Сопротивление - коллекторный переход
Cтраница 4
После окончания входного импульса ток коллектора некоторое время продолжает нарастать, так как база транзистора заполнена избыточными неосновными носителями и сопротивление коллекторного перехода продолжает оставаться малым. Когда концентрация неосновных носителей базы вблизи коллекторного перехода становится близкой к нулю ( выход транзистора из насыщения), ток коллектора прекращает рост. [46]
Увеличим напряжение U, тогда электроны, образующиеся в и-области эмиттера, переходят на коллектор, коллекторный ток возрастает, а сопротивление коллекторного перехода значительно уменьшается. [47]
 |
Основные схемы включения транзисторов и их ламповые аналоги. а -. с общей базой. б - с общим эмиттером. в - с общим, коллектором. г - составного транзистора. [48] |
При отрицательном полупериоде и, потенциальный барьер qt - увеличивается, число дырок, перемещающихся от эмиттера к коллектору, уменьшается, сопротивление коллекторного перехода увеличивается, а напряжение на нагрузке уменьшается. [49]
 |
Эквивалентная схема каскада с общим эмиттером для высоких частот. [50] |
Здесь Сн - внешняя емкость нагрузки; RK - омическое сопротивление внешней нагрузки в цепи коллектора; С к - емкость коллекторного перехода; г к - сопротивление коллекторного перехода; емкость эмиттерного перехода, шунтированная малым тэ, в эквивалентной схеме опущена. Введением постоянного запаздывания та аппроксимируем существенно неминимально-фазовый характер частотных характеристик транзистора, вызванный конечным временем движения носителей через базу. [51]
В работах [1, 2] дается качественное описание переходного процесса и выделяются три характерных этапа: этап рассасывания, этап спада анодного тока ( регенерации) и этап восстановления сопротивления коллекторного перехода. [52]
Когда транзистор закрыт, конденсатор С, заряженный в предыдущем цикле работы, медленно перезаряжается от источника Ек через обмотку шб и далее - через включенные параллельно резистор R и сопротивления коллекторного перехода и обмотки шк. В этом случае основной ток перезаряда проходит через резистор R и частота генерирования не зависит от параметров транзистора. [53]
Если база ни с чем не будет соединена, в коллекторной цепи появится очень слабый ток ( десятые доли миллиампера), так как при такой полярности включения батареи Бк сопротивление коллекторного перехода окажется очень большим; для коллекторного перехода это будет обратный ток. [54]
Наиболее удобной для рассмотрения работы транзистора в области низких частот является Т - образная эквивалентная схема, показанная на рис. 5.4. Эта схема образована тремя сопротивлениями: сопротивлением эмиттерного перехода гэ, сопротивлением коллекторного перехода гк и сопротивлением базовой области гб. [55]
Если tn - время жизни электронов в р-слое значительно меньше Тр - времени жизни дырок в исходном германии электронной проводимости, то плотность обратного тока через переход может значительно увеличиваться при любом повышении пр, а сопротивление коллекторного перехода будет понижаться. [56]
 |
Физическая эквивалентная схема транзистора. [57] |
Это сопротивление, как и динамическое сопротивление полупроводникового диода, включенного в прямом направлении, в зависимости от режима имеет значения от единиц до десятков ом; гб - сопротивление базы для переменного тока примерно равно сопротивлению базы для постоянного тока г б и составляет несколько сотен ом; гк - дифференциальное ( динамическое) сопротивление коллекторного перехода, смещенного в обратном направлении, оно составляет сотни тысяч ом. [58]
 |
Эквивалентная схема каскада 3 ( а и каскада 5 ( б, изображенных на. [59] |
Транзистор в них представлен Т - образной схемой замещения. Сопротивление коллекторного перехода гк не учитывается, поскольку оно обычно много больше сопротивлений внешней цепи. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5