Создание - микросхема
Cтраница 2
При построении логических элементов на основе дополняющих МДП-транзисторов с каналами р - и / г-типов возможно создание микросхем как положительной, так и отрицательной логики. [16]
 |
ГИС ИПФ с развязывающи - [ IMAGE ] ГИС двух-резонаторного ми каскадами. ИПФ на фазорасщепителе - транзи. [17] |
Для упрощения настройки ИПФ и облегчения согласования с электрическими цепями, в которых ИПФ должны использоваться, разработчики фильтров идут по пути создания частотно-избирательных микросхем. [18]
Основной задачей при проектировании всех ИМС, в том числе БИС, является разработка топологического чертежа, который дает необходимую информацию непосредственно перед технологическими этапами создания микросхемы. Как правило, процесс проектирования ИМС является очень трудоемким, поэтому особую важность приобретают поиски путей сокращения этапов и общей длительности этого процесса. [19]
Основной задачей при проектировании всех ИМС, в том числе БИС, является разработка топологического чертежа, который дает необходимую информацию непосредственно перед технологическими этапами создания микросхемы. Как правило, процесс проектирования ИМС является очень трудоемким, поэтому особую важность приобретают поиски путей сокращения этапов и общей длительности этого процесса. Одним из эффективных путей является проведение электрических и топологических расчетов на ЭВМ, а также физическое моделирование. [20]
Главный отличительным признаком и основной тенденцией прогресса - современной микроэлектроники является комплексная интеграция, понимаемая как интеграция технологических процессов, интеграция элементов на подложке, интеграция схемных функций в пределах единой структурной единицы, интеграция овых физических явлений и сведений из других отраслей знаний, интеграция методов проектирования и этапов процесса создания микросхем. [21]
Полупроводниковая интегральная микросхема представляет собой монолитное функциональное устройство, элементы которого изготовлены в одном объеме и ( или) на поверхности полупроводникового материала. При создании микросхемы отдельным микроучасткам полупроводникового материала путем специальной обработки придают свойства, соответствующие функциям активных ( диоды, транзисторы) и пассивных ( резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности) элементов. Размеры элементов измеряются единицами и десятками микрометров. Все элементы, созданные в кристалле полупроводникового материала, электрически изолированы друг от друга. Их соединение осуществляют частично в объеме кристалла, частично на поверхности защитного слоя. [22]
Основная трудность создания микросхем с пересечениями заключается в получении изолирующего слоя без сквозных пор, которые вызывают короткие замыкания между коммутирующими элементами в процессе изготовления и эксплуатации микросхемы. Такие поры могут быть образованы, например, твердыми микроскопическими частицами, выброшенными из испарителя, дефектами на поверхности подложки, а также за счет локального распада конденсата и диффузии металлических частиц во время эксплуатации микросхем. [23]
Проанализировав процессы создания микросхем Pentium и Pentium Pro, специалисты Intel обнаружили, что более 60 % проблем, с которыми сталкивались разработчики одного коллектива, на самом деле были уже решены вторым. Весьма вероятно, что со столь же многочисленными случаями пересечения или полного дублирования работ может столкнуться любая крупная проектная или производственная компания, чья деятельность связана с ручными процессами. [24]
 |
Структурная схема одноканальной системы управления двумя противофазными тиристорами. [25] |
В подобных системах управления преобразователями все шире используются серийно выпускаемые интегральные микросхемы общего назначения. Ведутся также работы по созданию специальных микросхем, реализующих отдельные узлы или полный канал системы управления в одном корпусе. [26]
Именно поэтому такие схемы и стали называть интегральными микросхемами. Очевидно, что совершенствование технологии создания микросхем позволяет уложить на единице площади все больше элементов и соединений между ними. Именно технология определила дальнейшее развитие вычислительной техники и следующие поколения компьютеров. Пока технология была еще несовершенна, микросхемы имели малую степень интеграции - порядка 10 транзисторов на схему. Микросхемы средней степени интеграции ( СИС) имеют до 100 транзисторов на схему. [27]
 |
Принципиальная схема эмиттерного повторителя. [28] |
ЦВМ связано с применением элементов СВЧ диапазона: па-раметрич. Эта задача решается на базе микроминиатюризации созданием тон-коплепочных микросхем и интегральных схем на принципах молекулярной электроники. [29]
ЦВМ связано с применением элементов СВЧ диапазона: па-рамотрич. Эта задача решается на базе микроминиатюризации созданием тон-копленочных микросхем и интегральных схем на принципах молекулярной электроники. [30]
Страницы: 1 2 3 4