Сопротивление - толща
Cтраница 1
Сопротивление толщи в одном и том же кристалле может различаться потому, что если дуга случайно возникает на каком-нибудь выступе кристалла, к истинному г прибавляется еще сопротивление этого выступа. Конечно, ясно, как было указано в статье [3], что чем больше сопротивление толщи, тем меньшая вероятность найти генерирующую точку, так как многие плохие точки маскируются сопротивлением толщи и не могут быть найдены. При большом сопротивлении толщи у найденных точек отрицательный наклон имеет гораздо меньшее протяжение, так как раньше загибается кверху ( ср. [1]
Сопротивление толщи полупроводника за р - л-пе-реходом равно RT pklhh - Оно особенно существенно при малой площади р - n - перехода. [2]
 |
Эквивалентная схема. [3] |
Последовательно с переходом включены сопротивление толщи полупроводника / и индуктивность выводов. [4]
Так как алгебраическая сумма сопротивления толщи и отрицательного сопротивления контакта менее отрицательна. [5]
НАЯ - величина, обратная сопротивлению толщи пород земной коры электрическому току, распространяющемуся параллельно земной поверхности. Если каждый геоэлектрический горизонт заменить проводником с той же мощностью и сопротивлением, а весь геоэлектрический разрез представить в виде параллельного соединения этих проводников, то величина, обратная электрическому сопротивлению такой системы, будет равна продольной проводимости разреза. [6]
Правда, в случае нагретого докрасна кристалла сопротивление толщи R чрезвычайно мало ( действует отрицательный температурный коэффициент сопротивления) и почти вся величина V падает в активном месте контакта. [7]
При анализе прямой ветви характеристики приходится учитывать сопротивление толщи полупроводника, особенно заметное в точечных и микроплоскостных диодах. В этом случае ток, протекающий через диод, определяется толщей полупроводника гг и приложенным напряжением. Сопротивление гг носит название сопротивления растекания. [8]
Сопротивление приконтактного слоя будет мало по сравнению с сопротивлением остальной толщи полупроводника за счет вошедших из металла электронов. [9]
В этой формуле первый член ответственен за падение напряжения на образце, а второй - за модуляцию сопротивления толщи образца инъектированными носителями. Второй член формулы при t 5 Ю3 а / см2, ы 10 см2 / в-сек, т 10 - 9 сек, сг 1 ом - 1Х X см-1 и d 5 10 - 2 см оказывается на три порядка меньше первого и поэтому им можно пренебречь. [10]
В этой формуле первый член ответственен за падение напряжения на образце, а второй - за модуляцию сопротивления толщи образца инъектированными носителями. Второй член формулы при i 5 103 а / см., и 10 см - 1в - сек, т 1Q - 9 сек, а 1 ом-1 X X см-1 и d 5 10 - 2 см оказывается на три порядка меньше первого и поэтому им можно пренебречь. [11]
 |
Омический контакт при наличии промежуточного слоя полупроводника малого сопротивления.| Энергетическая диаграмма контакта электронных полупроводников разного сопротивления. [12] |
Это будет контакт неомический, так как он будет зависеть от приложенного напряжения, но сопротивление его будет меньше, чем сопротивление толщи полупроводника. Он будет также неинъектирующим, так как в полупроводник вводятся основные носители - электроны. [13]
 |
Вольтамперная характеристика и эквивалентная схема туннельного диода. [14] |
Эквивалентная схема туннельного диода приведена на рис. 4.66, где R - сопротивление перехода, С - емкость перехода и Rs - сопротивление толщи полупроводника. [15]
Страницы: 1 2 3