Cтраница 3
Промышленное хранилище сжиженного природного газа, находящееся в порту, должно обеспечивать возможность быстрой разгрузки судов и непрерывного отбора сжиженного газа для его последующей регазификации и подачи в систему газопроводов. В подземном хранилище сжиженный природный газ должен содержаться под переменным давлением, которое ограничивается только сопротивлением толщ пустых пород, залегающих над подземной полостью. [31]
На рис. 1 приведены характеристики генерирующих точек различных кристаллов. Кривые 1 - 4 соответствуют цинкиту № 2 с сопротивлением толщи 0.8 ом, 5 - цинкиту № 3 с сопротивлением толщи 2.2 ом, 6 - свинцовому блеску № 2 с сопротивлением толщи 2.7 ом, кривые 7 - 10 - цинкиту № 1 с сопротивлением толщи 3 ома, при этом кривая 7 с цинковой проволочкой, 8 - 10 - с угольной нитью, кривая 11 соответствует свинцовому блеску № 1 с сопротивлением толщи 5 ом. [32]
Свечение происходит только при том направлении тока, которому соответствует плюс карборунд-минус контактная проволочка. Можно предполагать, что при обратном направлении тока, минус карборунд-плюс контактная проволочка, вся разность потенциалов, приложенная к зажимам детектора, падает исключительно на сопротивление толщи кристалла. Va, определенное так, как показано стрелками на рис. 1 и 2, получает более точное значение, чем предполагалось в начале настоящей статьи. [33]
Значительное отступление от теоретической зависимости наблюдается при увеличении прямого напряжения ( U рт), когда ток через переход начинает ограничиваться не сопротивлением перехода, а сопротивлением толщи р - и гс-областей полупроводника, и при больших обратных напряжениях ( - Е / обр1 Фт) когда наблюдается резкое возрастание обратного тока и пробой перехода. [34]
Сопротивление толщи в одном и том же кристалле может различаться потому, что если дуга случайно возникает на каком-нибудь выступе кристалла, к истинному г прибавляется еще сопротивление этого выступа. Конечно, ясно, как было указано в статье [3], что чем больше сопротивление толщи, тем меньшая вероятность найти генерирующую точку, так как многие плохие точки маскируются сопротивлением толщи и не могут быть найдены. При большом сопротивлении толщи у найденных точек отрицательный наклон имеет гораздо меньшее протяжение, так как раньше загибается кверху ( ср. [35]
На рис. 1 приведены характеристики генерирующих точек различных кристаллов. Кривые 1 - 4 соответствуют цинкиту № 2 с сопротивлением толщи 0.8 ом, 5 - цинкиту № 3 с сопротивлением толщи 2.2 ом, 6 - свинцовому блеску № 2 с сопротивлением толщи 2.7 ом, кривые 7 - 10 - цинкиту № 1 с сопротивлением толщи 3 ома, при этом кривая 7 с цинковой проволочкой, 8 - 10 - с угольной нитью, кривая 11 соответствует свинцовому блеску № 1 с сопротивлением толщи 5 ом. [36]
На рис. 1 приведены характеристики генерирующих точек различных кристаллов. Кривые 1 - 4 соответствуют цинкиту № 2 с сопротивлением толщи 0.8 ом, 5 - цинкиту № 3 с сопротивлением толщи 2.2 ом, 6 - свинцовому блеску № 2 с сопротивлением толщи 2.7 ом, кривые 7 - 10 - цинкиту № 1 с сопротивлением толщи 3 ома, при этом кривая 7 с цинковой проволочкой, 8 - 10 - с угольной нитью, кривая 11 соответствует свинцовому блеску № 1 с сопротивлением толщи 5 ом. [37]
На рис. 1 приведены характеристики генерирующих точек различных кристаллов. Кривые 1 - 4 соответствуют цинкиту № 2 с сопротивлением толщи 0.8 ом, 5 - цинкиту № 3 с сопротивлением толщи 2.2 ом, 6 - свинцовому блеску № 2 с сопротивлением толщи 2.7 ом, кривые 7 - 10 - цинкиту № 1 с сопротивлением толщи 3 ома, при этом кривая 7 с цинковой проволочкой, 8 - 10 - с угольной нитью, кривая 11 соответствует свинцовому блеску № 1 с сопротивлением толщи 5 ом. [38]
Действительно, все активные области транзистора расположены в слое 5 - 10 мкм от поверхности. Но по соображениям механической прочности невозможно работать с кристаллами тоньше 100 мкм. Поэтому сопротивление толщи кремния, превышающее 5 - 10 мкм, является паразитным. Выбор величины удельного сопротивления исходного материала основывается на достижении требуемой величины пробивного напряжения, а также допустимой емкости коллекторного перехода. [39]
Рассмотрим теперь выпрямление на контакте полупроводник - металл. Приложим к контакту полупроводника с металлом внешнее напряжение U таким образом, чтобы металл был соединен с отрицательным полюсом батареи, а полупроводник я-типа - с положительным. Поскольку сопротивление слоя объемного заряда значительно больше сопротивления толщи полупроводника, все приложенное напряжение падает на контакте. Поэтому высота потенциального барьера на границе между полупроводником и металлом увеличится и будет составлять Афк Афн U, так как внешнее поле совпадает по знаку с контактным и усиливает его. [40]
Термические аномалии сопровождаются здесь и барическими аномалиями. Высоконапорные горячие флюиды при геодинамической нестабильности ( сейсмоактивный район), внедряясь в осадочный чехол, производят механическое воздействие ( гидроразрыв), так как коллектора в карбонатном и терригенном комплексе мезозоя представлены здесь, главным образом, трещинными разностями, то перекрывающая их глинистая толща Майкопа под воздействием горячих напорных флюидов становится менее вязкой и образует глиняный диапир, приподнимая и деформируя вышележащие песчано-глинистые толщи неогена и способствуя формированию надвига. Напор флюидов настолько высок, что он преодолевает сопротивление 6-километровой толщи осадочных пород и доходит до поверхности по зоне разлома. [41]
При дальнейшем увеличении внешнего напряжения весь пространственный заряд будет скомпенсирован дырками и свободными электронами, запорный слой исчезнет и сопротивление перехода станет равным объемному сопротивлению полупроводника. Ток через р - п переход в этом случае определяется сопротивлением толщи полупроводника и внешним сопротивлением цепи и называется прямым током, а направление тока - прямым, или пропускным направлением р-п перехода. [42]
На передней стороне ( л-область) контакт 2 нанесен в виде тонкой полоски. Линии тока в базе 4 направлены перпендикулярно плоскости перехода, а в переднем слое 3 - параллельно переходу. Из-за такого различия в направлениях линий тока сопротивление переднего слоя намного превышает сопротивление базы. Последовательное сопротивление фотодиода Rn включает сопротивление растекания носителей в тонком слое RP и сопротивление толщи полупроводника за р - - переходом т, а также переходные сопротивления между, полупроводником и металлическими контактами. Уменьшать последовательное сопротивление в фотодиодах необходимо, так как во многом именно им определяется эффективность фотоприемника. [43]
Рассмотрим процесс изготовления селенового вентиля серии А. Различные слои материалов, составляющие вентиль, последовательно наносят на алюминиевое основание. Предварительно основание обезжиривают и обрабатывают песком для придания поверхности шероховатости. Это необходимо для лучшего сцепления селена с основой. Затем на алюминиевое основание наносят висмут, слой которого настолько тонок, что шероховатость поверхности сохраняется. Кристаллизацию селена проводят в специаль: ных печах в два этапа: сначала при низкой температуре, а затем при температуре, близкой к его температуре плавления. При этом, помимо кристаллизации, резко снижающей сопротивление толщи селена, происходит обеднение галоидами его внешних, близких к поверхности слоев. Уменьшение концентрации галоидов приводит к увеличению удельного сопротивления поверхностного слоя селена. Благодаря этому улучшаются условия выпрямления в контакте селена с электронным полупроводником. [44]