Создание - переход
Cтраница 4
При монтаже видеофильма отдельные его фрагменты должны быть соединены между собой. Процесс их соединения называется созданием межкадроиого перехода. Способов таких переходов известно множество - от простейшего соединения конца предыдущего фрагмента с началом следующего, до создания между ними всевозможных эффектов: наплывов, шторок и т.п. Межкадровый переход выполняет не только техническую роль связующего звена между двумя фрагментами, но иногда он является художественным элементом, придавая особый смысл сменяющимся кадрам. Поэтому в программах видеомонтажа обычно предусматривается достаточно большой набор всевозможных технических приемов для решения этой задачи. [46]
Так как GaAs имеет высокий коэффициент поглощения света, сужение запрещенной зоны при повышении температуры может привести к уменьшению доли полезно используемых высокоэнергетичных фотонов. Однако влияние этого эффекта в некоторой степени может быть ослаблено при создании мелкозалегающего перехода. [47]
Основой второго метода является диффузия примесного вещества в кристалл полупроводника. Например, при изготовлении вентильных элементов для силовых диодов используются диски ( диаметром до 100 мм) из кремния п - типа, на обеих поверхностях которых в процессе длительного нагрева ( до 1300 С) образуются тонкие слои противоположной проводимости за счет легирования алюминием, бором или галлием. Для создания переходов применяют также диффузию сурьмы или фосфора в кремнийр-типа. [48]
По этому способу сильно - и слаботочные шины размещают на двух сторонах диэлектрической платы, имеющей сквозные металлические переходы с одной стороны на другую, и отверстия в диэлектрической плате заполняют галлиевой пастой. Этот способ относительно прост в технологическом исполнении и практически может применяться в любом диэлектрике, так как не требует для термообработки температуры выше 150 С. Для создания переходов используют пасту, содержащую 64 % галлия, 34 % олова и 2 % серебра. Жизнеспособность готового клея - несколько часов. Свежеприготовленную пасту закладывают в отверстия диэлектрика и для улучшения смачиваемости поверхность пластины обрабатывают ультразвуком и проводят термообработку при 100 и 150 С. Таким способом были изготовлены платы с двухсторонней разводкой на ситалле и фотоситалле. [49]
Для получения меза-структур на германии с вплавленными в него навесками электродного сплава часто используют контролируемое травление без дополнительной маскировки отдельных участков. Травитель подбирают такого состава, чтобы он реагировал только с германием и не растворял электродного сплава. Этот метод травления меза-структур используют обычно для создания переходов с очень малой площадью. [50]
 |
Получение диэлектрической изоляции в полупроводниковых интегральных микросхемах. [51] |
Первый этап изготовления микросхемы - выращивание эпитаксиального слоя толщиной 12 - М 5 мкм и окисление поверхности пластины для создания маски, необходимой для проведения процесса диффузии. Толщина окисного слоя составляет примерно 1 мкм. Окисные слои на последующих операциях получаются одновременно с диффузией, проводимой для создания изолирующих переходов. Для получения окисного слоя во время диффузии ( на определенной стадии процесса) в систему вводят кислород или пары воды. Разделительная диффузия проводится на всю глубину эпитаксиального слоя. При формировании базовых областей транзисторов создаются резистор и диод. [52]
На практике легирующую примесь обычно вводят в жидкую зону в начальный момент, после чего зона разносит примесь по всей загрузке. Зонное выравнивание, проводимое с особым регулированием длины расплавленных зон и скорости их движения, позволяет получать особые типы распределения примесей в материале. Для изготовления полупроводниковых диодов или триодов иногда требуется создание более резких изменений концентрации примесей или соотношений концентраций примесей ( создание переходов), различающихся по своему электрофизич. [54]
Из данных табл. 16 - 3 видно, что более высокими свойствами отличаются печатные схемы, изготовленные на фольгированных основаниях. Затем следуют печатные схемы, изготовленные способом переноса. Пониженные свойства показывают испытания схем, изготовленных способом химического и электролитического осаждения. Возможность создания перехода с одной стороны на другую, свойственная этому способу, не дает никаких преимуществ при современных конструкциях печатных схем, у которых печатный монтаж размещается на одной стороне, а другая сторона основания используется для крепления навесных деталей. [55]
Как указывалось выше, многокаскадный термоэлемент позволяет получить перепад температур значительно больший, чем однокаскадный. При этом, однако, уменьшается холодопроиз-водительность термоэлемента. В ряде приборов, где тепловая нагрузка на термоэлемент невелика, широко используются двухкас-кадные термоэлементы. При конструировании их основные задачи сводятся к осуществлению токоподвода ко второму каскаду и созданию электроизоляционного перехода между горячими спаями второго каскада и холодным спаем первого каскада. Создание токоподводов для питания второго каскада термоэлемента - весьма ответственная задача, так как токоподвод должен удовлетворять двум исключающим друг друга условиям. С одной стороны, он должен обладать достаточным сечением, чтобы в нем не выделялось в значительном количестве Джоулево тепло, которое будет создавать вредную тепловую нагрузку на термоэлемент, и, с другой стороны, токоподвод должен обладать большим тепловым сопротивлением, чтобы свести к минимуму приток тепла через него из окружающей среды к термоэлементу. [56]
Страницы: 1 2 3 4