Совершенство - кристалл
Cтраница 3
На основе рассчитанных размеров и разориентации субзерен и рассчитанного разрешения делают вывод о совершенстве кристалла. [31]
Многие магнитные свойства - структурно чувствительны и сильно зависят и от поверхностного, и от объемного совершенства кристалла. [32]
Последнее из упомянутых в начале этого раздела осложнений в анализе по методу Аврами связано с повышением совершенства кристалла после того, как через него прошел фронт роста. Макроскопически это проявляется в медленном возрастании степени кристалличности. Совершенствование кристаллов - процесс, протекающий в твердом состоянии, и потому может быть описан с применением логарифмической временной зависимости. Для описания такого увеличения степени кристалличности нет причин использовать какую-либо из форм уравнения Аврами. Более детально процесс совершенствования рассмотрен в разд. [33]
Возможность эпитаксиального нарастания зависит не только от геометрического соответствия срастающихся плоских сеток, но и от степени совершенства срастающихся кристаллов, поверхностной структуры грани, температуры, давления и ряда других факторов. [34]
Связанное с этим процессом снижение молекулярного веса оказывает меньшее влияние на свойства образца по сравнению с возможным улучшением совершенства кристаллов. После совершенствования кристаллов обратимые химические реакции могут восстановить или даже увеличить исходную длину макромолекул. В этом разделе будут рассмотрены данные, касающиеся отжига в результате химических рекаций. До сих пор этой областью исследования пренебрегали, хотя она таит в себе большие возможности для улучшения макромолекуляр-ных кристаллов. [35]
Поскольку теперь степень совершенства кристаллов, образующихся при изотермической кристаллизации, такая же или выше, чем степень совершенства кристаллов, образующихся при рекристаллизации рассмотренных выше образцов, рекристаллизация их не происходит. [36]
Травление на ямки травления часто является удобным способом определения плотности дислокаций и в случае полупроводниковых материалов часто применяется для оценки совершенства кристаллов. Подобные ямки образуются тогда, когда скорость травления поверхности, пересекаемой дислокациями, меньше, чем скорость травления вдоль дислокации. В случае равномерной травимости материала по всем направлениям ямки имеют круговую симметрию и выпуклую поверхность; наиболее удобные для наблюдения ямки имеют резкие края; они образуются на поверхностях, характеризующихся минимальной по сравнению с другими скоростью растворения. Увеличение скорости растворения вдоль дислокации определяется главным образом степенью сегрегации примесей на дислокациях и энергией упругих. [37]
Понимание различных аспектов такой связи необходимо повседневно в практической деятельности и тех инженеров, которые на основании изучения свойств судят о чистоте и совершенстве кристаллов, и тех, для которых знание свойств позволяет правильно применять полупроводниковый материал в приборах. [38]
Подобно тому, как это имело место у многих других полупроводников, максимальная величина подвижностей электронов и дырок в теллуре благодаря постепенному повышению чистоты и степени совершенства кристаллов все время растет. [39]
Для иллюстрации влияния времени можно и не приводить примеров, ибо и без того хорошо известно, что от скорости образования новой фазы зависит как величина, так и совершенство кристаллов, а во многих случаях также и текстурные характеристики. [40]
Строгий контроль возможен потому, что затравка и выращенный кристалл видны во время выращивания, так что экспериментатор может визуально наблюдать за процессом роста и корректировать его, руководствуясь совершенством кристалла. Кроме того, при наличии ориентированных затравок легко осуществить выращивание в любом заданном направлении. Если нет затравки, легко вызвать спонтанное зарождение на проволоке ( фиг. Образующуюся поликристаллическую массу некоторое время наращивают, а затем ее диаметр уменьшают ( делают перетяжку) либо путем незначительного повышения температуры, либо путем увеличения скорости вытягивания. На практике увеличение скорости вытягивания трудно использовать для получения перетяжки, так как при этом затравка часто отрывается от расплава. В суженном кристалле граница раздела, как правило, формируется одним монокристалликом. Затем диаметр кристалла увеличивают, и в результате происходит рост монокристалла. В особо трудных случаях кристаллик необходимо отбирать из закристаллизованной в предварительном опыте поликристаллической массы и использовать его как затравку в последующих экспериментах. [41]
 |
Электронные микрофотографии отожженных поверхностей. [42] |
На рис. 3.75 показан такой же образец, как ц образец а, ко после отжига в печение 16 ч при температуре 132 С, видно, что длина складки изменяется незначительно, однако совершенство кристалла несколько улучшается, 6 - образец такой же, как и на рис, 3.75, после вторичного отжига е течение 13 v при температуре 134 5 С. Ламели стали существенно тонне и появляются признаки ах разрушения. [43]
В последнее время начали широко применяться методы ] Гвыра-щивания монокристаллов из высокотемпературных растворов ( которые часто называют растворами-расплавами), что связано с многими известными их достоинствами ( снижение температуры выращивания, снижение температурных напряжений в кристаллах, увеличение степени совершенства кристаллов и др.) - Однако преимущества этих новых методов могут быть реализованы лишь после решения ряда специфических задач, которые характерны для методов выращивания из растворов-расплавов, иначе, для ношотермических методов выращивания из растворов-расплавов, связанных с постепенным сравнительно медленным охлаждением материнского раствора. [44]
Выращивание обычно производится на затравках. Совершенство кристалла тем выше, чем меньше скорость роста; при выращивании из растворов скорость роста обычно составляет сотые доли миллиметра в час, так что процесс выращивания иногда длится месяцами. Малые скорости роста являются недостатком растворных методов из-за большой длительности процесса выращивания. [45]
Страницы: 1 2 3 4