтому должны быть рассмотрены в обзоре диодов, применяемых в измерительной технике. При рассмотрении этих диодов основной интерес представляют характеристики в области пробоя. За счет особо тщательных технологических мероприятий обеспечивается по возможности более крутой переход от участка характеристики, соответствующего насыщению, к участку пробоя. Кроме того, создаются такие условия охлаждения, что участок пробоя доходит до максимально возможного тока, сохраняя положительный угол на - клона характеристики. [1]

Параметрические диоды применяются для усиления свч колебаний. В них используется зависимость величины емкости диода от приложенного напряжения. [2]

Параметрические диоды предназначены для работы в параметрических усилителях. Усиление входного переменного сигнала получают, изменяя зарядную емкость р-п-перехода подачей на диод переменного напряжения, частота которого больше частоты усиливаемого сигнала. Усилительный эффект получают в результате передачи энергии от внешнего генератора в резонансную систему, настроенную на входную частоту. [3]

Параметрические диоды чаще всего используются в параметрических малошумящих усилителях. В таких усилителях эти диоды играют роль нелинейной емкости, изменяющейся под действием приложенного переменного напряжения. В параметрических усилителях СВЧ удается получить значительное усиление колебаний при малом уровне шумов. Умножителъные диоды, как показывает их название, применяют для умножения частоты. Поскольку диод является нелинейным прибором, то иногда с помощью модуляторных диодов осуществляют модуляцию колебаний СВЧ. [4]

Схема, поясняющая принцип действия параметрического диода. а - простейший одноконтурный усилитель. б - форма напряжения на контуре Uт и изменение параметрической емкости во времени. [5]

Параметрические диоды ( ПД) используются в качестве элемента с переменной емкостью. Такой режим работы позволяет использовать полупроводниковые диоды для генерации и усиления электрических колебаний вплоть до миллиметрового диапазона волн. Для вакуумных диодов указанный режим невозможен. [6]

Характеристики параметрических диодов. 1 - с плавным переходом ( диффузионный плоскостной диод. 2 - с резким переходом ( точечный, сплавной диод. [7]

Параметрические диоды предназначены для работы в параметрических усилителях. Их действие не связано с нелинейностью вольтамперной характеристики, а основано на зависимости емкости С3 от U в области отрицат. [8]

Для параметрических диодов, работающих на СВЧ, требуются монокристаллы с большой подвижностью электронов и дырок. Обычно их изготовляют из германия и кремния, но уже для этих целей начато освоение арсенида галлия. [9]

В параметрическом диоде повышенная подвижность и малая диэлектрическая постоянная GaAs приводят к следующему: произведение сопротивления на мощность будет меньше, нежели для германия и кремния, а следовательно, результат улучшен. [10]

Варикапы ( параметрические диоды) используют в качестве конденсаторов переменной емкости. Принцип действия варикапов основан на свойстве барьерной емкости при обратно смещенном переходе изменять свою величину в зависимости от приложенного напряжения. [11]

Характеристика некоторых типов параметрических, диодов. [12]

Для изготовления параметрических диодов применяются в основном германий, кремний и арсенид галлия, наилучшие результаты по верхнему частотному пределу дает арсенид галлия. В табл. 2.6 приведены характеристики некоторых типов параметрических диодов. [13]

При разработке параметрических диодов обычно стоит задача обеспечения определенной величины барьерной емкости. Поэтому для оптимизации параметров пленки полезно сравнить сопротивления потерь эпитаксиальных диодов с одинаковой барьерной емкостью, но отличающихся концентрацией примеси в пленке. [14]

Таким образом, параметрические диоды в этом диапазоне способны обеспечить чувствительность приемных устройств, близкую к пороговой чувствительности, определяемой шумами антенны и уровнем внешних шумов. [15]

Страницы: 1 2 3 4