Изготовление - интегральная схема
Cтраница 2
Наиболее сложно в процессе изготовления интегральных схем установить выводы для подключения их к другим устройствам. Для этого все точки интегральных схем, которые должны иметь внешние выводы, соединяют тонкими золотыми или алюминиевыми проволочками с контактами на корпусе, в который помещают всю интегральную схему. Эта операция очень тонкая, поэтому выполняют ее под микроскопом. [16]
При современной промышленной технологии изготовления интегральных схем получение полупроводниковых структур с нужной геометрией не представляет труда. [17]
Фотопластины для получения голограмм и изготовления интегральных схем. [18]
МП характеризуются: полупроводниковой технологией изготовления интегральных схем, составляющих МП, их кол-вом; архитектурой ( логич. [19]
Диффузия проводится на различных стадиях изготовления интегральных схем, свойства пластин значительно меняются, поэтому необходимо регистрировать параметры пластин перед диффузией. Удельное сопротивление, тип проводимости и плотность дислокаций выборочно контролируются на отдельных пластинах - свидетелях. В соответствии с заданными характеристиками статистического контроля остальная масса пластин не подвергается контролю, а просматривается их сопроводительный лист. [20]
Подробно это технологическое направление проектирования и изготовления интегральных схем рассмотрено в настоящей книге. [21]
Рассмотрим кратко специфические особенности конструирования и изготовления СВЧ интегральных схем. Интегральные схемы СВЧ диапазона, в отличие от микроминиатюрных СВЧ схем, реализуются из элементов, органически связанных между собой. [22]
 |
Схемы диодного включения интегрального транзистора с диэлектрической изоляцией. [23] |
В зависимости от конструкции и технологии изготовления интегральной схемы различают бескорпусные диоды и диодные сборки, применяемые в гибридных интегральных схемах, и диоды, используемые в полупроводниковых интегральных схемах. [24]
 |
Структуры пленарных тиристоров. [25] |
Основным из них является упрощение технологического процесса изготовления интегральной схемы с тиристорными структурами при выборе способа изоляции отдельных элементов. Изолирующий p - n - переход, создаваемый путем тройной диффузии, исключает необходимость в изолирующих окисных пленках между отдельными структурными элементами интегральной схемы. [26]
Описаны планар-ная, эпитаксиальная, электроннолучевая технологии изготовления интегральных схем, а также методы изоляции, герметизации и конструктивного оформления таких схем. Рассмотрены физические явления, которые в ближайшее время могут найти применение в полупроводниковой электронике. [27]
Как следует из рассмотрения обоих видов технологии изготовления интегральных схем, полупроводниковые интегральные схемы являются наиболее подходящими для выполнения законченных функциональных устройств, в то время как тонкопленочные схемы в основном служат для функционального объединения пассивных электронных элементов. Однако эти различия не разделяют, а скорее дополняют оба эти направления микроэлектроники, так как полупроводниковые схемы могут хорошо сочетаться со схемой, выполненной на основе пленочных элементов и соединений. Гибридные пленочные схемы с навесными полупроводниковыми блоками в настоящее время конкурируют с твердыми интегральными схемами, обладая такими же широкими возможностями в отношении надежности, плотности упаковки, рабочих характеристик и др. Решающим фактором здесь пока является стоимость изготовления. [28]
Как следует из рассмотрения обоих видов технологии изготовления интегральных схем, твердые интегральные схемы являются наиболее подходящими для выполнения законченных функциональных устройств, в то время как тонкоиленочные схемы в основном служат для функционального объединения пассивных электронных элементов. Однако эти различия не разделяют, а скорее дополняют оба эти направления микроэлектроники, так как полупроводниковые схемы могут хорошо сочетаться со схемой, выполненной на основе пленочных элементов и соединений. [29]
Страницы: 1 2 3 4