Параметрический диод

Cтраница 2

Накачка поступает на параметрический диод через волновод 4 посредством ДРз, настроенного на частоту накачки. Диэлектрический резонатор ДР3 выполнен в виде прямоугольной пластины с отверстием. Через отверстие пропущен один из контактов диода. [16]

Конструкция варикапов ( параметрических диодов), используемых на СВЧ, должна удовлетворять общим требованиям, предъявляемым к таким диодам, их назначение - применение в параметрических усилителях. [17]

Статья посвящена исследованию параметрических диодов с контактом металл - арсенид галлия с однородной и эпитаксиальной базой. Проведен, с учетом поверхностных СВЧ потерь, расчет сопротивления диодов, который показывает преимущества использования эпитаксиальных пленок. Описаны метод получения эпитаксиальных пп - пленок GaAs с толщиной пленки 0 5 - 2 мкм я концентрацией примеси 5 - 1015 - 1017 см3 и результаты исследования свойств выпрямляющих контактов золото, серебро и никель на этих пленках. [18]

Охлаждение усилителя и параметрического диода является весьма эффективным средством уменьшения его коэффициента шума. [19]

Таким образом, в цепи параметрического диода возникают составляющие суммарной и разностной частот, подтверждающие процесс преобразования частоты. [20]

Естественно, что при использовании параметрических диодов в схемах с сосредоточенными параметрами их конструкция может быть аналогична конструкции обычных диодов, предназначенных для работы в этом диапазоне. [21]

Расчет физических параметров Со, Сп параметрического диода выполняется независимо от общего расчета преобразовательного каскада, для которого физические параметры служат исходными данными я поэтому заведомо известны. [22]

На основании простого рассмотрения эквивалентной схемы параметрического диода уже можно сделать вывод, что последовательное сопротивление rs и в этом случае должно отрицательно сказываться на свойствах параметрического диода по следующим причинам. [23]

Покажем, что в цепи с параметрическим диодом действительно имеет место преобразование частоты. [24]

Пояснение принципа действия параметрического усилителя. [25]

Конструкция варикапов, используемых на СВЧ ( параметрических диодов), должна, естественно, удовлетворять общим требованиям, предъявляемым к конструкции СВЧ диодов. [26]

Пояснение принципа действия параметрического усилителя. [27]

Конструкция варикапов, используемых на СВЧ ( параметрических диодов), должна удовлетворять общим требованиям, предъявляемым к таким диодам, назначение их - применение в параметрических усилителях. [28]

Приведены результаты измерения динамических параметров нескольких типов параметрических диодов. Показано влияние активного сопротивления внешней цепи на динамические параметры. Полученные результаты позволяют оптимально выбрать тип диода для конкретного устройства в зависимости от предполагаемого режима работы и от требований к стабильности устройства. Проведено измерение динамических параметров диода в режиме динамического пробоя. [29]

Этот метод наиболее удобен при измерении параметров параметрических диодов, так как позволяет определить динамическую добротность Q-AQ / 4, где AQ - приращение добротности в статическом режиме при изменении напряжения смещения в пределах, соответствующих экстремальным мгновенным значениям напряжения накачки на диоде в динамическом режиме. [30]

Страницы: 1 2 3 4