Обратное сопротивление - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Если вы поможете другу в беде, он непременно вспомнит о вас, когда опять попадет в беду. Законы Мерфи (еще...)

Обратное сопротивление

Cтраница 3


При этом обратное сопротивление кремниевого диода от величины порядка мегома резко падает до величин нескольких ом. У кремниевого диода этот эффект обратимый и используется для ограничения и стабилизации напряжения. В германиевых диодах при обратном напряжении, близком к пороговому напряжению, возникает явление теплового пробоя диода, ввиду того, что при этом происходит некоторое выделение тепла и дополнительная тепловая ионизация в полупроводнике.  [31]

Или: обратное сопротивление многократного проводника есть сумма обратных сопротивлений составляющих его проводников.  [32]

33 Характеристика сопротивления серии точечных диодов фирмы Siemens. [33]

Характер изменений обратного сопротивления при малых изменениях напряжения в обратном направлении можно видеть, например, из кривой для рас-сматриваего диода типа GDIE. Если бы в области малых напряжений применить увеличенный масштаб, то было бы видно, что при малых отрицательных напряжениях характеристики пересекают друг друга. Такое пересечение физически вполне обосновано. Для техника это обстоятельство имеет большое значе-ние, так как оно свидетельствует о том, что те типы вентилей, которые отличаются низким запирающим напряжением, имеют при малых напряжениях желательные свойства в прямом и обратном направлениях. Это справедливо, конечно, лишь в том случае, если вентили изготовлены безупречно.  [34]

Время восстановления обратного сопротивления т0бр - интервал времени между моментом переключения напряжения на диоде с прямого на обратное и моментом, когда обратный ток достигнет заданного значения.  [35]

Время восстановления обратного сопротивления зависит от величин зарядов неосновных носителей, накопленных в областях транзистора ( в базе и коллекторе) при протекании прямого тока, а также от постоянных времени, характеризующих рассасывание этих носителей. Кроме того, на него влияет барьерная емкость.  [36]

Время восстановления обратного сопротивления в схеме / определяется из следующих соображений. В этой схеме только эмиттер - ный переход смещается в прямом направлении, а так как коэффициент инжекции эмиттера близок к единице, то происходит накопление неосновных носителей только в области базы.  [37]

Время восстановления обратного сопротивления ( вос, ОБР) - время от момента прохождения тока через нуль, при переключении диода с прямого тока на импульсное обратное напряжение, до момента когда обратный ток диода уменьшается до заданного уровня отсчета.  [38]

39 Устройство точечного германиевого диода типа Д2. [39]

Временем восстановления обратного сопротивления TBOCCT называется промежуток времени, в течение которого обратное сопротивление диода достигает стационарного значения.  [40]

Влияние величины обратного сопротивления выпрямителя на чувствительность реле определялось с помощью магазина сопротивлений, включенного параллельно выпрямителю.  [41]

42 Основные параметры некоторых импульсных диодов. [42]

Время восстановления обратного сопротивления тв - время с момента смены направления тока через диод с прямого на обратное до того момента, когда обратный ток уменьшится до заданного значения.  [43]

Прямее и обратное сопротивления выпрямителя не остаются постоянными, они в некоторых пределах изменяются в зависимости от приложенного напряжения, температуры и частоты.  [44]

Это соответствует обратному сопротивлению в десятки килоом. У различных полупроводниковых диодов RoSp может быть до сотен килоом и больше. Если обратное напряжение превысит максимально допустимую для данного прибора величину, то запирающий слой пробьется. При этом его сопротивление резко уменьшается и обратный ток сильно возрастает. На рис. 6.7 штрихом показан ход характеристики в случае пробоя.  [45]



Страницы:      1    2    3    4