Сопротивление - толща
Cтраница 2
 |
Структура твердотельного конденсатора.| Эквивалентная схема интегрального конденсатора. [16] |
На рис. 12.44 показана эквивалентная схема конденсатора, где С - барьерная емкость р-л-перехода; R - сопротивление перехода; а 2 - сопротивление толщи полупроводника и омических контактов. [17]
На рис. 2.9 показаны вольтамперные характеристики прямого тока р-п переходов в полулогарифмическом масштабе, полученные с учетом падения напряжения в области объемного заряда инжектированных носителей и на сопротивлении толщи полупроводника. [18]
Разумеется, постоянство i0 в том и другом отношениях верно лишь в известных пределах, так как в обоих случаях отрицательного наклона может не быть, например, если сопротивление толщи по абсолютной величине равно или больше отрицательного сопротивления точки контакта. [19]
Прямая ветвь вольт-амперной характеристики перехода Шоттки ( /) и р-п - перехода ( 2) изображена на рис. 2.12. Начальный участок представляет собой режим термоэлектронной эмиссии, а следующий участок определяется падением напряжения на сопротивлении толщи полупроводника. [20]
Это, как и предполагалось, подтверждает наши выводы о том, что вначале ( до тех пор пока не возникнет дуга) характеристика генерирующего детектора должна идти по линии 1 сопротивления точки контакта R ( включенным последовательно с R сопротивлением толщи г пренебрегаем ввиду его сравнительной малости) и отклоняться от нее лишь из-за возникающих истечений. [21]
 |
Четырехслойная структура ( а и ее представление в виде эквивалентной схемы из двух транзисторов с общим коллектором ( б. [22] |
Падение сопротивления базовой области приводит к перераспределению напряжения между ней и р - / г-переходом и к резкому росту инжекционного тока. Сопротивление толщи падает до малых величин и структура переходит в открытое состояние. Поскольку толщина базовой области может быть взята меньше длины диффузионного смещения, то остаточное падение напряжения на ней оказывается малым. [23]
Следующей операцией является термообработка при температуре 218 С, весьма близкой к температуре плавления селена ( 220 С), в процессе которой увеличивается удельное сопротивление поверхностного слоя селена вследствие обеднения его галоидами. Одновременно уменьшается сопротивление основной толщи селена за счет возрастания числа дефектов решетки, вызывающих появление дополнительных акцепторных уровней. Таким образом, получается градиент сопротивления по толщине слоя селена. [24]
 |
Эквивалентная схема, учитывающая сопротивления слоев транзистора ( схема ОБ.| Эквивалентные схемы транзистора, работающего в активном режиме. [25] |
Сравнение входных ВАХ идеализированного ( рис. 4.13, б) и реального ( рис. 4.14, б) транзисторов показывают, что в последнем случае ВАХ имеют меньшую крутизну нарастания. Этот эффект обусловлен влиянием сопротивления толщи эмиттера гэ и толщи базы ГБ, которые включены последовательно с эмиттерным переходом. [26]
На рис. 1 приведены характеристики генерирующих точек различных кристаллов. Кривые 1 - 4 соответствуют цинкиту № 2 с сопротивлением толщи 0.8 ом, 5 - цинкиту № 3 с сопротивлением толщи 2.2 ом, 6 - свинцовому блеску № 2 с сопротивлением толщи 2.7 ом, кривые 7 - 10 - цинкиту № 1 с сопротивлением толщи 3 ома, при этом кривая 7 с цинковой проволочкой, 8 - 10 - с угольной нитью, кривая 11 соответствует свинцовому блеску № 1 с сопротивлением толщи 5 ом. [27]
 |
Пилообразное колебание напряжения на конденсаторе в цепи двухбазового диода.| Эквивалентная схема генератора на двухбазовом диоде. [28] |
Для того чтобы легче перевести обычную схему в твердую, расположим имеющиеся сопротивления на одной прямой. Заменим теперь конденсатор С емкостью электронно-дырочного перехода, а все сопротивления - сопротивлением толщи полупроводниковой пластинки. [29]
Сопротивление толщи в одном и том же кристалле может различаться потому, что если дуга случайно возникает на каком-нибудь выступе кристалла, к истинному г прибавляется еще сопротивление этого выступа. Конечно, ясно, как было указано в статье [3], что чем больше сопротивление толщи, тем меньшая вероятность найти генерирующую точку, так как многие плохие точки маскируются сопротивлением толщи и не могут быть найдены. При большом сопротивлении толщи у найденных точек отрицательный наклон имеет гораздо меньшее протяжение, так как раньше загибается кверху ( ср. [30]
Страницы: 1 2 3