Создание - омический контакт
Cтраница 1
Создание омического контакта через напыленную металлическую пленку широко применяется как в лабораторных, так и в зя-водских условиях. [1]
Создание омических контактов при исследовании физических явлений в полупроводниках представляет очень важную, однако крайне трудную задачу. Поскольку создание омического контакта не всегда возможно, то для того, чтобы исключить роль контактных явлений на результаты измерений, в физике полупроводников широко применяют компенсационные методы исследования, благодаря чему ток через контакт не проходит и, следовательно, контактные явления не сказываются на результатах измерений. [2]
Для создания омических контактов к соответствующим областям элементов фотоприемников используют вакуумное напыление металлов. В большинстве случаев для кремниевых приборов применяют алюминий. [3]
Для создания омических контактов к полупроводниковым приборам используют как чистые металлы, так и сплавы. Температуру плавления электродных сплавов для омических контактов выбирают несколько ниже температуры плавления электродных сплавов для получения р - п-переходов. [4]
Для создания омических контактов на поверхность полупроводниковой пластины наносят пленку металла с большой работой выхода электронов из металла - золота, никеля или серебра. [5]
Для создания качественного омического контакта к слаболегированной n - базе диода ее в месте контакта дополнительно легируют донорами с концентрацией - 1019см - 3 на глубину - 10 мкм. [6]
Для создания пленарных омических контактов на верхней поверхности структуры пластина снова окисляется и проводится фотолитография, позволяющая вскрыть окна под омические контакты базы и эмиттера. [7]
При создании низкоомных омических контактов, необходимых для работы генераторов Ганна, существуют два подхода. [8]
Золото для создания омического контакта с селеном не используют. Применяют висмут или никель, но не в виде отдельных пластин, а в виде тонких покрытий на алюминий, нанесенных в вакууме. Иногда за границей для маленьких вентилей вместо алюминия используют железную таблетку, покрытую никелем. [9]
Технологический процесс создания омического контакта состоит в следующем. [10]
В электрохимическом процессе создание омических контактов происходит за счет осаждения на катоде металла при пропускании между электродами тока, вызывающего восстановление соли в электролитической ванне. [11]
 |
Омический контакт при наличии промежуточного слоя полупроводника малого сопротивления.| Энергетическая диаграмма контакта электронных полупроводников разного сопротивления. [12] |
Такой металл непригоден для создания омического контакта. [13]
В технологии полупроводниковых приборов для создания омических контактов и для проведения процессов диффузии из жидкого сплава широко применяются двух - и многокомпонентные сплавы, являющиеся твердыми растворами выбранных компонентов. Количество сплава, идущего на один прибор, очень невелико ( порядка сотни миллиграмм), а основное требование, которому он должен удовлетворять, - это полная воспроизводимость заданного состава. При кристаллизации происходит изменение состава расплава, образованного двумя или несколькими-элементами, и получаемый слиток не обладает требуемой однородностью. Гомогенезирующий отжиг таких слитков может дать удовлетворительные результаты только за очень длительное время, неприемлемое в производственных условиях. [14]
Прямой способ определения пригодности метода припаивания для создания омических контактов заключается в том, что с помощью припоя контакты прикрепляются к любым концам слитка полупроводника и измеряется зависимость ток - - потенциал в любом направлении. [15]
Страницы: 1 2 3