Cтраница 3
Учитывая сказанное, можно сделать вывод, что однокристальные БИС с фиксированными соединениями целесообразно разрабатывать в случае использования их в изделиях, предназначающихся для массового выпуска. Между тем, есть и другой путь создания микросхем высокой степени интеграции - это метод базовой матрицы соединений. [31]
Голос, воспроизводимый автомобильным компьютером, записан в виде цифровых данных в одной из его микросхем. Эту запись выполняют на заводе, при создании микросхемы. [32]
С и приводит к образованию зерен размером 1 мкм, что резко ухудшает качество ВТСП пленки. Поверхность образцов, полученных данным методом, близка по качеству к полупроводниковым, что делает их перспективными для создания микросхем. Поскольку тонким ВТСП пленкам свойственна химическая неустойчивость ( молекулы бария взаимодействуют с парами воды и воздуха), для повышения стабильности их покрывают слоем оксида серебра. [34]
Диоды в полупроводниковых интегральных микросхемах изготовляют на основе тех же диффузионных ( эпитаксиальных) слоев и переходов, что и биполярные транзисторы. Поэтому на практике в качестве диодов принято использовать транзисторные структуры типа п-р - п, так как при создании микросхем транзисторы все равн необходимо формировать, а получение диодов таким путем значительно проще, чем если ( изготовлять специализированные диодные структуры. Это означает, что диоды и транзисторы формируются одновременно. Посколыку даоды изготовляют на одной пластине кремния вместе с другими элементами в едином технологическом процессе, возможности оптимизации их параметров ограничены. [35]
Подготовка специалистов по микроэлектронике предполагает изучение комплекса дисциплин, охватывающих различные вопросы проектирования, в том числе курсов Расчет и конструирование микроэлементов и микросхем, Моделирование полупроводниковых приборов и интегральных схем. Обзор существующей обширной литературы по отдельным вопросам проектирования микросхем указывает на отсутствие учебных пособий, в которых были бы отражены принципиальные стороны тех или иных задач, возникающих при создании микросхем, и выявлены внутренние взаимосвязи решаемых задач для микроэлектроники. [36]
В ряде случаев в микроэлектронике могут быть использованы и другие материалы для изготовления подложек. Это может быть связано, например, с необходимостью встраивания микросхемы в посадочное место прибора сложной конфигурации, с применением бескорпусной конструкции микросхемы с выводами, вмонтированными непосредственно в подложку, для создания микросхем с повышенной мощностью рассеяния. Наибольший интерес представляет фотоситалл и монокристаллические подложки. [37]
В последние годы быстрыми темпами развивается микроэлектроника, которая характеризуется созданием принципиально новых конструкций и открывает еще большие возможности микроминиатюризации радиоэлектронной аппаратуры. Элементы электрической схемы и узлы, выполненные методами микротехнологии, принято называть микросхемой. Создание микросхем является одним из направлений микроэлектроники. В микроминиатюрной радиоэлектронной аппаратуре широко используются тонкопленочные, интегральные полупроводниковые и гибридные схемы. Микросхемы могут содержать большое количество элементов, что позволяет разместить сложные электронные устройства на небольшом основании. Наряду с этим оказывается возможным значительно уменьшить паразитные емкостные связи между элементами схемы и повысить надежность их работы. [38]
По содержанию к охраняемым авторским правом программным продуктам близок еще один объект правовой охраны - топологии интегральных микросхем. Конечно, такой интеллектуальный продукт нельзя случайно обнаружить, проводя инвентаризацию активов. Ведь создание микросхем является основным видом деятельности высокотехнологичных специализированных предприятий. [39]
![]() |
Преобразование принципиальной электрической схемы усилителя ( а в коммутационную схему ( 6. [40] |
Далее решается задача оптимального размещения на подложке всех элементов микросхемы. При этом необходимо иметь в виду, что однозначного решения топологии микросхемы не существует, и разработчику приходится менять расположение элементов до тех пор, пока не будет найден оптимальный вариант, удовлетворяющий ряду конструктивно-технологических требований. Следует учитывать, в частности, что при создании сложной многоэлементной микросхемы появляется опасность возникновения паразитных связей и наводок между расположенными на одной подложке различными функциональными узлами. Так как интуитивная разработка топологического чертежа не всегда позволяет учесть все факторы, влияющие на работу микросхемы, для разработки топологических чертежей с успехом используются ЭВМ. [41]
С ростом сопротивлений резисторов R мощность уменьшается, но увеличивается площади элемента памяти и снижается быстродействие. Их можно получить на основе тонких ионно-легированных слоев с сопротивлениями порядка нескольких килоом на квадрат. Возможно использование поликремниевых резисторов, но это усложняет технологический процесс создания микросхем. [42]
Знания, которые накоплены в настоящее время в каждой отдельной области микроэлектроники, столь обширны, что быть специалистом по микроэлектронике вообще немыслимо. Приобрести глубокие специальные знания и практические навыки, творчески овладеть можно лишь какой-то одной областью. Это относится и к физике работы полупроводниковых приборов ( книга 1 данной серии), и к созданию микросхем различного конструктивно-технологического исполнения ( книги 2 - 5 серии), и становится особенно ясным, когда речь идет о микроэлектронных устройствах СВЧ. Специфика разработок и производства микроэлектронных устройств СВЧ связана с особенностями поведения электромагнитных волн этого диапазона в материалах конструкций и с особенностями технологии производства этих устройств. [43]
Использование энергии оптических квантовых генераторов открывает новые перспективы использования МОС в электронике. Этот метод позволяет проводить локальное осаждение металлических и диэлектрических пленок как с использованием масок, так и без них. Перспективными направлениями использования лазера в микроэлектронике являются получение проводящих дорожек, формирование электронно-дырочных переходов в полупроводниковых приборах, создание многослойных схем и создание объемных микросхем. [44]
Однако у машины со стековой организацией есть один недостаток: здесь требуется большое количество обращений к памяти. Более того, поскольку данная архитектура очень проста, ее можно реализовать в небольшом кусочке кремния, оставив большую часть пространства микросхемы свободной для кэш-памяти первого уровня, которая в дальнейшем сократит число обращений к основной памяти. Размер кэш-памяти picojava II составляет максимум 16 Кбайт 16 Кбайт, поскольку основной целью было создание дешевой микросхемы. [45]