Создание - переход
Cтраница 3
В технологии изготовления стабилитронов используют сплавной, диффузионный, диффузионно-сплавной и другие методы создания переходов. [31]
В технологии изготовления стабилитронов используются сплавной, диффузионный, диффузионно-сплавной и другие методы создания переходов. Наиболее распространен сплавной метод, обеспечивающий получение резких переходов. [32]
 |
Межкадровые переходы. [33] |
Над счетчиком расположена схема, которая показывает, как взаимно располагаются фрагменты при создании перехода. При изменении времени изменяется взаимное расположение фрагментов. Длина фрагментов пропорциональна их действительной продолжительности. Существует еще один способ изменения длительности межкадроиого перехода. Нужно захватить мышью изображение одного из фрагментон и перетащить его в нужную сторону. Производимое перемещение отображается па взаимном расположении фрагментов, а также на счетчике. [34]
Основное назначение оборудования, о котором идет речь в этой главе, - проведение термических процессов для создания р-п переходов. Именно эти процессы и определяют все требования к описываемому оборудованию. [35]
Геометрия переходов транзистора не так проста, как это показано на фиг, 3 - 6, но этот вопрос и способы создания переходов широко разбираются в литературе и здесь рассматриваться не будут. [36]
 |
Переход от прямоугольного волновода к круглому типа плавник. [37] |
Если размеры круглого волновода достаточно велики для распространения волны ТЕоь то по нему могут распространяться и многие другие виды колебаний, в связи с чем создание перехода на такой волновод с прямоугольного волновода представляет значительные трудности. Один из методов его осуществления заключается в постепенном изменении поперечного сечения прямоугольного волновода, так чтобы конфигурация поля в нем приближалась к конфигурации поля нужного вида колебаний. При другом методе цилиндрический волновод связывают по узкой стенке прямоугольного двумя отверстиями связи, расположенными друг от друга на расстоянии полволны. В ряде модификаций этого метода используется четыре отверстия или более; число их выбирается достаточно большим для того, чтобы нежелательные виды колебаний не возбуждались. Так как вид колебаний ТЕ01 является вырожденным по отношению к виду ТМП в круглом волноводе, то для его подавления 0 торцевой стенке прорезают четвертьволновую канавку. [38]
Рабочая температура в печи поддерживается на уровне 900 - 12000С, температура уходящих дымовых газов 650 - 700 С - такая температура на выходе из печи обеспечивается созданием перехода расплавленных зольных элементов в твердое состояние. Для поддержания температуры на уровне 650 - 700 С в печи предусмотрено водяное орошение дымовых газов. [39]
Рабочая температура в печи поддерживается на уровне 900 - 1200 С, температура уходящих дымовых газов 650 - 700 С - такая температура на выходе из печи обеспечивается созданием перехода расплавленных зольных элементов в твердое состояние. Для поддержания температуры на уровне 650 - 700 С в печи предусмотрено водяное орошение дымовых газов. [40]
Исходным полупроводниковым материалом при изготовлении силовых кремниевых вентилей служит монокристаллический кремний с электронной проводимостью. Для создания р-п перехода в пластинку, вырезанную из такого монокристалла, вводятся легирующие элементы ( примеси) - бор, алюминий, фосфор и др., которые сообщают слою полупроводника дырочную проводимость. [41]
Для легирования кремния применяются фосфор, мышьяк и бор. Для создания р-п переходов применяются алюминий и свинец. К сожалению, в настоящее время эти элементы еще не получаются необходимой высокой степени чистоты. [42]
Но никакая, даже самая точная и аккуратная сборка не обеспечит выпуск надежного прибора, если р-п переход изготовлен некачественно. Вопросам создания р-п переходов и защиты их от окружающей атмосферы уделяют еще большее внимание и предъявляют более жесткие требования, чем сборке. Изготовление р-п переходов ведут при высоких температурах, что увеличивает физико-химическую активность полупроводникового материала; атомы неконтролируемых примесей проникают в толщу полупроводника и парализуют р - п переход. Если термообработку проводят в недостаточно очищенной от влаги и кислорода атмосфере, на поверхности полупроводника образуется тонкая пленка окиси, которая препятствует равномерному проникновению легирующих примесей в полупроводниковую пластину, что приводит к получению приборов с неправильной геометрией р - п переходов. Точное соблюдение геометрии переходов особенно важно при изготовлении высокочастотных транзисторов, так как в них расстояние между переходами измеряется микронами. Отсюда вытекают и те высокие требования, которые предъявляют к термическому оборудованию и газам. [43]
 |
Альтернативные ветви. [44] |
В общем случае SFC-схема выполняется сверху вниз. Стандартом допускается создание переходов на произвольный шаг. Для этого применяются соединительные линии с промежуточными стрелками или поименованные переходы. То есть переход выполняется на шаг, имя которого указано под стрелкой. [45]
Страницы: 1 2 3 4