Создание - переход
Cтраница 2
По способу создания р-п перехода импульсные диоды подразделяются на точечные, сплавные, меза - и планарно-диффу-зионные. [16]
 |
Объемный участок интегральной микросхемы с завершенными технологическими операциями. [17] |
Диффузия применяется для создания р-п переходов. От количества - внедренных примесей зависит электропроводность участков кристалла. Глубина диффузионного слоя не превышает 3 - 5 мкм. [18]
Шлюзовый аппарат необходим для создания перехода от нормального давления к повышенному и наоборот. [19]
 |
Полупроводниковая интегральная микросхема. а - структура. б - эквивалентная электрическая схема. [20] |
При изготовлении МОП-структуры не требуется создания изолирующего перехода. Требуемую для формирования этого перехода изолирующую диффузию нельзя провести без боковой диффузии, которая приводит к увеличению площади элемента. [21]
Среди новых методов, используемых для создания р-п переходов в транзисторных структурах, следует упомянуть вариант эпитак-оиального выращивания, когда рост 1ведется не из газовой, а из жидкой фазы, и использование для легирования областей полупроводника пучка ионов с относительно высокой энергией, внедряющихся в полупроводник при соударении с ним. [22]
Резкие переходы получают при сплавном методе создания перехода, плавные - с помощью диффузии. Наиболее распространенным методом получения / 7 - / г-переходов является диффузия. [24]
Наличие одновременно прямой и обратной диффузий при создании перехода коллектор - база позволяет использовать низ-коомный исходный германий. Это дает возможность создавать транзисторы с хорошими импульсными свойствами и высокими пробивными напряжениями на коллекторе без применения эпи-таксиальных пленок. [25]
Диффузионные процессы и процессы сплавления, используемые для создания р-п переходов на полупроводниковых материалах, могут проводиться в вакууме, инертной среде, вое становительной атмосфере и открыто - на воздухе. Атмосфера проведения процесса зависит от вида полупроводникового материала ( германий или кремний), состава электродного сплава или диффузанта, требований к качеству и повторяемости процесса. [26]
 |
Переход в режим Transition Effects.| Пане / iь управления режимом Transition Effects. [27] |
Теперь все готово для того, чтобы начать создание межкадроного перехода. [28]
В кристаллической структуре мощного диффузионного транзистора, хотя в ней для создания переходов не проводится сплавления, также могут возникнуть напряжения. Эти напряжения могут появиться в результате напайки кристалла на основание корпуса, так как при этом между точкой затвердевания припоя и комнатной температурой может иметься значительный температурный интервал. [29]
 |
Конструкция маломощного ( а и мощного ( б стабилитрона. [30] |
Страницы: 1 2 3 4