Cтраница 1
Обратное сопротивление остается практически неизменным при изменении обратного напряжения от 0 до 150 В. [1]
Обратное сопротивление обусловлено наличием в вихревой камере закрученного потока. [2]
Обратное сопротивление при смещении - 1 в равно 10 Мом. [3]
Обратное сопротивление при смещении - 1 в равно 10 Мом. [4]
![]() |
Электрические параметры кремниевых стабилизаторов напряжения.| Схемы сглаживающих фильтров. я-ячейка с сопротивлением. б-ячейка с индуктивностью. [5] |
Обратное сопротивление при смещении минус i в равно 10 мом. [6]
Обратное сопротивление остается практически неизменным при изменении обратного напряжения от 0 до 150 В. [7]
![]() |
Проверка транзисторов с помощью омметра.| Проверка транзисторов с помощью вольтметра. [8] |
Обратное сопротивление при напряжении батареи тестера 3 - 4 5 В не измеряется - оно превышает несколько десятков мегом. Исправный диод должен показать при измерениях сопротивления, лежащие в указанных выше пределах. [9]
Обратное сопротивление остается практически неизменным при изменении обратного напряжения от 0 до 150 В. [10]
Иногда обратные сопротивления у однотипных диодов могут отличаться друг от друга даже в десятки раз. [11]
Обратное сопротивление Rosy - сопротивление диода обратному току; его измеряют методом вольтметра - амперметра ( или омметром) при приложении к диоду обратного напряжения; оно сильно зависит от этого напряжения. [12]
Обратное сопротивление стабилитронов составляет несколько мегом. При переходе в область пробоя это сопротивление уменьшается в десятки тысяч раз. Динамическое сопротивление стабилитрона невелико, оно возрастает с ростом напряжения стабилизации от нескольких ом до нескольких десятков ом. Поэтому использование стабилитронов при токах ниже / ст. мин нежелательно. [13]
![]() |
Эквивалентная схема входной цепи, ос-нованная на представле-нии входного сигнала в виде напряжения, нарастающего по экспоненциальному закону. [14] |
Обратное сопротивление полупроводниковых диодов падает с повышением рабочей температуры, что необходимо учитывать при расчете. Практически, для схем на вакуумных триодах необходимо выбирать типы диодов с большим значением допускаемого обратного напряжения, малым обратным током и высоким пределом рабочих температур. [15]