Темновое сопротивление

Cтраница 3

Вольтамперные характеристики фоторезисторов. / - в темноте. 2 -при освещении. [31]

Как видно из табл. 6.1., темновые сопротивления довольно велики, особенно у монокристаллических сернистокадмиевых фоторезисторов. [32]

Применяемые в ближней ИК-области фоторезисторы имеют темновое сопротивление, достигающее 2 МОм. [33]

Вместе с тем слои эти имеют достаточно высокое удельное темновое сопротивление, так что с этой стороны каких-либо препятствий к использованию их в электрофотографии не встречается. [34]

При изменении температуры фотоприемника меняется как его темновое сопротивление, так и его чувствительность, что приводит к изменению электрического сигнала, снимаемого с нагрузки фотоприемника. [35]

Большинство фотосопротивлений с повышением температуры понижает свое темновое сопротивление. [36]

Сопротивление чувствительного слоя при отсутствии облучения представляет собой темновое сопротивление приемника. Этот параметр необходим для выбора оптимального сопротивления нагрузки, на которую работает приемник, и является весьма важным, так как от него зависят постоянная времени приемника и величина шумов. [37]

К основным параметрам фоторезисторов наряду с указанными ранее темновым сопротивлением, темновым и световым токами относятся: удельная чувствительность - отношение фототока к произведению светового потока на приложенное к фоторезистору напряжение: К0 / Ф / Ф17, где / ф определяется при изменении освещенности от темноты до 200 лк; рабочее напряжение - максимально возможное напряжение, не приводящее к изменению других параметров фоторезистора в течение всего срока службы; допустимая мощность рассеяния - максимальная мощность, рассеиваемая на фоторезисторе без его повреждения. [38]

Схема включения оптрона в качестве коммутирующего элемента. [39]

Характерными особенностями оптронов на фоторезисторах являются большое отношение темнового сопротивления к световому, достигающее 107 - 109, и низкий уровень шумов. [40]

Готовность фоторезистора к работе оценивается по резкому увеличению его темнового сопротивления, измеряемого с помощью специальной иепи индикации, содержащей контрольный измерительный прибор. Сопротивление термодатчика Измеряется, например, с помощью измерительного моста МВЛ-47 или любого другого прибора для измерения сопротивления. Показания термодатчика переводятся в. [41]

Приложенное напряжение И - 10 - - 12 в; темновое сопротивление порядка 100 - 120 ком; изменение сопротивления при освещенности Е - 200 лк порядка 15 - 20 % от темнового сопротивления; спектральная чувствительность в лучах от 0 5 до 2 7 мкн, безинерционность - до 5000 гц. [42]

Фоторегистриру-ющие устройства. [43]

Фотополупроводниковый слой, применяемый для электрографической регистрации, должен иметь достаточно высокое удельное темновое сопротивление ( 1013 - 1016 ом-см) и изменять свои проводящие свойства под действием света. Такими свойствами обладают тонкие слои селена, окиси цинка, окиси сернистого кадмия и др. В качестве подложки, на которую наносится светочувствительный слой, может использоваться любой материал, удельное сопротивление которого на несколько порядков ниже удельного темнового сопротивления фотополупроводникового слоя. К таким материалам относятся латунь, алюминий, нержавеющая сталь и бумага. [44]

На полупрозрачную металлическую сигнальную пластинку нанесен тонкий слой фотопроводящего вещества с большим темновым сопротивлением. На пластину подается небольшое положительное по отношению к катоду прожектора напряжение ( - - 20 в); передаваемая картина проектируется на мишень со стороны сигнальной пластины. В отсутствие освещения медленные электроны лучка доводят потенциал поверхности мишени почти до потенциала катода, так как поперечное сопротивление слоя очень велико. Спроектированная на мишень картина создает в слое полупроводника распределение проводимости, которое соответствует распределению яркости, и поперечные токи заряжают поверхность мишени, образуя на ней потенциальный рельеф. Между двумя последовательными коммутациями заряд накапливается, так что принцип накопления заряда используется в полной мере. Очевидно, что ток в цепи сигнальной пластины оказывается промодулированным и может быть использован для передачи. В видиконе отсутствуют перенос изображения и электронное умножение сигнала. В последнем нет и нужды, так как коэффициент усиления g ( формула (61.116)) может быть много больше единицы. Поэтому устройство видикона предельно просто и оказалось возможным изготовление трубок очень малых размеров. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5