Создание - микросхема
Cтраница 1
Создание микросхем начинается с подготовки полупроводниковых пластин. Диаметр пластин не превышает 150 мм, толщина около 0 5 мм, допустимый прогиб и отклонение от параллельности поверхностей не более 10 мкм по всему диаметру. Пластины характеризуются типом ( п или р) электрической проводимости ( электропроводности), удельным сопротивлением, а также кристаллографической ориентацией поверхности. [1]
Создание микросхем начинается с подготовки подложек. Они должны удовлетворять ряду требований: иметь высокую механическую прочность, хорошую теплопроводность, быть термостойкими, химически инертными к осаждаемым веществам, иметь хорошую адгезию к ним. [2]
Для создания резистивных и резистивно-емкостных микросхем применяют танталовую технологию и термическое испарение в вакууме в сочетании с процессами фотолитографии. [3]
Метод создания микросхем, названный методом дискретных элементов, быстро получил широкое распространение. [4]
При создании микросхемы приходится решать трудную проблему сокращения числа выводов. В представленном на рис. 1.18, а варианте с совмещением в общей микросхеме всех элементов микропроцессора ( ОУ, БМУ, УП) эта задача решается обычно путем мультиплексирования шин. [5]
При создании сложных микросхем для получения оптимальной топологии используют ЭВМ. [6]
В настоящее время наметились два основных направления в создании микросхем: пленочные схемы и твердые схемы, которые по сути дела отражают два различных метода изготовления функциональных блоков твердого тела. [7]
 |
Схема с общим эмиттером.| Схема с общим коллектором. [8] |
Основные направления в микроэлектронике определяются технологией, применяемой для создания микросхем. [9]
Однако основные направления в полупроводниковой электронике определяются технологическими методами создания микросхем. [10]
В процессе разработки РЭА наряду с использованием существующих возникает необходимость создания новых микросхем. В этом случае речь идет о микросхемах частного применения. Кроме того, непрерывно разрабатываются новые микросхемы широкого применения. [11]
В последнее время наряду с разработкой микросхем общего назначения широкое распространение получило создание сложных микросхем, в разработке и организации производства которых принимает участие как предприятие-заказчик, так и предприятие-исполнитель. [12]
При построении логических элементов на основе дополняющих МДП-транзисторов р - и л-типов возможно создание микросхем как положительной, так и отрицательной логики. [13]
Однако если использовать двухступенчатую схему изготовления фотошаблонов: генератор изображения - фотоповторитель, то процесс создания микросхемы значительно сокращается. В этом случае можно считать процесс автоматизации, проведенный наполовину. [14]
 |
Схемы инверторов на МДП-транзисторах. [15] |
Страницы: 1 2 3 4