Сопротивление - коллекторный переход
Cтраница 3
Сопротивление нагрузки R3 и выходное сопротивление транзисторного переключателя ( сопротивление закрытого коллекторного перехода гк1) шунтируют внутреннее сопротивление двухполюсника. [31]
Дифференциальное выходное сопротивление повторителя тока на биполярном транзисторе определяется сопротивлением коллекторного перехода, соответствующего включению транзистора по схеме с ОБ. [32]
Поскольку сопротивление прямосмещенного эмиттерного перехода мало по сравнению с сопротивлением обратносмещенного коллекторного перехода, то и мощность управления по входной эмиттерной цепи оказывается намного меньше мощности, циркулирующей в выходной цепи, содержащей коллекторный переход. Именно с этим обстоятельством связаны в конечном счете усилительные свойства транзистора. [33]
У дрейфовых транзисторов т может быть больше; гк - сопротивление коллекторного перехода; Ск-емкость коллекторного перехода; гэ - сопротивление эми-терного перехода; / Э0 - постоянная составляющая тока эмитерного перехода; Сэ - диффузионная и переходная емкость эмиттера; Гб - сопротивление базы. [34]
При этом потенциал базы транзистора Г3 повышается, что вызывает увеличение сопротивления коллекторного перехода транзистора Т и понижение выходного напряжения стабилизатора. При снижении выходного напряжения до некоторого минимального значения происходит срыв генерации релаксационного генератора и сопротивление коллекторного перехода транзистора Т вновь резко уменьшается, повышая выходное напряжение стабилизатора. [35]
Возрастание тока коллектора за счет тока эмиттера можно объяснить тем, что сопротивление коллекторного перехода зависит от тока эмиттера. Действительно, пусть в эмиттерном переходе нет значительного тока. Тогда область коллекторного перехода имеет большое сопротивление, так как основные носители зарядов удаляются от этого перехода и по обе стороны от него создаются области, лишенные основных носителей. [36]
Очевидно см. формулу ( 11) ], что шунтирующее - действие Сопротивления коллекторного перехода гк будет уменьшаться при увеличении рабочей частоты. На рис. 5 приведены экспериментальные зависимости / zi21 / со f ( / э), снятые при различных частотах. [38]
 |
Схема каскада инверторов инжекционных транзисторов.| Схема ИЛИ-НЕ на И2Л инверторах.| Схема организации проводного И на ИгЛ инверторах без дополнительного разветвления выходов. [39] |
Если базу соединить с общей точкой, то коллекторный переход оказывается зашунти-рованным и сопротивление коллекторного перехода возрастает, что соответствует разомкнутому ключу. Напряжение Ua при разомкнутой цепи коллектора неопределенно и зависит от нагрузки, подключенной к коллектору, и ее характера. При закороченной цепи эмиттер-база через базу транзистора п-р - п протекает ток / б a2jv / H, где UZN - коэффициент передачи по току транзистора р-п - р при нормальном включении, а / я - ток, протекающий в цепи инжектора. [40]
 |
Выходное характеристики транзистора МП41 для схемы с ОБ. [41] |
Для большинства транзисторов сопротивление открытого эмиттер-ного перехода га имеет порядок десятков ом, сопротивление закрытого коллекторного перехода гк - порядок сотен килоом. [42]
Оба напряжения соизмеримы, так как обычно сопротивление нагрузки выбирается близким по величине к сопротивлению коллекторного перехода. [43]
На низких частотах наиболее интенсивной составляющей является так называемый полупроводниковый шум, пропорциональный напряжению на коллекторе и сопротивлению коллекторного перехода. С повышением частоты становятся более существенными составляющие теплового шума, сопротивления базы, дробовые шумы эмиттера и коллектора, а также шумы распределения тока между коллектором и базой. Эти составляющие шумов имеют спектр, равномерно распределенный по частоте. [44]
 |
Временные диаграммы. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5