Создание - омический контакт
Cтраница 2
Прямой способ определения пригодности метода припаивания для создания омических контактов заключается в том, что с помощью припоя контакты прикрепляются к любым концам слитка полупроводника и измеряется зависимость ток - потенциал в любом направлении. Наличие прямой связи между V и /, не зависящей от направления тока, указывает на существование омического контакта. [16]
 |
Схема объемного резистора. [17] |
Объемные резисторы ( рис. 5.8) изготавливаются путем создания омических контактов в двух тбчках однородного, равномерно легированного кристалла кремния. [18]
Преимуществом четырехзондового метода является то, что его применение не требует создания омических контактов к образцу и геометрия образца практически не влияет на результаты измерений. [20]
В книге дан анализ технологических процессов производства полупроводниковых приборов; рассмотрены вопросы создания омических контактов, защиты и стабилизации поверхности, особенности технологии конкретных типов и групп полупроводниковых приборов, их конструкции; изложены методы контроля технологических процессов и связь их параметров с выходными характеристика приборов. [21]
Уменьшение толщины области базы W ограничивается рядом причин и, в частности, необходимостью создания омического контакта с областью базы. Реальное значение W0 003 см. Длина диффузии неосновных носителей заряда Le в сильно легированном германии относительно мала. [22]
Контакт металл - полупроводник может быть использован не только в качестве выпрямляющего контакта, но и для создания омического контакта. В этом случае значения работы выхода металла и полупроводника должны быть по возможности близкими для того, чтобы высота барьера была минимальной. Тогда контакт будет иметь большую величину / нас, а следовательно, малое значение сопротивления при прямом и обратном смещении, что и требуется от омического контакта. Контакт с большим значением / нас можно также использовать в качестве стабилизатора тока, так как при обратном смещении ток слабо зависит от напряжения. [23]
Далее напыляют слой алюминия, фотолитографией получают рисунок по алюминию и проводят вжигание его ( без расплавления) для создания прочного омического контакта с р-областью. Такую технологию называют Планерной. [24]
Создание омических контактов при исследовании физических явлений в полупроводниках представляет очень важную, однако крайне трудную задачу. Поскольку создание омического контакта не всегда возможно, то для того, чтобы исключить роль контактных явлений на результаты измерений, в физике полупроводников широко применяют компенсационные методы исследования, благодаря чему ток через контакт не проходит и, следовательно, контактные явления не сказываются на результатах измерений. [25]
Предварительная подготовка пластин кремния аналогична описанной для термического окисления. Для создания омического контакта рабочую сторону пластины защищают лаком ХСЛ, а обратную подвергают химическому никелированию. [26]
Диффузия бора, имеющего меньшую скорость диффузии, чем алюминий, предназначена для получения высокой поверхностной концентрации акцепторов. Этим обеспечивается создание омического контакта с малым сопротивлением. [27]
Затем осуществляют имплантацию акцепторной и донорной примеси и окончательно формируют р - и г. - области, как это показано в каждой из базовых ячеек. Заключительной технологической операцией является напыление слоя металлизации и создание омических контактов к истоку, затвору и с обратной стороны подложки к стоку. Часть структуры, расположенной между областями затворов, называют областью канала. [28]
 |
Контакты металл - полупроводник р-типа.| Энергетические диаграммы контакта металл - высоколегированный полупроводник для создания омических контактов. [29] |
Обогащенный слой дает низкое сопротивление при любой полярности внешнего напряжения, приложенного к контакту. В связи с этим обогащение приконтактного слоя полупроводника носителями заряда имеет важное значение для создания невыпрямляющих омических контактов полупроводниковых приборов. [30]
Страницы: 1 2 3