Создание - омический контакт
Cтраница 3
Благодаря тому, что канал не соприкасается с поверхностью полупроводника, снижается уровень шумов, увеличивается подвижность дырок в канале и крутизна транзистора. Контактная га - область затвора, как и коллекторная контактная область биполярного транзистора, используется для создания омического контакта к более высоко-омному эпитаксиальному слою га-типа. Скрытый слой га - типа в структуре полевого транзистора необходим для уменьшения сопротивления области затвора и улучшения его частотных характеристик. [31]
Указанное явление подвергалось тщательному исследованию, в результате которого были найдены достаточно эффективные меры борьбы против пурпурной чумы. В частности, при изготовлении контактов можно делать соединение золотой проволоки с кремнием, оставляя слой алюминия лишь для создания омического контакта. [32]
Рассеивающая способность электролита достаточно велика. Так, например, если принять количество металла, осажденного на наиболее близком к аноду участке, за 100 %, то при увеличении расстояния на 10, 20, 30 мм на катоде осаждается 90, 86, 84 % индия, соответственно. Электролит рекомендуется для электроосаждения индия на германии для создания омического контакта р-типа и поверхностно-барьерного перехода л-типа. [33]
При изготовлении плоскостного диода диффузионным способом используется диффузия акцепторной или донорной примеси из газовой жидкой или твердой среды ( фазы) в толщу пластины со слабо выраженной п - или р-электропроводностью. Например, на поверхность кремниевой пластины со слабо выраженной электронной электропроводностью методом вакуумного напыления наносится алюминий. После удаления ( травлением) ненужных частей пластины и создания омических контактов получают диффузионный диод. [34]
Гетероструктура GaAs - Alx Ga, x As была изготовлена методом моле-кулярно-лучевой эпитаксии. Двумерный электронный газ в GaAs создавался за счет ионизации доноров в слое А1ж Ga, х As и был сосредоточен вблизи границы между А1х Са, х As и нижележащим слоем GaAs. Граница между верхним слоем GaAs ( выращенным с целью облегчить создание омических контактов) и Alx Ga, х As была обеднена свободными электронами за счет поверхностного потенциала. [35]
Быстрое развитие микроэлектроники приводит к необходимости разработки новых и совершенствования существующих технологических процессов производства дискретных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. При подготовке специалистов в области полупроводниковой технологии главное внимание прежде всего следует уделять анализу основных, наиболее существенных классов технологических процессов, которые являются общими в производстве различных типов полупроводниковых приборов и микросхем. К таким процессам относятся механическая, механо-химическая, физическая, химическая, электрохимическая и фотохимическая обработка поверхности полупроводников, формирование электронно-дырочных структур ( эпитаксия, диффузия, ионная имплантация), методы создания омических контактов к приборам, защита поверхности полупроводниковых приборов и стабилизация ее свойств. Именно такой принцип и положен в основу построения настоящего пособия. [36]
 |
Прямые ВАХ диодов в области больших ( а и малых ( б. [37] |
Для обеспечения механической прочности пластины ( во избежание поломки) толщина пластины должна быть более 150 - 200 мкм. Однако для ДШ с рабочим напряжением до 50 В толщина активной области кристалла не должна превышать 10 мкм. Выходом является конструкция на рис. 1.34 6, активный слой которой w - 2 - МОмкм, а сильнолегированная подложка с концентрацией доноров yVDi 5 - 1018 - f - 5 - 1019 см-3 имеет значительную толщину шп - около 200 мкм. Наличие такой подложки значительно снижает сопротивление г Б и облегчает создание омического контакта с металлом катода. [38]
 |
Конструкция структуры сплавного транзистора.| Конструкция структуры транзистора, изготовленного методом диффузии. [39] |
Конструкция сплавного кремниевого транзистора представлена на рис. 6.2. В исходной пластине n - типа выполнен паз для уменьшения толщины базовой области транзистора. Эмиттер-ный и коллекторный переходы получены в процессе сплавления алюминиевых навесок с кремниевой пластиной. Базовый контакт получен сплавлением навески сплава золота с сурьмой. Сурьма при рекристаллизации расплава задерживается в кристаллической решетке кремния и обеспечивает получение п - слоя и создание омического контакта к кремнию. [40]
В основе первого метода лежит получение в пластинке германия или кремния слоев противоположной проводимости за 2.1. счет вплавления металла или сплава с повышенным содержанием донорных или акцепторных примесей. Например, для изготовления переходов маломощных кремниевых диодов используются пластинка слаболегированного кремния w - типа и цилиндрический столбик алюминия. В процессе нагрева в вакуумной или водородной печи происходит диффузия алюминия в кремний, причем глубина проникновения контролируется по времени в зависимости от температуры. После охлаждения заготовки вблизи границы металл-полупроводник остается тонкий рекристал-лизованный слой р-типа с большой концентрацией алюминия ( до 10 см) и удельным сопротивлением ( 1 - 10) 10 - Ом.м. В противоположную сторону пластинки вплавляется золотая фольга для создания омического контакта. В дальнейшем полученный вентильный элемент подвергается химическому травлению, промывке и сушке с последующим нанесением защитного покрытия. [41]
Эпитаксией называется процесс наращивания монокристаллических слоев на подложку, используемую как несущая конструкция структуры. В наращиваемом слое сохраняется кристаллическая ориентация подложки. Эпитаксия позволяет выращивать слои любого типа проводимости и удельного сопротивления толщиной в несколько микрометров. Омические контакты с р - и я - областями кристалла создаются операциями металлизации. В кремниевых диодах для создания омических контактов широко используется алюминий. [42]
Это позволяет более наглядно представить принцип действия самого ключа и тех физических процессов, которые лежат в основе его работы. Схемотехническое описание базовой ячейки в виде эквивалентной электрической схемы позволяет учесть взаимное влияние полупроводникового ключа и устройства применения, сформулировать основные принципы управления данным прибором и способы его защиты. Наконец, сравнительный анализ разнообразных методов построения структуры ключей позволяет выделить их основные достоинства и недостатки и наметить направления и тенденции в развитии их новых и более совершенных типов. Структуры элементарных ячеек будут рассматриваться в виде сочетания переходов различных слоев кремниевого полупроводникового материала с электронной ( л) и дырочной ( р) проводимостью, представленных в поперечном сечении. По соотношению концентраций основных носителей в слоях л - и р - типа переходы делятся на симметричные и несимметричные. В случае резкой асимметрии, когда концентрации основных носителей различаются более чем на порядок, переходы называются односторонними и в структуре ячеек они будут обозначаться символами типар - л, р-п -, р - л - л - и т.п., где знаки и - указывают на высокую или, соответственно, низкую степень легирования полупроводникового слоя. Для подключения элементов структуры к внешним выводам и создания омического контакта используются металлизированные слои, а также слои поликристаллического кремния. [43]
Страницы: 1 2 3