Сопротивление - коллекторный переход
Cтраница 1
Сопротивление коллекторного перехода снижается пропорционально возрастанию тока инжекции. В результате инжекции ток коллектора может возрасти на 4 - 5 порядков, а сопротивление коллектора соответственно на 4 - 5 порядков снизиться. [1]
 |
Схема включения транзистора типа п-р - п. [2] |
Сопротивление коллекторного перехода будет большое ( коллектор включен в обратном направлении), поэтому ток в цепи коллектор - база ничтожно мал. Под действием этого поля электроны из эмиттера устремляются к тонкой р-области базы. [3]
 |
Статические характеристики триода р-п - р, включенного по схеме с общим эмиттером. [4] |
Сопротивление коллекторного перехода гк, исчисляемое сотнями или тысячами ом. [5]
Сопротивление коллекторного перехода гк согласно ( 4 - 24) тоже обратно пропорционально току / э, но существенно зависит и от напряжения UK, а именно пропорционально V if к - С ростом UK от 1 до 10 - 20 В сопротивление гк должно было бы увеличиться в 3 - 4 раза. Однако этот эффект обычно маскируется поверхностными утечками, а также ударной ионизацией в коллекторном переходе. В результате сопротивление гк оказывается меньше ожидаемого значения и с ростом UK даже уменьшается. [6]
Уменьшение сопротивления коллекторного перехода независимо от его причины приводит к увеличению напряженности электрического поля Е ( г) при гг2, чем обеспечивается эффективное притяжение дырок к коллектору. [7]
 |
Эквивалентная Т - образная схема транзистора, включенного по схеме ОЭ. [8] |
Уменьшение сопротивления коллекторного перехода в схеме ОЭ объясняется тем, что в этой схеме некоторая часть напряжения мк э приложена к эмиттерному переходу и усиливает в нем инжекцию. Вследствие этого значительное число инжектированных носителей приходит к коллекторному переходу и его сопротивление снижается. [9]
При сопротивлениях коллекторных переходов транзисторов VT16, VT17 около 200 МОм необходимо иметь Ли. [10]
Это увеличивает сопротивление коллекторного перехода гк в дрейфовых транзисторах до нескольких МОм. Барьерная емкость Ск значительно меньше, чем в сплавных транзисторах. [11]
Температурная зависимость сопротивления коллекторного перехода гк определяется главным образом изменением времени жизни неосновных носителей. Как правило, сопротивление гк максимально при комнатных температурах. [12]
 |
Эквивалентная схема каскада ОЭ. [13] |
В этой схеме сопротивление коллекторного перехода моделируется одной лишь емкостью Ск, поскольку время исследования / С ГКСК. [14]
Ск - параллельно сопротивлению Йк коллекторного перехода. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5