Параметрический диод

Cтраница 3

На рис. 4.5 г приведена эквивалентная схема параметрического диода. [31]

Для этой цели применяются, главным образом, параметрические диоды, емкость которых изменяется под действием высокочастотного напряжения, создаваемого специальным генератором накачки. В оба контура подается напряжение накачки от одного и того же генератора накачки. В результате параметрического возбуждения колебаний в балластном контуре возникают колебания, фаза которых жестко связана с фазой колебаний, создаваемых генератором накачки. Фаза усиленных колебаний в приемном контуре зависит как от фазы принимаемых колебаний, так и от фазы колебаний накачки. Складывая или вычитая колебания в приемном и балластном контурах, можно получить результирующее колебание, в которое фаза колебаний накачки вообще не входит. [32]

Описанная технология мало чем отличается от технологии изготовления германиевых параметрических диодов. [33]

Совершенно новые возможности открывают такие типы диодов, как параметрический диод и кремниевый стабилитрон, появление которых стало возможным прежде всего с развитием производства монокристаллических диодов, преимущественно на основе кремния. [34]

В последние годы в качестве усилительного элемента широко применяется параметрический диод, принцип использования которого основан на свойстве р-я-перехода изменять свою дифференциальную емкость в зависимости от приложенного напряжения. Это объясняется тем, что здесь нет тепловых флуктуации зарядов, имеющихся в ламповых и транзисторных усилителях, использующих потоки носителей. Диод работает при обратносмещенном переходе. [35]

Впервые данный способ был использован В.Л. Ароно-вым при измерении L5 параметрических диодов. Для туннельных диодов измерения рекомендуется проводить при помощи измерительной линии ИКЛ-112 на частоте 2 Ггц при токе смещения 20 - 40 ма. [36]

Кроме ТД, для усиления колебаний свч все шире используются транзисторы и параметрические диоды. Для повышения рабочей частоты транзисторов постоянно изыскиваются способы уменьшения времени пролета носителей заряда между эмиттером и коллектором, уменьшения емкости коллекторного перехода и выходного сопротивления транзистора. При этом, как правило, необходимо уменьшать габариты транзисторного кристалла и одновременно улучшать тепло-отвод. Специальные корпусы для свч транзисторов позволяют значительно уменьшить паразитные реактивности токовводов. Наилучшие результаты достигаются при монтаже транзисторного кристалла непосредственно в полосковую линию: Для уменьшения времени пролета применяют материалы с высокой подвижностью носителей зарядов, например, арсенид галлия. [37]

В параметрических усилителях свч в качестве элементов с электрически управляемой емкостью используются параметрические диоды, или варакторы. В варакторах используется известное свойство обратно смещенного р-л-перехода - менять емкость при воздействии приложенного напряжения. Усилители данного типа обладают малыми шумами и потому позволяют существенно повысить чувствительность приемников свч. [38]

Схема однотактного преобразователя сдвига.| Схема двухтактного преобразователя. [39]

В современных передатчиках радиорелейной аппаратуры на транзисторах в качестве мощных смесителей применяются параметрические диоды - варакторы. Зти диоды, в отличие от обычных полупроводниковых диодов, принципиально дозволяют получить усиление модулированного сигнала при преобразовании частоты. [40]

В настоящей работе приведен расчет эффективности применения эпитаксиальных л - пленок в параметрических диодах, который сопоставляется с экспериментальными характеристиками диодов с контактом металл-арсенид галлия. [41]

В настоящее время промышленность выпускает не унифицированные приборы, а целый ряд групп параметрических диодов с различными параметрами, которые можно использовать для тех или иных практических схем. [42]

Если для обеспечения заданной чувствительности приемника необходимо применять каскад усилителя высокой частоты с параметрическим диодом, то до входа ииркулятора избирательных систем также не ставят. [43]

В книге широко освещены особенности расчета каскадов приемников на транзисторах, а также кристаллических, туннельных и параметрических диодах. [44]

Основным достоинством ПУ является низкий уровень шумов, что объясняется малым уровнем шумов самих параметрических диодов. [45]

Страницы: 1 2 3 4