Cтраница 3
Недостатки, связанные с введением фоторезиста в вакуумную систему, можно избежать, применяя для создания защитного негативного рельефа другие легко растворимые материалы. Но в этом случае необходимо ввести дополнительную операцию, а именно, осаждение пленки, из которой должен быть создан защитный негативный рельеф методами обычной фотолитографии. О таком способе сообщается в работе Мэрфи [131], который использовал пленку ЕН2О3, полученную реактивным распылением. Этот окисел имеет хорошее сцепление со стеклом и легко растворяется в 1 % - ном растворе хлористоводородной кислоты. [31]
Один из выпускаемых в США позитивных фоторезистов ( табл. 5) AZ-I350 подходит для создания рельефов с тонкими линиями в тонких слоях. AZ - I35OH подобен AZ - I35O, но имеет более высокое содержание сухого вещества и дает более толстые слои; пригоден Для создания рельефа с элементами 2 5 мкм, рельеф отличается минимальным подтравли-ваиием. Резист Micro-Image Isofine и растворы для его обработки фильтрованы через поры 0 2 мкм, при проекционной технике - до 2 мкм; имеет хорошую адгезию к 81ОЙ, AI, Сг, Си и другим металлам; устойчив к травителям. Резист Microftne, PR-102 перед иаиесеиием фильтруется через поры 0 25 мкм; пригоден для создания рельефов с размерами элементов 2 5 мкм. [32]
Один из выпускаемых в США позитивных фоторезистов ( табл. 5) AZ-1350 подходит для создания рельефов с тонкими линиями в тонких слоях. AZ - 135OH подобен AZ - 135O, но имеет более высокое содержание сухого вещества и дает более толстые слои; пригоден для создания рельефа с элементами 2 5 мкм, рельеф отличается минимальным подтравли-ванием. Резист Micro-Image Isofine и растворы для его обработки фильтрованы через поры 0 2 мкм, при проекционной технике - до 2 мкм; имеет хорошую адгезию к S1O2, А1, Сг, Си и другим металлам; устойчив к травителям. Резист Microline, PR-102 перед нанесением фильтруется через поры 0 25 мкм; пригоден для создания рельефов с размерами элементов 2.5 мкм. [33]
По сравнению с солями диазония большинство указанных оние-вых солей несравненно более термически стабильны ( например, соли триарилсульфония устойчивы до 300 С), что позволяет дольше хранить готовые композиции и предварительно очувствленные пластины, не вводя стабилизаторов; при фотолизе они не дают пузырьков газа и тем самым проколов в слое; наконец, кислоты Бренстеда более активны в качестве катализаторов, чем кислоты Льюиса BF3, SbCls, AsF5, образующиеся из соответствующих солей диазония. Поэтому удается фотополимеризовать в слоях и в объеме ранее трудно структурируемые лактоны, эпоксиды, циклические эфиры, сульфиды, виниловые и другие соединения, что открывает перспективы создания новых высокопрочных полимерных рельефов для полиграфии и радиоэлектроники. [34]
Внедрение твердых частиц капсулируемого вещества в монолитные полимерные объекты основано на качественном различии совмещаемых компонентов в твердости или неограниченной совместимости капсулируемого вещества с полимером в расплавленном состоянии. Внедрение жидкости в пленку возможно двумя способами: путем ее растворения в поверхностном слое при нагревании с последующим расслаиванием образовавшегося студня при охлаждении или модификацией физической структуры поверхностного слоя, созданием рельефа из микроячеек, способных выполнять функции защитных оболочек для жидкости. [35]
Операции технохимической обработки в настоящее время являются наиболее часто повторяющимися в производстве изделий полупроводниковой электроники. Основное назначение операций - очистка различных деталей и полуфабрикатов ( например, пластин полупроводниковых материалов) от органических и ионных загрязнений; частичное или полное удаление слоев с поверхности; растворение части материала пластины для создания заданного рельефа. [36]
Эти слои, называемые жертвенными или сдираемыми, приформовываются к деталям в процессе их изготовления таким образом, чтобы не было сквозной пропитки реактивным связующим. Сдираемый слой на поверхности ПКМ принимает на себя избыток ( до 25 %) связующего на ней, содержащего много воздушных включений, защищает ПКМ от повреждений и загрязнений во время производственных операций после формования детали, способствует созданию шероховатого рельефа. При формовании деталей с применением намотки сдираемый слой может выполнять функции создающего давление элемента за счет термической усадки. Прочность клеевого соединения повышается, иногда на 30 %, после дополнительной струйной обработки эпоксидного углепластика, с соединяемых участков которого была снята полиамидная ткань. [37]
Использование рельефа обогащает композицию. Здание, размещенное на рельефе, позволяет организовать в разных уровнях технологические процессы, которые не желательно совмещать, например прием больных и движение посетителей. Бывает целесообразно, при соответствующем обосновании, создание искусственного рельефа, однако при этом следует избегать излишних перепадов планировочных отметок. [38]
Асбестоцементные изделия, применяемые для декоративного оформления фасадов зданий, кровельных покрытий, внутренней отделки зданий и сооружений, декорируют различными способами. Отделку асбестоцементных изделий производят либо в процессе формования, либо после их затвердевания. В процессе формования декорирование изделий производят путем введения в состав формовочной массы белых или цветных цементов, минеральных пигментов, нанесения на поверхность формуемых изделий водных цементно-пигментных суспензий, создания рельефа на поверхности изделий при прессовании, офактуривания поверхности прокаткой на валках и другими способами. После затвердевания изделий их декорируют окраской ( красками и эмалями), полировкой, покрытием полимерными пленками, полиэфирным асбопластиком, древесным шпоном, бумажно-смоляными пленками и другими материалами, имитирующими различные породы дерева, ткань, камень. [39]
Кратковременное экспонирование композиции, достаточное для превращения хинондиазида в инденкарбоновую кислоту, дает после щелочного проявления нормальное позитивное изображение. После десятикратной экспозиции через тот же контактный шаблон и последующего кратковременного облучения всего слоя первоначально засвеченные участки уже не способны растворяться в щелочи в отличие от остального слоя, что при щелочном проявлении дает негативное изображение оригинала. Это происходит потому, что нитрон при длительном фотолизе сшивает компоненты слоя, что приводит к эффекту обращения. Разработка рекомендована для создания очень контрастных рельефов в микроэлектронике. Подложкой служит слой висмута толщиной примерно 150 мкм с оптической плотностью 4, напыленной в вакууме на пленку поли-этилентерефталата толщиной 0 1 мм. Травитель - 12 % - ный раствор РеС13, содержащий 1 % лимонной кислоты. [40]
Один из выпускаемых в США позитивных фоторезистов ( табл. 5) AZ-I350 подходит для создания рельефов с тонкими линиями в тонких слоях. AZ - I35OH подобен AZ - I35O, но имеет более высокое содержание сухого вещества и дает более толстые слои; пригоден Для создания рельефа с элементами 2 5 мкм, рельеф отличается минимальным подтравли-ваиием. Резист Micro-Image Isofine и растворы для его обработки фильтрованы через поры 0 2 мкм, при проекционной технике - до 2 мкм; имеет хорошую адгезию к 81ОЙ, AI, Сг, Си и другим металлам; устойчив к травителям. Резист Microftne, PR-102 перед иаиесеиием фильтруется через поры 0 25 мкм; пригоден для создания рельефов с размерами элементов 2 5 мкм. [41]
Один из выпускаемых в США позитивных фоторезистов ( табл. 5) AZ-1350 подходит для создания рельефов с тонкими линиями в тонких слоях. AZ - 135OH подобен AZ - 135O, но имеет более высокое содержание сухого вещества и дает более толстые слои; пригоден для создания рельефа с элементами 2 5 мкм, рельеф отличается минимальным подтравли-ванием. Резист Micro-Image Isofine и растворы для его обработки фильтрованы через поры 0 2 мкм, при проекционной технике - до 2 мкм; имеет хорошую адгезию к S1O2, А1, Сг, Си и другим металлам; устойчив к травителям. Резист Microline, PR-102 перед нанесением фильтруется через поры 0 25 мкм; пригоден для создания рельефов с размерами элементов 2.5 мкм. [42]
Ее можно повысить снижением ускоряющего напряжения, что соответствует теоретической зависимости распределения энергии электронного излучения от ускоряющего напряжения. Экспонирование на металлических подложках также подтверждает влияние природы подложки на распределение энергии излучения в резисте. По данным ДТА и ТГА, в интервале 150 - 170 С происходит структурирование полимера, разложение начинается при температуре выше 200 С, а полностью полимер деструктирует при 350 С. На основе этих результатов для предварительной термообработки рекомендован интервал температур 100 - 130 С, для доотверждения - 170 - 190 С, когда протекает дополнительное сшивание. Резисты этого типа были успешно испытаны для создания рельефов с размером элементов 1 - 3 мкм. [43]
Ее можно повысить снижением ускоряющего напряжения, что соответствует теоретической зависимости распределения энергии электронного излучения от ускоряющего напряжения. Экспонирование на металлических подложках также подтверждает влияние природы подложки на распределение энергии излучения в резисте. По данным ДТА и ТГА, в интервале 150 - 170 С происходит структурирование полимера, разложение начинается при температуре выше 200 С, а полностью полимер деструктирует при 350 С. На основе этих результатов для предварительной термообработки рекомендован интервал температур 100 - 130 С, для доотверждения - 170 - 190 С, когда протекает дополнительное сшивание. Резисты этого типа были успешно испытаны для создания рельефов с размером элементов 1 - 3 мкм. [44]
Идея рельефа очень удобна для программного осуществления графической модели. Трансформация формы с помощью рельефной разработки произвольной конфигурации осуществляется путем создания на дисплее соответствующего плоского изображения. Сначала на экране в нужном масштабе вычерчивается плоская конфигурация. После редакции изображения следует операция помещения этой конфигурации в выбранную для него плоскость объема. Для этого используется стандартная программа аффинного преобразования плоского изображения. Наконец, с помощью специальной подпрограммы плоское изображение выдвигается на нужную величину или вдвигается в глубь формы. При необходимости создания развитого рельефа ( контррельефа) с различной глубиной расположения элементов необходимо повторное обращение к данной процедуре. [45]