Удельное сопротивление - образец
Cтраница 2
 |
Пример экспериментальных кривых изменения.| Изменение величины упругого гистерезиса удельного сопротивления в зависимости от проницаемости. [16] |
На рис. 8 изображена зависимость отношения удельных сопротивлений образцов, полученного в условиях снятия и увеличения нагрузки, от коэффициента проницаемости образцов. [17]
Величину Рп находят по данным измерения удельного сопротивления образцов, расчетом по известной пористости образца или на основании описания породы и, наконец, по данным Qn водоносного пласта, минерализация вод которого известна. [18]
Из сказанного вытекает, что определение удельных сопротивлений образца электроизоляционного материала сводится к измерениям величин напряжения на образце и тока, протекающего между электродами, после чего по геометрическим размерам образца и электродов с учетом их формы вычисляют соответствующие удельные сопротивления. Для измерения удельного сопротивления используют обычно плоские или трубчатые образцы. [19]
 |
Влияние геометрии полупроводниковой пластины на эффект. [20] |
Удельное сопротивление диска Корбипо р никогда не бывает меньше удельного сопротивления рв образца с aw, но в некотором случае эти сопротивления могут быть равны. [21]
 |
Схема двухзондо. [22] |
При этом не требуется знания площади поперечного сечения образца и может быть измерено удельное сопротивление образцов любой формы. [23]
 |
Принципиальная схема измерений коэффициента Холла и удельной электрической проводимости. [24] |
Метод измерения сводится к нахождению зависимости между отношением прошедшей мощности к падающей и удельным сопротивлением образцов. Градуировку производят по специальным образцам - эталонам. [25]
Показано также влияние теплового излучения ( 300 К) от внешних стенок криостата на удельное сопротивление образца, легированного железом. [26]
 |
Влияние давления паров.| Изменение поверхностной проводимости антрацена во влажном воздухе для свежей ( / и прокорро-дировавшей на воздухе поверхности ( 2. [27] |
На рис. 30 по оси ординат отложено давление паров иода, а по оси абсцисс - отношение удельных сопротивлений образца до и после обработки в парах иода рНач / Ркон. [28]
 |
Схема измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов четырехзондовым методом. [29] |
При измерении четырехзондовым методом определяют некоторое среднее значение удельного сопротивления по малому объему образца, что позволяет гораздо лучше, чем при двухзондовом методе, исследовать однородность удельного сопротивления образца. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5