Темновое сопротивление

Cтраница 4

К наиболее важным параметрам ФС относятся чувствительность удельная, интегральная, спектральная, темновое сопротивление, кратность изменения сопротивления. [46]

Упрощенная схема оптронного преобразователя среднеквадратического значения напряжения. [47]

Принцип действия оптронного преобразователя следующий: при отсутствии напряжения на входе эмиттерного повторителя фоторезистор не освещен, его темновое сопротивление составляет более 1 МОм и ток через микроамперметр практически равен нулю. [48]

Рост и спад фототока в слое стекол сие - IglpfA темы Si-Ge - As - Те при А. 1 06 мкм, Т 77 К.. Г - Lr 1013 фотон / ( см2 с. В каждой последующей кривой уровень возбуждения увеличивается примерно в 4 раза.| Электрические и фотоэлектрические параметры некоторых оксюсвУ ьУогся1идяму и хядь1Сувктл11мх стекол. [49]

Некоторые усредненные ( по 3 - 5 образцам) электрические и фотоэлектрические параметры пленок оксихалькогенидных и халькогенидных стекол ( темновое сопротивление рт, кратность изменения сопротивления а при воздействии неразложенным светом при освещенности 50 или 100 лк, длина волны максимума фотопроводимости А. [50]

Основными параметрами фотоэлектронных приборов являются интегральная чувствительность, удельная чувствительность, уровень шумов, порог чувствительности, постоянная времени и темновое сопротивление. [51]

Прибавка теллура вызывает увеличение предельного потенциала, увеличение чувствительности слоя ( при электризации положительной полярности) и сравнительно небольшое увеличение темнового сопротивления слоя. [52]

Под воздействием изменяющейся в условиях эксплуатации температуры окружающего воздуха или теплопритоков от вращающихся деталей, расположенных в непосредственной близости от фоторезистора, его темновое сопротивление в сильной степени изменяется от температуры ( см. рис. 26), тогда как сопротивление нагрузки практически остается неизменным. [53]

Блок-схема установки для измерения основных параметров. [54]

Для правильного выбора и согласования фоторезисторов с различными электронными и оптико-электронными устройствами необходимо знание по крайней мере таких их основных параметров, как темновое сопротивление RT, напряжение собственных шумов С / ш, величина интегральной вольтовой чувствительности Su, диапазон спектральной чувствительности и порог чувствительности Фп. [55]

Как видно из этих данных, пленки ОХС являются более чувствительными к свету, чем пленки бинарных стеклообразных халькогенидов As2Se3 и As2S3, имеющих темновое сопротивление того же порядка. [57]

В таблице приняты обозначения: Ртах рас - максимально допустимая мощность рассеяния; 6раб - рабочее напряжение; Umax - максимально допустимое напряжение; Лт - темновое сопротивление; / св - световой ток; / т - темновой ток; Тсп - время спада тока при выключении; ГНр - время нарастания тока при включении; тах - максимум спектрального распределения длин волн в диапазоне фоточувствительности прибора. [58]

Простая схема блокировки с сернистокадмиевым - фотосопротивлением. [59]

При составлении схем фотореле с фотосопротивлениями требуется учитывать особенности их основных электрических параметров - отсутствие полярности ( в этом отношении ФС не отличаются от обычных сопротивлений), низкое темновое сопротивление ( 0 01 - 10 мгом) по сравнению с фотоэлементами с внешним фотоэффектом. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5