Совокупность - кристалл
Cтраница 3
 |
Эффективный коэффициент распыления S вольфрама при его осаждении из хлоридов вольфрама в тлеющем разряде. [31] |
Одновременность протекания процессов осаждения и распыления при образовании совокупностей кристаллов является специфичным явлением для условий, когда среда ионизована тлеющим разрядом. Следует также иметь в виду, что в результате ионной бомбардировки в кристаллах растущей совокупности возникают локальные пересыщения поверх-ностного слоя дефектами межузельного типа, что должно способствовать возникновению неоднородных упругих напряжений сжатия в совокупности. В свази с этим рост кристаллов происходит в условиях воздействия сжимающих напряжений. [32]
Заслуживает внимания задача о прочности структуры, представляющей собой совокупность разноразмерных кристаллов, связанных одинаковыми по площади контактами / к const. Параметр т в данном случае изменяется в силу изменения размера кристаллов а, что также обусловливает неоднородность напряженного состояния в контактах. [33]
Прежде чем перейти к анализу закономерностей отбора при росте совокупностей кристаллов, попытаемся выяснить, в чем состоит отличие между совокупностями органических и неорганических форм. Пожалуй, принципиальным отличием является отсутствие наследственности для неорганических форм. В этом случае под наследственностью понимается передача приобретенных признаков от родителей к потомству, от одного поколения к другому. Для неорганических форм отсутствует понятие наследственности, так как они возникают не путем размножения. Нельзя сказать, что эта форма родительская, а это ее потомство. Иными словами, признаки неорганических форм не наследуются, а приобретаются каждый раз в процессе развития. Это очень легко просматривается на примерах интересующих нас совокупностей кристаллов. Их признаки или свойства не определяются признаками совокупности, которая была получена ранее. Для развития данной совокупности несущественны особенности развития подобных ей совокупностей, они развиваются независимо и можно сказать самостоятельно. [34]
Использование представлений о естественном отборе при росте боль ших совокупностей кристаллов позволяет в весьма наглядной форме проанализировать наиболее существенные закономерности их роста. [35]
На стадии роста происходит формирование всех структурных особенностей покрытий как совокупности кристаллов. Одной из часто наблюдаемых структурных особенностей является столбчатая форма зерен в покрытиях, что связывается с механизмом роста кристаллов в покрытиях. Однако представления о форме зерен из феноменологического рассмотрения не следуют; они могут быть получены из кинетических закономерностей роста. [36]
Текстура роста - это та текстура, которая возникает в совокупности кристаллов при воздействии всех факторов отбора, в том числе и при воздействии подложки. [37]
Хорошо известно, что подложка оказывает огромное влияние на свойства совокупностей кристаллов, получаемых в виде пленок и покрытий. Во многих случаях принято считать, что влияние подложки является определяющим фактором по крайней мере для тонких пленок. [38]
Таким образом, диффузионный поток как фактор отбора при росте совокупности кристаллов в ряде случаев может играть доминирующую роль. Воздействовать на этот фактор отбора можно только изменением температуры, что весьма ограничивает его универсальность. [39]
На примере веществ с кубической и гексагональной решетками можно показать, что совокупности кристаллов в огранкой плоскостями 110, 111 и 0001, 1011 обладают наименьшими значениями свободной энергии. [40]
Естественно возникает вопрос, существует ли понятие собственной) текстуры при росте совокупности кристаллов в процессах поверхностного насыщения материалов. Напомним, что под собственной текстурой понимается такая текстура роста, которая возникает при полном отсутствии влияния подложки. Если в процессе роста совокупности влияние подложки ослабевает ( практически так бывает всегда), то текстура роста непрерывно приближается к собственной текстуре. Преимущественные ориентировки, наблюдавшиеся в карбидных слоях насыщения на монокристаллах молибдена при относительно больших толщинах, по-видимому, являются собственными текстурами или близкими к ним. Очевидно, чт выявление собственных текстур в процессах насыщения-го-раздо более трудная задача, чем при свободном росте кристаллов. [41]
 |
Схема расположения каплеотбойника в рабочей камере. [42] |
Как правило, появление таких дефектов является свидетельством локальной неоднородности условий роста образующейся совокупности кристаллов. Неоднородность может быть локализована практически в точке, что приводит к образованию выроста в виде единичного кристалла, или в некоторой малой по сравнению с площадью подложки области, на которой развивается группа кристаллов, являющаяся групповым выростом. Поперечный размер групповых выростов составляет от десятка до нескольких десятков микрон. По своей форме вырост напоминает друзу кристаллов. [43]
Несколько слов необходимо сказать и по поводу среды, в которой происходит развитие совокупности кристаллов. Как и при развитии органических форм, влияние среды на развитие неорганических форм огромно. Можно без преувеличения сказать, что среда при росте совокупностей кристаллов играет определяющую роль. Под средой в процессах роста мы будем понимать все то, что находится вне границ растущей совокупности и может оказать влияние на закономерности ее роста. [44]
В заключение необходимо подчеркнуть, что изложенные закономерности отражают процессы естественного отбора при развитии совокупностей кристаллов. Естественный отбор производит природа, и человек не в силах изменить законы отбора. Однако он может использовать эти законы в своих интересах, производя искусственный отбор, подавляя при этом развитие нежелательных признаков и способствуя развитию и усилению требуемых признаков. [45]
Страницы: 1 2 3 4