Cтраница 3
Рассмотрим отдельные операции технологического процесса на примере изготовления интегральной схемы регистра сдвига, включающей в свой состав 9 транзисторов и 14 сопротивлений ( рис. VI. [31]
Технология формирования тонкопленочного транзистора очень сходна с технологией изготовления интегральной схемы. [32]
Создание кремниевых фотоприемников допускает возможность использования технологических приемов изготовления интегральных схем. [33]
Идея группового метода стала очень широко использоваться при изготовлении интегральных схем, что иллюстрирует рис. 14.1. Здесь реализуется возможность технологической интеграции компонентов на одной подложке. Суть интеграции состоит в том, что на исходной пластине ( см. рис. 14.1, а) вместо отдельных транзисторов одновременно изготавливается множество ИС, каждая из которых содержит все компоненты ( резисторы R, диоды VD, транзисторы VT, указанные на рис. 14.1 6, в), необходимые для построения функционального узла. [34]
Значительное внимание в книге уделено методам автоматизированного проектирования и изготовления интегральных схем. [35]
![]() |
Зависимость толщины d стеклообразных пленок Ge25Se75 т времени травления т в водном растворе NH3. [36] |
В ряде случаев халькогениды мышьяка не применимы в технологии изготовления интегральных схем, так как мышьяк является хорошей донорной примесью для кремния. [37]
Для получения более полного представления о механизме отказов и особенностях изготовления интегральных схем в процессе анализа механизма и вида отказов основное внимание необходимо уделять следующим проблемам [2]: технике осуществления соединений внутри корпуса, выбору материалов для металлизированных соединений, образованию при сборке нежелательных компаундов и других интерметаллических соединений, конструктивному оформлению интегральных схем. [38]
Наибольшее распространение получили потенциальные полупроводниковые элементы, позволяющие применять современную технологию изготовления интегральных схем. В данной главе рассматривается только эта трупа элементов. [39]
Этот процесс с практической точки зрения представляет особый интерес для технологии изготовления интегральных схем. [40]
![]() |
Иозляции элементов ИС с помощью высокоомной подложки. [41] |
Пластина в таком виде готова для дальнейшей обработки в обычном технологическом процессе изготовления интегральных схем. [42]
Дефектность защитной маски фоторезиста является одной из основных причин появления брака при изготовлении интегральных схем. [43]
Лазерные интерферометры с диапазоном измерения до 200 мм уже используют в микроэлектронике при изготовлении интегральных схем. Для нанесения элементов интегральных схем необходимо проводить их покадровое проекционное впечатывание на подложку. При этом каждый следующий кадр должен впечатываться после перемещения подложки на строго определенный размер. От точности перемещения зависит совмещение элементов, а также максимальный размер подложки. С использованием двухкоорди-натного лазерного интерферометра удалось примерно в 10 раз точнее, чем раньше, контролировать перемещение столика с подложкой. [44]
В интегральных схемах этот вопрос решается значительно проще, тем более, что технология изготовления интегральных схем позволяет использовать поверхности эмиттеров и коллекторов одновременно для целой группы транзисторов. [45]