Совершенство - кристалл
Cтраница 1
Совершенство кристаллов, выращенных из растворов в расплавах солей, очень подробно не изучалось. [1]
Степень совершенства кристаллов зависит от картины теплового поля в зоне роста кристаллов, а следовательно, и от степени пересыщения пара над поверхностью растущих кристаллов, а также от точности поддержания температуры в процессе их роста. [2]
 |
Дислокационная картина в образце ца расстоянии 20 мм от затравки. Отр. 220, пл. ( Til. Ув. Х10. [3] |
Определение степени совершенства кристаллов, полученных по методу Чохральского с применением: методик, отличающихся только высотой слоя флюса, показали, что слитки существенно отличаются друг от друга. [4]
 |
Способы кристаллизации. [5] |
Скорость роста и совершенство кристалла в первую очередь определяется соотношением между составом среды и составом кристалла. Поэтому первым шагом в классифицировании способов получения кристаллов будет выделение способов получения кристаллов из чистых сред и способов получения из растворов, параллельно с разбиением методов на основании различий сред по их агрегатному состоянию. Движение атомов и молекул, характер взаимодействия между частицами ( постоянный, временный), порядок в расположении их различаются для разных агрегатных состояний. [6]
Поскольку теперь степень совершенства кристаллов, образующихся при изотермической кристаллизации, такая же или выше, чем степень совершенства кристаллов, образующихся при рекристаллизации рассмотренных выше образцов, рекристаллизация их не происходит. [7]
При выращивании из расплава совершенство кристалла во многом определяется формой поверхности роста. Последняя в свою очередь контролируется распределением тепловых потоков в кристалле, расплаве и окружающем пространстве. Поэтому знание процессов теплопередачи обязательно при выборе оптимальных условий кристаллизации в конкретной установке. [8]
Методами рентгеновской дифракционной топографии исследовано совершенство кристаллов GaP, выращенных по методу Чохральского, в зависимости от высоты слон флюса. [9]
Рентгеноструктурный анализ позволяет определять степень совершенства кристаллов, тип твердых растворов, величину микронапряжений. [10]
Немаловажным является вопрос о степени совершенства кристаллов. Известно, что кристаллы, выращенные в условиях, обеспечивающих достаточную чистоту и регулирование скорости охлаждения, содержат много дефектов, а последние, как будет показано позднее, оказывают влияние как на окисление, так и на каталитическую активность. В настоящее время предпринимаются попытки вырастить возможно более совершенные кристаллы и точнее определить влияние различного рода дефектов на каталитическую активность. [11]
В своем неустанном стремлении к совершенству кристаллов полупроводниковая промышленность преподносит нам иногда неприятные сюрпризы. [12]
 |
Молекула 1 - ( 2-бензотиазолилтиометил силатрана 54.| Молекула 1 - ( 8-хинолилтиометил силатрана 55. [13] |
Высокая точность результатов, обусловленная совершенством использованного кристалла и проведение дифрактометрического эксперимента при 130 К, позволяет считать их эталонными при сравнительном анализе молекулярной геометрии силатранов. [14]
С понижением температуры размер и степень совершенства кристаллов и гидратных сростков в солевых средах возрастают, что ведет к упрочнению цементного камня и одновременно к увеличению его пористости и проницаемости; щ щелочных электролитах ( особенно в КЩР) этот процесс идет медленно и постоянный рост прочности камня 3 - С25 не сопровождается увеличением его проницаемости; при отрицательных температурах это приводит к значительному увеличению долговечности камня в условиях замораживания-оттаивания. [15]
Страницы: 1 2 3 4