Темновое сопротивление

Cтраница 2

Темновое сопротивление селеновых фотосопротивлений бывает различным в зависимости от технологии, конструкции и других условий и находится в пределах от 10 до 108 ом. Точно так же и их интегральная чувствительность в зависимости от исходных условий бывает различной и лежит в пределах от 100 до 3000 мка / лм. [16]

Величину темнового сопротивления необходимо знать для выбора оптимального сопротивления нагрузки, на которую работает ПЛЭ. [17]

Допускаемое отклонение темнового сопротивления сернисто-свнн - U) Boro фоторезистора не более 20 %; для фоторезисторов других типов не нормируется. [18]

А, их темновое сопротивление лежало обычно в пределах 106 - 107 ом. [19]

Характеристики фоторезисторов ( темновое сопротивление, чувствительность, инерционность) сильно зависят от температуры. Темновое сопротивление и чувствительность с ростом температуры уменьшаются, а постоянная времени т увеличивается. Для большинства фоторезисторов допустимый температурный диапазон составляет от - 60 до 60 С. [20]

Полиацетилениды меди имеют темновое сопротивление 109 - 1010 ом-см, которое при освещении монохроматическим светом уменьшается до 10 - 108 ом-см с нарастанием фототока до максимального значения за 10 - 15 сек. [21]

Проведенные нами исследования темнового сопротивления RT: фоторезисторов типа ФСА-Г1 в зависимости от времени хранения показали, что компенсация колебаний температуры окружающей среды дифференциальным включением двух фоторезисторов малоэффективна из-за большого разброса R. Исследование изменения чувствительности приемников излучения в зависимости от изменени. [22]

Поэтому г1фа является темновым сопротивлением. Однако при более точной аппроксимации нужно учесть, что в области низких напряжений, в особенности при слабых интенсив-ностях излучения, есть небольшой участок, на котором характеристики идут почти параллельно оси напряжения. Этот участок на рис. 182, б заключен в штриховую окружность и так же показан отдельно в увеличенном масштабе. [23]

У сернистого кадмия отношение темнового сопротивления к световому может достигать порядка 106, чего не наблюдается ни у одного полупроводника, из которого в настоящее время изготовляются промышленные типы фотосопротивлений. Высокие фотоэлектрические свойства сернистого кадмия и определяют высокую интегральную чувствительность фотосопротивлений ФСК, для ФСК-АИ она равна 0 5 - 3 а / лм, а для ФСК-М2 - 3 - - 10 а / лм, при разности потенциалов в 70 в. При этом напряжении темновой ток у ФСК-АН составляет 10 - 8 - МО - а, а у ФСК-М2 - 1C) - 6ч - 1Q - 8 а; при освещенности же в 10 люкс фототек может быть в миллионы раз больше. [24]

Вследствие облучения происходит уменьшение темнового сопротивления. Кинетика этого процесса существенно зависит от технологии изготовления слоев. [25]

Порог чувствительности фоторезисторов определяется дрейфом темнового сопротивления и шумами различных видов. [26]

Кратность изменения сопротивления - отношение темнового сопротивления к сопротивлению фоторезистора при освещенности 200 лк - также характеризует чувствительность фоторезистора. В подобных условиях требуется наибольший перепад сопротивления фоторезистора при попадании на него излучения. [27]

К изменению RT сернисто-свинцового фотосопротивления в зависимости от температуры слоя.| Схема включения приемника. [28]

На рис. 3.21 показана зависимость темнового сопротивления сернисто-свинцовых фотосопротивлений от температуры слоя. Из рисунка видно, что при охлаждении слоя от комнатной температуры ( 293 К) до температуры твердой углекислоты ( 195) внутреннее сопротивление изменяется почти на порядок. Изменение RT сильно сказывается на изменении сигнала, снимаемого с приемника. [29]

В электрофотографии используются фотополупроводники с удельным темновым сопротивлением порядка 1015 ом. При освещении слоя его удельное сопротивление должно снижаться до величин 101 - 1012 ом. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5