Обратное сопротивление
Cтраница 4
Разрыв между прямым и обратным сопротивлением, а также наличие максимума дифференциального сопротивления при ненулевом напряжении объясняется систематической погрешностью принятого метода измерений с помощью микроамперметра и вольтметра. [46]
Последние обладают высоким обратным сопротивлением порядка 2 Мом и выдерживают большие обратные напряжения до 100 в и больше. Внутреннее сопротивление кремниевого диода при напряжении в 1 в имеет величину порядка 100 ом. ЕМКОСТЬ кремниевого диода лежит в пределах от 0 5 до 5 мкмкф. [47]
Таким образом, обратное сопротивление го6р с возрастанием температуры на 50 С уменьшается в 2 раза. [48]
У таких диодов обратное сопротивление и напряжение отпирания изменяются в незначительных пределах. [49]
Диоды должны иметь высокие обратные сопротивления. [50]
 |
Схемы включения транзистора. [51] |
При таком напряжении обратное сопротивление эмиттера резко изменяется от очень высокого значения до 100 ом и менее. Коэффициент усиления по току а является нелинейной функцией при малых значениях тока эмиттера. Для нулевого значения этого тока коэффициент усиления примерно равен нулю; с увеличением тока эмиттера этот коэффициент достигает максимума, а затем медленно уменьшается. Коэффициент а также зависит от температуры, возрастая при ее увеличении. Он не превышает единицы даже у транзисторов, работающих при окружающей температуре 180 С. [52]
Как известно, обратное сопротивление германиевых диодов не падает ниже 1 ком вплоть до температуры 70 С. [53]
При разбросе значений обратных сопротивлений, что характерно-для полупроводниковых диоДов, обратное напряжение, приложенное к каждому из диодов, различно. Наибольшее обратное напряжение падает на диоде с наибольшим обратным сопротивлением и может превысить t / 06pmax для данного типа диода. Для равномерного распределения обратного напряжения между последовательно включенными диодами каждый диод шунтируют резистором Rm ( рис. 8.1), сопротивление которого на порядок меньше обратного сопротивления данного типа диодов. [54]
При разбросе значений обратных сопротивлений, что характерно для полупроводниковых диодов, обратное напряжение, приложенное к каждому из диодов, различно. Наибольшее обратное напряжение падает на диоде с наибольшим обратным сопротивлением и может превысить Офертах для данного типа диода. [55]
Зависимость времени восстановления обратного сопротивления ( даны зоны разброса) от прямого тока. [56]
При разбросе значений обратных сопротивлений, что характерно для полупроводниковых диодов, обратное напряжение, приложенное к каждому из диодов, различно. Наибольшее обратное напряжение падает на диоде с наибольшим обратным сопротивлением и может превысить t / o6pmax для данного типа диода. Для равномерного распределения обратного напряжения между последовательно-включенными диодами каждый диод шунтируют резистором Кш ( рис. 8.1), сопротивление которого на порядок меньше обратного сопротивления данного типа диодов. [57]
 |
Кривые обратного сопротивления полупроводниковых выпрядмятелей. [58] |
Поэтому точное определение обратного сопротивления выпрямителей не имеет смысла. [59]
Для восстановления величины обратного сопротивления выпрямителя его необходимо включить на несколько минут в сеть переменного тока. [60]
Страницы: 1 2 3 4