Совокупность - кристалл
Cтраница 1
Совокупность кристаллов, наросших на породу плотно один к другому. [1]
Для совокупности кристаллов свободная энергия может быть получена следующим образом. Элементами совокупности являются кристаллы. Свободная энергия кристалла складывается из объемной и поверхностной свободной энергии. Свободная-же энергия совокупности кристаллов представляет собой сумму свободных энергий всех кристаллов и свободной энергии взаимодействия кристаллов друг с другом. [2]
 |
Дефекты в совокупностях кристаллов, выращенных на подложке. [3] |
Дефекты совокупности кристаллов ( дефекты 2 - й группы) являются преимущественно макроскопическими; к их возникновению могут привести и дефекты отдельных кристаллов, повторяющиеся во всех кристаллах совокупности. Так, например, слоистость отдельных кристаллов, закономерно повторяясь от кристалла к кристаллу, приводит к слоистости всей совокупности. Аналогично накопление дефектов отдельными кристаллами в процессе роста приводит к уменьшению их совершенства на поверхности роста. Несовершенства отдельных кристаллов совокупности создают несовершенство совокупности в целом. [4]
Поскольку рассматриваются совокупности кристаллов значительной толщины ( когда преобладающее значение имеют закономерности роста), то в первом приближении особенности на стадии зарождения можно проигнорировать. [5]
Аналогичное развитие совокупностей кристаллов происходит и в том случае, когда длина свободного пробега соизмерима с размером отдельного кристалла. Более сложен случай, когда длина свободного пробега ограничена размером грани кристалла. При этом перераспределение атомов между гранями кристаллов отсутствует. Поэтому существенным становится положение каждой грани относительно молекулярного пучка. [6]
При создании совокупностей кристаллов с заданными ориентировками во многих случаях примущество отдается методам, использующим молекулярные пучки. Это связано с тем, что с помощью этих методов можно создать условия, при которых направление оси собственной текстуры и направление молекулярного пучка совпадают. Поскольку направление молекулярного пучка может быть изменено, то и направление оси собственной текстуры может варьироваться в достаточно широких пределах. [7]
 |
Кристаллические решетки. [8] |
Сингония кристаллов - совокупность кристаллов, элементарные ячейки которых характеризуются одинаковыми кристаллографической системой осей координат и симметрией. Элементарные ячейки по признаку симметрии делятся на семь сингоний, каждая из которых характеризуется определенным соотношением между длинами ребер и углами между ними. [9]
Анализ закономерностей роста совокупностей кристаллов с точки зрения представлений об отборе не может рассматриваться как нечто новое, заменяющее или отвергающее все развитые ранее представления теории физики кристаллов и процессов кристаллизации. Эти представления объективны и реализуются во всех процессах роста кристаллов. Полная аналогия наблюдается и в биологии, где развитие органических форм изучается, с одной стороны, на молекулярном уровне, ja с другой - с точки зрения законов отбора. Оба подхода не противоречат, а дополняют друг друга. Исследование на молекулярном уровне позволяет углубиться в познание природы, а анализ на основе представлений Ъб отборе может быть использован для целей практики. В этом же плане следует рассматривать и представления об отборе при исследовании роста совокупностей кристаллов. [10]
При рассмотрении роста совокупности кристаллов выше предполагали, что подача вещества происходит с помощью молекулярных лучков, т.е. направленно. [11]
С повышением совершенства совокупности кристаллов 1 уменьшается. Уменьшение 17 в основном может происходить за счет уменьшения Uc и f / n - c так как п можно считать постоянной. Таким образом, наибольшее совершенство совокупности кристаллов, т.е. минимальное значение U, достигается при эпитаксиальном росте совокупности в условиях, соответствующих определенной собственной текстуре. Такие условия роста отвечают требованиям принципа пространственного согласования. [12]
Под совершенством структуры совокупности кристаллов понимается степень ее приближения к монокристаллу: бестекстурный поликристалл, поликристалл с аксиальной текстурой, поликристалл с ограниченной текстурой, поликристалл с совершенней ограниченной текстурой. [13]
Итак, при росте совокупности кристаллов из молекулярных пучков в результате естественного отбора образуются столбчатые кристаллы, направление роста которых совпадает с направлением молекулярного пучка. В таких совокупностях возможно развитие текстуры, причем тип текстуры может быть оценен априори. [14]
 |
Полюсные фтуры молибденовых покрытий толщиной 20 мкм. [15] |
Страницы: 1 2 3 4