Совокупность - кристалл
Cтраница 2
Наиболее наглядно процессы роста совокупностей кристаллов при соосаждении компонентов могут быть изучены при использовании молекулярных пучков, получаемых из разных источников. В [24] было показано, что при подаче материалов к поверхности роста совокупности кристаллов из разных источников под разными углами к, фронту роста направление роста кристаллов представляет собой векторную сумму двух векторов, которые по направлению совпадают с направлениями молекулярных пучков, а по модулю - с плотностью потока в них. [16]
Таким образом, при росте совокупности кристаллов в качестве факторов эволюции должны рассматриваться среда и отбор. В качестве среды выступает и подложка, так как в процессе роста устанавливается динамически целостная система, состоящая из подложки, растущей совокупности кристаллов и питающей эту совокупность среды. Эпитак-сия ( наследственный рост) является одной из форм проявления возди ствия среды на растущую совокупность кристаллов. [17]
 |
Собственные текстуры в хромовых покрытиях. [18] |
Возникновение в процессе роста двух совокупностей кристаллов с различной лабильностью ориентировок неоднократно наблюдалось и связывалось с различной дефектностью кристаллов в разных совокупностях. Однако причина возникновения различной дефектности остается невыясненной. [19]
 |
Эффективный коэффициент распыления S вольфрама при его осаждении из хлоридов вольфрама в тлеющем разряде. [20] |
Естественно, что и свойства совокупностей кристаллов подучаемых в разряде, изменяются; уменьшается их микротвердость, параметры кристаллической решетки. [21]
Назовем текстуры, которые возникают в совокупностях кристаллов в результате отбора только по энергетическому фактору, собственными текстурами. В каждой совокупности кристаллов в зависимости от условий роста может возникнуть несколько типов собственных текстур. Каждый из них соответствует определенному значению свободной энергии. [22]
При использовании наклонных молекулярных пучков в совокупностях кристаллов возникают ограниченные текстуры. При ненаправленной подаче материала покрытия ограниченные текстуры, как правило, не возникают, а наблюдается образование аксиальных текстур. [23]
Ионная бомбардировка поверхности подложки изменяет условия зарождения совокупности кристаллов в начальных стадиях. Повреждаемость же совокупности кристаллов в процессе ее роста приводит к изменению энергетического состояния. Катодное распыление примесных и основных компонентов может существенно повлиять на процессы отбора. Таким образом, зажигание тлеющего разряда может оказать существенное влияние на все три фактора эволюции. В настоящее время отсутствуют представления, позволяющие дать априорную оценку влияния тлеющего разряда на закономерности роста кристаллов при образовании покрытий. [24]
Теперь, когда установлены основные особенности роста совокупности кристаллов в среде, ионизованной тлеющим разрядом, можно выявить причины эвблюции этой совокупности, в, частности возможный механизм текстурообразования с учетом влияния на этот процесс ионизации среды. Возникновение той или иной преимущественной ориентировки в совокупности кристаллов связано с процессом отбора кристаллов, ориентированных наиболее благоприятным образом, и возможностью, роста в данных условиях. Это наблюдается в условиях, когда повреждаемость кристаллов совокупности в процессе роста отсутствует. [25]
Другой особенностью развития неорганических форм, в частности совокупностей кристаллов, является ограниченность их развития во времени. [26]
В настоящее время принято выделять три стадии роста совокупности кристаллов: зарождения коалесценции и роста. Ограничимся случаем, когда совокупность кристаллов возникает на некой материальной поверхности. Стадия зарождения характерна тем, что на этой поверхности образуются скопления атомов, расстояния между которыми близки к расстояниям между атомами в кристаллах. Когда эти скопления малы, они не являются устойчивыми образованиями. Всегда существует вероятность, что такое скопление распадается, а атомы либо войдут в состав другого скопления - зародыша, либо на их основе возникнет новое скопление. Нельзя было бы вырастить кристалл, если бы скопление атомов, достигшее определенного размера, не становилось устойчивым. Такое скопление атомов является устойчивым зародышем, который способен к дальнейшему росту. В связи с этим принято характеризовать зародыши критическим размером. Бели размер зародыша меньше критического, то он неустойчив и дальнейший его рост маловероятен; если - больше, то он устойчив и может развиваться. [27]
 |
Микроструктура многослойного покрытия из молибдена с текстурами ( 211ПШ ] ( а и ( 111 [ hkl ] ( б. [28] |
В, предыдущих параграфах были проанализированы примеры роста совокупностей кристаллов, в которых влияние подложки сводилось только к эпитаксиальному. Такие условия роста реализуются весьма часто. Однако не менее интересны закономерности роста совокупностей-у которых взаимодействие с подложкой сводится к чисто диффузионному. [29]
Начнем с того, что рассмотрим модель роста совокупности кристаллов, сопровождающегося диффузионным взаимодействием растущих кристаллов с подложкой. [30]
Страницы: 1 2 3 4