Изготовление - интегральная схема
Cтраница 1
Изготовление интегральных схем ( 1C) представляет собой цепь технологических процессов, которые могут повторяться много раз. Изготовление микросхемы начинается с кремниевой пластины, имеющей сверхвысокую чистоту и диаметр от 4 до 12 дюймов. [1]
Методы изготовления интегральных схем позволяют получить резисторы постоянного и переменного сопротивления. Величина сопротивления такого резистора определяется удельным сопротивлением, длиной и площадью сечения этой области материала основания и постоянна в широких пределах приложенного напряжения. Номинальное значение сопротивления достигает 40 ком; резисторы обладают небольшим температурным коэффициентом и малым уровнем шумов. На монокристалл наносится тонкий слой полупроводника противоположной основанию проводимости. На границе двух слоев образуется р - n - переход, в результате которого ток протекает только по тонкому поверхностному слою. Такие резисторы обладают большой стабильностью и хорошими шумовыми свойствами. Номинальная величина сопротивления резистора достигает 5000 ом. При необходимости может быть получено несколько поверхностных резисторов на одном основании, имеющем отдельные участки, которые изолированы друг от друга прорезными канавками. [2]
Технология изготовления интегральных схем, позволяющая объединять в одном кристалле более 100 тыс. транзисторов. [3]
При изготовлении интегральных схем процесс повторяют многократно на разл. [4]
При изготовлении интегральной схемы на пластинку из полупроводникового материала наносятся последовательно слои примесей, диэлектриков, напыляются слои металла. Для каждого нового слоя используется своя технология нанесения и свой рисунок расположения деталей. В результате на одном кристалле одновременно создается несколько тысяч транзисторов, конденсаторов, резисторов и диодов, соединенных проводниками в определенную схему. Например, микросхема часов Электроника размещена на кремниевом кристалле толщиной 0 5 мм и размерами 4X3 6 мм. В этой микросхеме содержится около 3000 транзисторов. Размеры отдельных элементов микросхемы могут быть 2 - 5 мкм, погрешность при их нанесении не должна превышать 0 2 мкм. [5]
При изготовлении интегральных схем применяют различные по своей природе технологические операции, отличающиеся различным вкладом в создание изделий определенного качества и с определенным процентом выхода. [6]
При изготовлении интегральных схем их пассивные компоненты ( резисторы и емкости) изготовляются одновременно с активными компонентами ( транзисторами и диодами) и межсоединениями. Индуктивности в современных монолитных схемах почти не используются. [7]
 |
Буферный элемент без инверсии ( а. действие буферного элемента без инверсии. [8] |
Поскольку технология изготовления интегральных схем хорошо подходит для производства микросхем с внутренней структурой повторяемой плоской поверхности, микросхемы памяти являются идеальным применением для этого. С появлением больших микросхем маленькие микросхемы не всегда устаревают из-за компромиссов между преимуществами емкости, скорости, мощности, цены и сопряжения. Обычно самые большие современные микросхемы пользуются огромным спросом и, следовательно, стоят гораздо дороже за 1 бит, чем микросхемы небольшого размера. [9]
В ходе изготовления интегральной схемы обычно приходится использовать несколько фотомасок и выполнять, соответственно, несколько по существу одинаковых технологических операций. Однако число операций здесь примерно такое же, как и при изготовлении дискретного планарно-эпитаксиального транзистора, а число одновременно изготовляемых из одной пластины схем может быть достаточно велико, поэтому стоимость производства унифицированных И С сравнима со стоимостью производства дискретных транзисторов. [10]
Разработана технология изготовления интегральных схем, позволяющая размещать на 1 см2 поверхности пластинки, вырезанной из монокристалла кремния, десятки тысяч транзисторов и сопротивлений, связанных друг с другом в единую схему. [11]
Современная технология изготовления интегральных схем выдвигает требования воспроизведения размеров элементов в 1 и менее мкм на рабочем поле диаметром 50 - 80 мм. Реализация предельных параметров оптико-механического оборудования в фотолитографии в значительной степени зависит от конструктивных параметров системы фотошаблон - подложка, которые в свою очередь зависят от плоскостности фотошаблона и подложки и метода контактирования. [12]
Разработана технология изготовления интегральных схем, позволяющая размещать на 1 см2 поверхности пластинки, вырезанной из монокристалла кремния, десятки тысяч транзисторов и сопротивлений, связанных друг с другом в единую схему. [13]
Наибольшее распространение при изготовлении интегральных схем получила так называемая планарная технология [1, 2], в основе которой лежит метод контролируемой диффузии примесей в локальных областях кремниевой пластины. [14]
В книге рассмотрены методы изготовления интегральных схем, вопросы разработки приборов на эффекте Ганна, возможности использования гетеропереходов и пленочной технологии. Описаны планарная, эпитаксиальная и электроннолучевая технологии изготовления интегральных схем. Дан анализ новых физических явлений, которые все шире используются в современной полупроводниковой электронике. [15]
Страницы: 1 2 3 4