Содержание - посторонняя примесь
Cтраница 3
Алуядовое покрытие подогревателя является, как уже указывалось, примесным полупроводником. При рабочих температурах подогревателя его электропроводность сильно зависит от содержания посторонних примесей. Для дополнительного удаления примесей и повышения изоляционной способности покрытие подогревателя подвергают очистке, пропуская через него ток во время тренировки радиолампы. [31]
Опыт работы этих производств показывает, что в большинстве случаев нормальное проведение технологического процесса существенно зависит от того, насколько хорошо решена задача тонкой очистки газа или воздуха от аэрозолей. В качестве примера можно привести следующий: при получении некоторых полупроводниковых материалов содержание посторонних примесей не должно превышать одного атома на 100 млн. атомов основного материала. [32]
 |
Элементарный состав фенолов. [33] |
Приведенные данные показывают, что суммарные фенолы содержат незначительное количество посторонних примесей. Кроме того, следует отметить, что при вакуумной разгонке основной продукт - технический диметилрезорцин - получается более высокого качества, так как содержание посторонних примесей в этой фракции по сравнению с суммарными фенолами значительно уменьшается. [34]
С помощью вентиляции решается важная задача гигиены труда - поддержание воздушной среды помещения в состоянии, благоприятном для самочувствия, работоспособности и здоровья человека. Гигиенические требования к воздуху помещения в основном сводятся к созданию определенных метеорологических условий - температуры, влажности, скорости движения воздуха. Содержание посторонних примесей в воздухе не должно превышать предельно допустимых концентраций, установленных законодательством. [35]
Волос конский жесткий в обработанном виде должен быть жесткий прямой и упругий. Конский волос мягкий в обработанном виде должен быть значительно тоньше и мягче жесткого и менее упруг. Содержание посторонних примесей в волосе не должно превышать 2 % веса. [36]
ПОЛУПРОВОДНИКА СТАБИЛИЗАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ( semiconductor surface stabilisation; stabilisation do la surface de semi-conducteur; Stabilisierung der Halbleiter-Oberflache) - создание условий, при к-рых исключаются процессы, вызывающие изменение параметров поверхности ПП. При хранении и работе ПП прибора могут происходить изменения его параметров, обусловленные гл. Перемещение и изменение содержания посторонних примесей на поверхности влечет за собой изменение электрич. Во избежание этого необходимо очистить поверхность от посторонних примесей и защитить ее от воздействия окружающей среды с целью стабилизации. Не), причем следует иметь в виду, что часть процессов, протекающих при изменении темп-ры и относит, влажности, имеет большую постоянную времени. Время, требуемое для достижения равновесия, велико ( 48 час. Этот эффект в различной степени наблюдается в большинстве выпускаемых транзисторов и наз. Сборку приборов производят в камерах-скафандрах, в к-рых создается контролируемая газовая среда с пониженной влажностью. Однако, несмотря на тщательную герметизацию транзисторов, все же наблюдается дрейф их хар-к. Этот дрейф вызван изменениями поверхностного потенциала вблизи коллекторного и эмиттерного переходов. Для уменьшения 48-часового эффекта и улучшения стабильности целесообразно тщательно удалить влагу ( влаги в транзисторе должно быть меньше 1 - 2 - 10 - 3 мг, или точка росы должна быть не меньше 00) из герметичной оболочки прибора нагреванием его в течение неск. Для защиты поверхности ПП его покрывают лаком МБК-1, эпоксидной смолой. Метод защиты ПП от воздействия окружающей среды, основанный на образовании силиконовых полиморов непосредственно из мономеров на самой поверхности ПП, позволяет улучшить параметры и стабильность ПП приборов. [38]
ПОЛУПРОВОДНИКА СТАБИЛИЗАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ( semiconductor surface stabilisation; stabilisation de la surface de semi-conducteur; Stabilisierung der Halbleiter-Oberflache) - создание условий, при к-рых исключаются процессы, вызывающие изменение параметров поверхности ПП. При хранении и работе ПП прибора могут происходить изменения его параметров, обусловленные гл. Перемещение и изменение содержания посторонних примесей на поверхности влечет за собой изменение элсктрич. Во избежание этого необходимо очистить поверхность от посторонних примесей и защитить ее от воздействия окружающей среды с целью стабилизации. Не), причем следует иметь в виду, что часть процессов, протекающих при изменении темп-ры и относит, влажности, имеет большую постоянную времени. Время, требуемое для достижения равновесия, велико ( 48 час. Этот эффект в различной степени наблюдается в большинство выпускаемых транзисторов и наз. Сборку приборов производят в камерах-скафандрах, в к-рых создается контролируемая газовая среда с пониженной влажностью. Однако, несмотря на тщательную герметизацию транзисторов, все же наблюдается дрейф их хар-к. Этот дрейф вызван изменениями поверхностного потенциала вблизи коллекторного и эмиттерного переходов. Для уменьшения 48-часового эффекта и улучшения стабильности целесообразно тщательно удалить влагу ( влаги в транзисторе должно быть меньше 1 - 2 - 10 - 3 мг, или точка росы должна быть не меньше 60) из герметичной оболочки прибора нагреванием его в течение иеск. Для защиты поверхности ПП его покрывают лаком МБК-1, эпоксидной смолой. Метод защиты ПП от воздействия окружающей среды, основанный на образовании силиконовых полимеров непосредственно из мономеров на самой поверхности ПП, позволяет улучшить параметры и стабильность ПП приборов. [40]
Наиболее высокие требования к цвету, запаху и содержанию посторонних примесей предъявляются к сырью, используемому для выработки туалетного мыла. Переход к непрерывным методам варки и увеличение выпуска светлых концентрированных хозяйственных мыл сопровождаются повышением требований к. [41]
Остаток после прокаливания смачивают несколькими каплями концентрированной серной кислоты и прибавляют 10 мл фтористоводородной кислоты. Смесь выпаривают досуха и прокаливают при 600 С до постоянной массы. Отдельно определяют ( выпариванием и прокаливанием до постоянной массы) содержание посторонних примесей в 10 мл фтористоводородной кислоты и результат вычитают из массы тигля при втором взвешивании. [42]
Технология изготовления ферритов с ППГ является прецизионной. Обычно для получения ферритов с ППГ используют оксидную технологию. В исходных материалах ( оксидах железа и других металлов, углекислых солях) проверяется содержание посторонних примесей, которое ограничивается достаточно жесткими нормами. Затем из полученной смеси формуются изделия заданной конфигурации. [43]
Наиболее применяемой в промышленности щелочью является, вследствие своей дешевизны, известь. Материалом для ее производства служат известняки, имеющиеся в природе в больших количествах. Различные породы известняков в главной массе состоят из углекальциевой соли СаССК и отличаются друг от друга лишь содержанием посторонних примесей. [44]
Декстрин получается при нагревании крахмала с разбавленными кислотами. Выпускается трех сортов: высшего, 1 сорта и 2 сорта. Влажность декстрина допускается не более 5 %, кислотность - не более 50 для картофельного и 40 для кукурузного, содержание посторонних примесей ( механических) не допускается. [45]
Страницы: 1 2 3 4