Совершенство - кристалл
Cтраница 2
Величина осевого температурного градиента в расплаве определяет совершенство кристалла. При достаточно высоком температурном градиенте в расплаве и в растущем кристалле область кристаллизации ограничивается сравнительно тонким слоем, и поверхность раздела между кристаллами и расплавом представляется почти идеально гладкой. При уменьшении температурного градиента в расплаве отчетливо проявляется стремление к октаэдрическои огранке, в результате чего возникает макромозаическая структура кристалла, которую можно сравнить с пачкой множества параллельно сложенных по оси кристалла тонких граненых карандашей. [16]
Кристаллизация найлона-6 под давлением может приводить к подобному совершенству кристаллов ( разд. [17]
Величина осевого температурного градиента в расплаве существенно определяет совершенство кристалла. При достаточно высоком температурном градиенте в расплаве и в растущем кристалле область кристаллизации ограничивается сравнительно тонким слоем, и поверхность раздела между кристаллом и расплавом представляется почти идеально гладкой. [18]
Интересное наблюдение было сделано [ 99] относительно зависимости степени совершенства кристаллов от времени кристаллизации при постоянной температуре. Однако температура пика плавления значительно увеличивается при увеличении времени кристаллизации и отжига. На основании этих данных было высказано предположение, что совершенствуется только структура поверхности кристаллов. Выравнивание поверхности кристаллов и конформа-ционное упорядочение цепей в поверхностном слое должны уменьшать поверхностную энергию кристаллов и соответственно повышать температуру плавления даже без увеличения степени совершенства самих кристаллов. [19]
С помощью рентгеноструктурного анализа возможно определение - степени совершенства кристаллов, типа твердых растворов, величины микронапряжений. [20]
Технологические методы производства полупроводниковых ИМС должны обеспечивать сохранение исходного совершенства кристаллов, для чего необходимо предусматривать - некоторые меры предосторожности по обращению с пластинами. Например, диффузию в кремний целесообразно производить от исходной концентрации ниже предела растворимости или равной пределу растворимости, но на небольшую глубину. Необходимо избегать также появления царапин и других механических повреждений поверхности пластин, которые влияют на диффузионное распределение примеси в кристалле. [21]
В природе существует несколько типов алмазов, различающихся степенью совершенства кристаллов и физическими свойствами. [22]
Кроме того, в этих работах получены надежные доказательства влияния совершенства кристаллов на кристаллизацию. [23]
При низких температурах теплопроводность твердых элементов сильно зависит от степени совершенства кристалла, наличия примесей и других дефектов. Значения X при температурах вблизи и ниже температуры, соответствующей максимуму теплопроводности, относятся к наиболее чистым и совершенным образцам. Для металлов приведены значения остаточного удельного электрического сопротивления р0 [ либо отношения р ( 300 К) / ро ], которые характеризуют качество образцов. [24]
Описываются результаты исследования зависимости интенсивности отражения рентгеновских лучей от степени совершенства кристаллов фокусирующих монохроматоров. Приводятся аналитические условия оценки оптимальных параметров мозаичности ( размер и угол разориентировки блоков), которым должен удовлетворять кристалл-монохроматор для получения максимальной интенсивности отражения. [25]
Рентгенограммы поучительны в том отношении, что они свидетельствуют о достаточном совершенстве кристаллов алюминия и о несовершенстве кристаллов окиси германия. Что во втором случае не тепловые колебания вызывают ослабление линий при больших углах рассеяния, а наличие дефектов в решетке и возникновение напряжений III рода следует из того, что окись GeO2, получаемая путем прокаливания германия на воздухе, дает сильные отражения и при больших углах. Поэтому причину указанных искажений решетки следует видеть в том, что окись содержала некоторое количество воды в той или иной форме. [26]
Температурная протяженность каждой из областей зависит от длины складки и степени совершенства кристаллов. [27]
И в этом случае наиболее вероятной причиной повышения активности является изменение совершенства кристаллов и наличие в них дефектов. [28]
 |
Теплота плавления3 кристаллов полиэтилена, выращенных из раствора. [29] |
Дж / г. Такое Е сокое значение теплоты плавления может быть объяснено увеличением совершенства кристаллов при кристаллизации при более высоких температурах. Увеличение совершенства кристаллов вызывает увеличение наклона прямой, что вследствие достаточно большого ин-тервалз. Введя соответствующи поправки на увеличение совершенства кристаллов, Фишер и Хинрихсе; [ 69] показали, что экстраполяция указанных данных также приводит к значению 293 Дж / гдля равновесной теплоты плавления. [30]
Страницы: 1 2 3 4